现货市场处于淡季，成交量低迷乃为正常状况，然现货价与合约价近期呈现反向走势，实较为少见。此波现货价格没跟上合约价上涨，DDR2 eTT 1Gb现货均价反自六月高点2.15美元下跌至6/30的1.97美元，跌幅约为8.4%。纵使合约价在六月呈现缓步垫高走势，原厂在合约市场出现供给吃紧状况，然现货价自六月中旬却径自走跌，至上周才止跌回稳。
现货市场之所以如此，可分供需两方因素加以说明：供给方面，瑞晶今年以来拉高产出，使现货市场供给量增加；在需求方面，对DRAM现货价颇具影响力的中国市场，由于奥运举办在即，近期中国相关部门对货物通关转运安全检查转严，导致商品流动效率下降，部分原应供给至中国的现货因而递延入关。而这些未能如期进入中国的商品，在市场上流窜造成价格疲软，甚至使市场怀疑价格疲软是否肇因于实质需求不振。另外，六月底适逢部分DRAM厂财报季底，现货买家对原厂是否因作帐压力而释出库存产生疑虑，亦使得买方收手观望。
DRAMeXchange认为，上述几个原因中，瑞晶投片量大幅增加时间在1Q至2Q08，2Q08产能达满载，3Q再增加的幅度有限；中国方面，只要不是实质需求不振，奥运后DRAM供需透过市场机制将再趋正常；至于季底作帐因素，至今亦告一段落。另外目前合约高于现货的价差，使OEM采购触角延伸至原以现货市场及模块厂为主要供应对象的DRAM厂，待认证通过，当采购量足够时，将有助于现货市场供给消化。基于上述理由，除非需大幅低于预期，现货价下跌空间有限，未来再回档或盘整后，预期将继续上涨，1Gb eTT指标颗粒向上将有10至20%上涨空间。
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