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    内存再度发飙 三星这次玩了个更大的

      [  中关村在线 原创  ]   作者:孙玉亮   |  责编:赵剑楠

      三星目前已经能量产10nm级、最大容量16Gb的LPDDR4内存、GDDR5显存和DDR4内存等。据报道,三星悄悄启动了引入EUV(极紫外光)光刻工艺的DRAM内存芯片研发,基于1ynm。


    报道称,三星最快在2020年开始大量投产使用EUV 1ynm制造的DRAM芯片。目前高通已经确认其5G基带芯片将由三星的7nm代工。

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    memory.zol.com.cn true http://memory.zol.com.cn/691/6917279.html report 274   三星目前已经能量产10nm级、最大容量16Gb的LPDDR4内存、GDDR5显存和DDR4内存等。据报道,三星悄悄启动了引入EUV(极紫外光)光刻工艺的DRAM内存芯片研发,基于1ynm。报道称,三星最快在2020年开始大量投产使用EUV 1ynm制造的DRAM芯片。目前高通已经确认其5G基带...
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