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    中芯国际40nm ReRAM存储芯片已出样

      [  中关村在线 原创  ]   作者:  |  责编:孙玉亮
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      目前在下一代存储芯片的研发当中,除了3D XPoint芯片外还有ReRAM芯片(非易失性阻变式存储器)。

      2016年3月,Crossbar公司宣布与中芯国际达成合作,发力中国市场。其中,中芯国际将采用自家的40nm CMOS试产ReRAM芯片。

      近日,两者合作的结晶终于诞生,中芯国际正式出样40nm工艺的ReRAM芯片。

      据介绍,这种芯片比NAND芯片性能更强,密度比DRAM内存高40倍,读取速度快100倍,写入速度快1000倍,耐久度高1000倍,单芯片(200mm2左右)即可实现TB级存储,还具备结构简单、易于制造等优点。

      另外,按计划更先进的28nm工艺ReRAM芯片也将在2017年上半年问世。

    中芯国际40nm ReRAM存储芯片出样:比NAND快1000倍!

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    memory.zol.com.cn true http://memory.zol.com.cn/277/2775122.html report 538   目前在下一代存储芯片的研发当中,除了3D XPoint芯片外还有ReRAM芯片(非易失性阻变式存储器)。  2016年3月,Crossbar公司宣布与中芯国际达成合作,发力中国市场。其中,中芯国际将采用自家的40nm CMOS试产ReRAM芯片。  近日,两者合作的结晶终于诞生...
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