需求低于预期 内存暑假涨价机会不大

　　根据dreamexchange报道，伴随欧美市场第二季PC出货可能低于预期，及三星回收问题产品新闻影响，市场担心该批产品可能流入现货市场造成多余供给，上周DRAM现货市场走势相对弱势，DDR2 eTT 1Gb价格一度跌破2美元，均价一周内高低差达5%，为近期少见跌幅。此波下跌属短线利空导致，市场对DRAM后市仍看好，纵使开始下跌时成交量不大，跌至2美元以下强劲接手买盘浮现，使价格在此止稳。现货指标DDR2 eTT 1Gb五月至今维持在2美元以上盘整。

　　在合约市场方面，几家主要OEM大厂在五月已将价量谈定，纵使近期PC需求略低于预期，五月未谈的较小OEM厂此次仍须接受DRAM原厂涨价。根据集邦科技调查结果，合约均价在六月下旬持续上涨约2.3%。不少DRAM厂表示，目前供应仍然吃紧，对于客户的订单无法完全满足。后续PC需求是否会低于预期，及目标下修程度，将是决定尔后DRAM价格上涨幅度的主要因素。

　　此波DRAM涨势由合约价带领现货价上涨。以目前合约价推算，由22美元的1GB与44美元的2GB模块换算，1Gb颗粒价格为2.38及2.56美元，较品牌1Gb颗粒现货价格2.1美元高，比1Gb eTT价格分别高17%与27%，迥异于过去由现货价带动合约价上涨的型态。造成此一现象主因，在于某台系代工厂产能在07Q4与08Q1大幅开出，造成现货市场供给增加。加上三月份模块厂陆续趁低价买进现货，提高库存水位，导致后续买盘力道减弱，1Gb eTT价格大致在2美元附近盘整，无法跟上合约价位。也因现货价格低于合约价格，部分OEM近期开始与以现货为主的两家DRAM厂接触合作，一旦顺利，未来现货供给多了出口，价格上涨压力将减轻。

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