虽然行业最近一直处于跌价的现状,但是三星最近的大动作可是不少,近日三星宣布首次开发出第三代10纳米级8Gb双倍数据速率的DDR4。
三星1znm是目前为止业界最小的存储器工艺,新的1znm DDR4相较于1ynm生产率可提高20%以上,三星宣称计划将在下半年开始量产1znm 8Gb DDR4,全新开发的1znm DRAM为加速向下一代如DDR5,LPDDR5和GDDR6过渡铺平了道路,这些技术储备将为三星未来创新提供丰厚的动力。
三星副总裁李荣培表示:“我们致力于突破技术领域的最大挑战,推动实现更大的创新。很高兴能再次为下一代DRAM的稳定生产奠定基础,确保性能和能源效率的最大化。随着我们推出1znm的DRAM系列产品,三星将继续致力于支持其全球客户部署尖端系统,并满足高端内存市场的增长。”
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