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操盘指南:6月12日大陆内存走势报告

dram.com.cn 08年06月12日 【转载】 作者: 责任编辑:王刚

  今日DDR2主要品牌模组价格在外围市场持续上涨的刺激下,呈微幅上涨走势。市场炒作气氛热络,成交量较昨日放大,但市场终端需求一般,市场仍在关注金士顿的价格走向,导致整体成交不大。尾市主要品牌模组1GB DDR2 667价格收于122.00-143.00元之间。DDR1品牌模组价格呈相对平稳走势,需求平淡,贸易活动进行缓慢。尾市主要品牌模组DDR400 1GB价格收于108.00-130.00元之间。

  DDR1非品牌模组呈稍偏软走势,市场需求依然迟缓,买气低迷,成交有限。尾市hynix DDR400 512MB/1GB价格分别收于98.00/190.00元。

  DDR2 UTT方面,整体价格呈小幅上扬走势。市场需求一般,商家询价频繁,贸易活动活络,成交一般。尾市UTT DDR2 1GB/2GB价格分别收于113.00和243.00元附近。

  今日外围市场DDR400 HYNIX 64*8颗粒价格呈轻微下跌走势,尾市价格收于1.56美元附近。UTT DDR2 64*8/128*8颗粒价格继续偏强走势,尾市UTT DDR2 64*8/128*8颗粒价格分别收于1.04和2.15美元附近,颗粒价格明显受制于金士顿的模组价格,未来颗粒价格要想突破仍要看金士顿的脸色。

  NAND FLASH方面,今日整体价格呈稳中偏软走势,部分产品价格继续小幅下跌。市场平静,交易平淡,商家普遍持观望态度,成交不大。尾市Samsung 4GB (K9G)/8Gb(K9G)/16GB(K9L)价格分别收在¥16.1-17.3/18.9-21.00/36.00-37.5之间;HYNIX 4Gb(ut)/4Gb (uf)/8Gb (UU)/16Gb (uu)价格分别在¥11.2-12.00/24.00-25.00/18.00-18.7/30.5-32.00之间。

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