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上周内存回顾:DDR供大于求 涨价无望


dram.com.cn 作者:有色金属 责任编辑:王刚 【编译】 2005年09月26日 07:55 评论

  上周DDR价格基本上处在偏软的区间震荡走势,从总体上来看需求依然是迟缓的。供货商有意提供低价格来吸引买者建仓,但现货市场上的通路商对10月1号长假的补货动作表现并不积极。市场上的气氛较为中性,虽然大部分通路商都在场中观望,但他们还是密切注视着场中的变化,等待机会。接近周末时,部分商家认为价格接近底线,近场补进一些库存。由于他们补仓的货拿的都是DDR400 和少量的DDR333的货,因此价格略有反弹,DDR400与256MB DDR266 的差价进一步拉大,周五时由于商家担心未来DDR266无人问津导致恐慌,256MB DDR266的出人意料的下跌到140元,这主要是因为DDR266的货市场需求较少的结果。

  今年场外资金的大量介入是导致今年走势呈现牛势的另一个重要原因。从目前看,商家对补货动作较为审慎,所以每次的成交量都不大。

  从海外市场来看,需求也并不是太好,贸易活动也不明显,但由于他们对256MB DDR/400的内存有兴趣,因而价格较为稳固。圣诞需求目前还没有看到,今年的行情似乎较为怪异。

  SDRAM价格有所偏软,需求还是迟缓。

  未来的DDR价格走势惹人关注,但我们考虑到目前的供求关系仍处于供大于求状态下,预测短线价格总体上会维持区间震荡走势,价格仍难以形成有效的向上突破,换句话讲即使反弹也不能形成反转行情。但就预计短线除Hynix DDR266和DDR333,其余价格跌幅会收窄,偶尔会有反弹。

  操作上建议,维持合理库存,正常经营,目前仓位不宜太低应处于合理水位,逢低吸纳逢高减磅。

  FLASH方面,前半周由于需求不好,价格一直处在偏软状态,后半周临近10月1长假有了明显的的补货动作,价格有所反弹,由其是8G的NAND FLASH需求较好,又由于供货商货物有限,价格涨势较快,4G和2G的需求也逐渐的显现,价格也趋于回稳,询问价格的商家也较多起来,看来FLASH价格有望反弹。相信Flash的目前的价格反弹也是短暂的,难以持久,进入10月后走势会趋缓的。

  全球DRAM走势报告

  North America北美市场:

  北美市场市场的价格呈现走软迹象,但总体仍维持稳定。PC133的颗粒由于在老一代电脑系统中统治地位而吸引客户的兴趣。PC133具代表性的颗粒平均交易价格处于3.85美金-4.25美金。其它的颗粒价格总体稳定,DDR400(PC3200)的交易前景继续被看好。应对圣诞旺季的需求目前可以说是温和,因为OEM厂家目前还没有进入采购程序因此未能刺激现货市场交易活动。

  Asia/Pacific亚太市场:

  经历了前一天的价格分别下跌了5美分跌至2.55美金后,UTT和OEM 266/333/400 32X8颗粒今天的价格大部分没有变化。市场上部分业者认为由于月末压力价格将有可能继续走软。但部分卖家继续坚守报价不愿低价出货,尽管预期下周价格即将下跌。主要品牌的DDR266/333/400 32X8继续稳定在2.50美金-2.55美金范围内。

  Europe欧洲市场:

  周五的欧洲市场继续迟缓。在度过九月罕有淡季后,业者仍对10月的需求复苏仍保持信心。DRRI的供应由于厂家转产DDRII和Flash变得有限。

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