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美光称:20纳米闪存SSD耐久度没问题


    【中关村在线 原创】 作者:孙玉亮 | 责编:孙玉亮     评论

    对于此前Intel与美光已经开始初步应用的20nm制程工艺,业界普遍担心制程进步会带来NAND闪存读写寿命的缩短。不过美光高管近日出面表态称20nm制程由于应用HKMG工艺使得耐久度和25nm产品基本持平。


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    在近期面向分析师的一次财务会议上,美光CFO Ronald Foster表示,作为此前多用于CPU显卡上的制程工艺,HKMG对于支撑闪存读写寿命是必要的,目前Intel和美光认为20nm制程的闪存长期读写寿命不会出现什么问题。

    本月早期Intel与美光的闪存合资机构IMFT正式宣布开始试产世界首个20nm制程128Gb闪存颗粒,应用这一产品,128GB的SSD只需单芯片封装就可制造。该产品的目标面向下一代容量高达1TB的SSD,以及智能手机平板电脑

memory.zol.com.cn true http://memory.zol.com.cn/262/2628771.html report 635     对于此前Intel与美光已经开始初步应用的20nm制程工艺,业界普遍担心制程进步会带来NAND闪存读写寿命的缩短。不过美光高管近日出面表态称20nm制程由于应用HKMG工艺使得耐久度和25nm产品基本持平。     在近期面向分析师的一次财务会...
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