中国新年过后，现货市场DDR2 512Mb eTT和DDR2 1Gb eTT在2007年2月13日与2月15日再次跌破1美元及2 美元的关卡，DRAM价格就呈现下滑的走势，DDR2 512Mb eTT现货价从2月12日1.02美元下滑至最低的2月20日0.86美元，跌幅约15.7%，DDR2 1Gb eTT现货价从2月12日2.11美元下滑至最低的2月20日1.66美元，跌幅约21.3%后。上周(2/19-2/25)现货市场出现了止跌回稳的讯号，以一周的平均价格来观察，除了DDR2 512Mb与1Gb价格分别固守在1美元与2美元而未破底之外，上周DDR2 1Gb eTT的现货颗粒价仅微幅下跌约2.3%，DDR2 512Mb eTT的现货价则是出现了上扬约3.4%的状况，就市场人士表示，自去年12月变动成本的议题披露之后，市场普遍视0.8美元为DDR2 512Mb eTT颗价格的底部，当上周价格跌至0.85美元后，现货市场出现补货的迹象甚至投机性的买盘的出现导致价格攀升，但由市场面分析，第一季与第二季本属市场淡季，加上整个现货市场交投清淡，价格应属于短期的反弹，对于后市的价格发展仍需谨慎观察。
而在合约市场方面，二月下旬DDR2 667 1GB的内存模块的平均合约价约落在18美元左右，与二月上旬相比，价格呈现持平的状况，但由于中国新年过后现货市场的颗粒价格跌幅超乎预期，加上各家DRAM厂仍有一定的库存压力且目前为季节性的淡季，对于三月上旬的合约价的议定将有一定的难度，也预期合约价将会力求持平。
在2007年整体的DRAM市场面临极为严峻的考验，全球市场的需求面不佳加上各家晶圆厂不断开出产能，使DRAM价格甚至一度跌至变动成本。根据集邦科技统计，以DDR2 667MHz 512Mb的颗粒为例，2007年的均价比2006年的均价下跌了55%，即使使用12吋厂、70nm生产，都仍是亏损，也加速了标准型DRAM退出8吋厂生产行列。
关于台系晶圆厂的8吋产能去化的部份，力晶方面将于2008年四月份把唯一的8吋厂独立成名为Maxchip的公司，主要生产非标准型DRAM的代工；南亚也将其本身的二座8吋厂转做代工与生产非标准型DRAM，目前比例各为40%与60%；而茂德已将8吋厂移往中国重庆，名为ProQ，预计第一季试产，第二季可以进入量产，也将转做非标准型DRAM与代工。
尔必达已于2007年将唯一一座8吋厂设备卖与中国成芯半导体。奇梦达于德国的八吋厂，将于2008年3月停止生产DRAM，之后转回英飞凌生产逻辑芯片；同时于去年年底终止与中国中芯半导体及台湾华邦电子的8吋厂DRAM代工合约；其于美国的8吋厂，已与Maquarie Electronics (USA) Inc.签订金额2亿8千9百万美金的设备销售再回租的合约。未来此8吋厂将减少投片15%，且以生产非主流DRAM产品(legacy products)为主，生产技术也将由110nm转为80nm。
三星计划将其8吋厂产能逐渐去化，由于产品线广，其8吋厂生产可沿用至2009年；2008年目标以降低标准型DRAM及NAND Flash生产比例为主，同时将DRAM及NAND Flash制程进一步往下转进。海力士与ST合资的中国无锡8吋厂，去年九月已签约售予China Resources(Holding) Co., Ltd.，同时也积极地为韩国目前生产NAND Flash的M9找买主；其余两座8吋厂，将降低标准型DRAM及NAND Flash的比重，提高利基型DRAM及非DRAM产品的生产。
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