南科今年资本支出将由去年的470亿元降至400亿元，用于扩充自有12英寸厂产能及调整70纳米制程，预期今年位成长率可由去年的53%增加到78%到80%，同时大幅提升1Gb颗粒产品比重，南科目前1Gb产品比重约25%，预计第二季全部投片都将转成1Gb。
华亚科预估在去年位成长率达112%之后，今年位成长率可望下降到50%，华亚科今年资本支出由去年的440亿元降至300亿元，全数用作制程微缩，短期无新增产能规划。华亚科目前70纳米投片量约占总产能的20%，预计第三季将旗下两座12英寸厂总月产能12万片，全数转换至70纳米投产；除了产出量快速增加，且70纳米制程可较90纳米降低30%-35%的成本。
华亚科也将从本季起以70纳米制程生产下一世代的1Gb DDRI-II芯片，同时计划在下半年导入更先进的58纳米制程试产。
力晶去年资本支出达634亿元，今年资本支出将大幅缩减至351亿元，减幅逼近45%；将主要用在建造第四及第五座12英寸晶圆厂(P4、P5)。技术上，今年第一季将有九成产能以70纳米制程投片，预计农历年后将开始把制程技术推进至65纳米制程；上半年1Gb产出比重将达90%，预期下半年可望达100%。力晶预估今年位成长率为65%至70%，产出增加主要来自于瑞晶。
茂德去年位成长率较06年成长约85%，去年资本支出18.4亿美元。茂德今年资本支出大幅降为6亿美元，预期今年位成长率逾50%。
茂德原预定今年资本支出8亿美元，其中6亿美元用作扩增中科Fab 4的产能，2亿美元用于转换制程，不过，茂德与南韩大厂Hynix(海力士)在70纳米以下制程的合作生变，促使茂德自行投入研发1Gb DDR2，开创国内DRAM厂自行研发1Gb的首例，在70纳米的微缩制程则可望在第三季送样，约明年第1季至第2季量产。
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