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    三星首发LPDDR5内存芯片 频率高功耗低

      [  中关村在线 原创  ]   作者:孙玉亮   |  责编:孙玉亮

      7月17日上午三星宣布开发出业内首款LPDDR5-6400内存芯片,基于10nm级(10~20nm)工艺。该LPDDR5内存芯片单颗容量8Gb(1GB),8GB容量的模组原型也做出并完成功能验证。

      功耗方面,比LPDDR4X降低高达30%,主要是得益于动态调节电压、避免无效消耗、深度睡眠等技术加入。


      三星的8Gb LPDDR5规格弹性较高,1.1V工作电压下可达6400Mbps,1.05V下可达5500Mbps,供手机、车载平台自行选择。

      新的8Gb LPDDR5内存芯片是三星高端DRAM产品线的一部分,后者已经包括10nm级的16Gb GDDR6显存芯片(2017年12月量产)和16Gb DDR5内存芯片(今年2月份开发完成)。

      三星将在位于韩国平泽市的工厂量产LPDDR5、GDDR6和DDR5 DRAM芯片。

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    memory.zol.com.cn true http://memory.zol.com.cn/693/6936807.html report 585   7月17日上午三星宣布开发出业内首款LPDDR5-6400内存芯片,基于10nm级(10~20nm)工艺。该LPDDR5内存芯片单颗容量8Gb(1GB),8GB容量的模组原型也做出并完成功能验证。  功耗方面,比LPDDR4X降低高达30%,主要是得益于动态调节电压、避免无效消耗、深度睡眠等技术...
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