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为IVB而生 光威单条8G/1600内存评测


分页浏览|全文浏览    【中关村在线 原创】 作者:郑兆远 | 责编:孙玉亮     评论

    英特尔22nm Ivybridge处理器推动内存更新换代,内存频率从sandybridge的1333MHz,提高到1600MHz。光威紧随时代潮流,顺应处理器对内存频率的更高要求,推出单条8GB DDR3-1600内存。


为IVB而生 光威单条8G/1600内存评测
为22nm Ivybridge而生 光威单条8GB/DDR3-1600内存评测

    光威(集团)有限公司是一家在加拿大注册成立的全球顶级内存供应商成立於2002年,总部位基建於加拿大温哥华。在全球多个国家设有办事处(巴西、香港、北京)等。将经营聚焦在「记忆存储」、OEM评测、检测、加工。专业从事计算机软硬件及记忆数码营销、研发、生产及供应,已打造形成全球一体化的内存供应链体系。此次评测的产品,在目前市场中横向来看,光威公司以更超前的眼光扩大技术范围,瞄准未来的存储市场,为单条8GB内存的市场普及身体力行的做着自己的贡献。

光威战将单条8GB DDR3-1600内存介绍

参考价格:349元

为IVB而生 光威单条8G/1600内存评测
光威战将单条8GB DDR3-1600内存的正面

    光威战将单条8GB DDR3-1600内存采用黑色8层PCB版,清晰的走线提供着稳定的电流传输,提供100%的产品兼容及稳定性,满足台式机超频玩家及游戏高手对传输性能的要求。采用目前世界专利制造技术,体积小,散热佳、典型干扰小等特性。正面的左上角带有LED工作指示灯,右上角印有Gloway烫金字样。

为IVB而生 光威单条8G/1600内存评测
光威战将单条8GB DDR3-1600内存的背面

    光威战将单条8GB DDR3-1600内存两侧共有16枚颗粒,内存颗粒100%测试通过率。并且该内存采用厂家独有的防干扰电路设计,稳定可靠的品质,足以让用户心动。

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光威战将单条8GB DDR3-1600内存的标签

    从光威战将单条8GB DDR3-1600内存的标签可以看出,该产品编号为WRBA0000168903,产自中国。单条容量为8GB,CL延迟为11,额定电压为1.5V,工作频率为1600MHz,等效频率为PC-12800。内存类型为DDR3,接口类型为240针DIMM。

为IVB而生 光威单条8G/1600内存评测
光威战将单条8GB DDR3-1600内存的颗粒芯片

    光威拥有多年的BGA内存颗粒封装技术,每条DDR3内存都拥有至少10%以上的超频空间。那在实际测试中其表现如何呢,请跟随笔者进入正式的评测环节。

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