三星内存减产70%孰真孰假?
昨日台湾地区科技网站爆出新闻,三星DRAM减产70%,此消息一出,内存市场一片风声鹤唳,北京中关村商家再受刺激下单囤积内存,内存价格蓄势待涨。(注:DRAM即“内存颗粒芯片”)
台湾IT网站盛传的DRAM厂家减产图
三星DRAM减产70%,实际可作为代表三星淘汰落后产能的标志。三星DRAM出货量较之以往并未减少,甚至还会略有增加。三星去年以40纳米制程为主,今年开始逐步过渡到以30纳米制程为主(75%),兼顾20纳米制程为辅(25%),采用双管齐下与对手拉开至少1代的距离。20纳米的产能较之30纳米再次提高45%。此长彼消,三星减产并不会对其出货量有影响。
再者三星通过转换先进制程,DRAM的生产成本大幅降低,目前整个DRAM产业仅三星在盈利,实质性减产无异于将市场拱手让给对手。
三星30纳米1600MHz内存早在7月登陆国内卖场发售,一线品牌的8GB/DDR3内存已在海外上市,逼迫其他内存厂家跟进。目前各大内存厂家开始转换生产30纳米的512Mb/256Mb颗粒芯片,DRAM厂家积压大量40纳米~60纳米的256Mb/128Mb颗粒芯片,成品内存厂家则有4GB/2GB DDR3-1333库存需要抛售清理。
笔者仔细查阅,尚无官方版本的三星DRAM减产70%公开声明,何况减产70%的动作如此之大。三星在历次内存行业危机中,一贯是别人减产我增产,在逆境中发展壮大,推动行业洗牌逼迫对手出局,上一轮奇梦达出局,这次将刷掉谁呢?
内存厂家减产50%?超级烟雾弹!
★内存厂家减产50%?超级烟雾弹!!
昨日网上流传的DRAM减产新闻,除了三星DRAM减产70%,还有全球第三大厂日本尔必达减产60%,加上海力士、南科、华亚科、力晶列入其中,全球DRAM产能减少约50%,等于三星DRAM工厂停工,足见来势之凶猛,该新闻不忘叮嘱读者:内存产业将复苏。
图一:2011年1月-9月DRAM产出列表(10月份尚未公布)
据业内网站统计,今年1-9月内存颗粒产出逐月递增,即使7月初尔必达宣布减产25%,7、8、9三月的内存颗粒产出仍逐月递增,并未出现负增长,原因在于其他厂家在转换先进制程中不断提高产能,反超尔必达的减产数量。
★DRAM减产,转产闪存Flash芯片
然而业内人士透露,发文者释放烟雾弹,误读DRAM厂家减产消息,错误引导内存商家和消费者。DRAM产业目前正从40-60纳米过渡到30纳米制程,30纳米制程的产能较之40纳米提高50~60%。可见即使整个DRAM产业减产50%,此长彼消,DRAM产出量持平或者略有增加,和“图一”每月DRAM产出增速大体相当。
32Gb/64Gb MLC闪存芯片价格一路下滑
减产之后难道机器就闲置?其实DRAM厂家将多余产能转产Flash闪存芯片,Flash闪存芯片产能骤增,导致其价格每况愈下,再次形成恶性循环。
DRAM厂家通过转换先进制程,降低生产成本,以30纳米的256Mb颗粒芯片为例,其成本仅为0.65美元,40纳米256Mb颗粒芯片成本则为1.03美元,目前256Mb颗粒芯片的出货均价0.71美元。如果以40纳米工艺制造的内存芯片为参照物,无疑是亏损,但是转换30纳米制程后略有盈余。
造势DRAM减产的烟雾弹文章意欲何为?在于设局引诱国内商家囤积内存,帮助厂家清理库存,推动内存价格上涨。
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