集邦评盘：内存大幅上扬 闪存不热络

　　今日的DRAM现货市场，DDRII在低价格的刺激下，需求增温，报价跌深反弹，加上买方追货热络，使得整体价格大幅度上扬；而在DDRI部份，买气依旧疲弱，价格仍是缓缓下滑。DDR2 64Mx8/667 主流商标报价约为USD0.45附近，而DDR2 128Mx8/800 价格反弹至USD0.92左右。另外在DDR2 64M*8 eTT的部份，均价约在USD0.53左右；而在DDR2 128M*8 eTT的部份，报价明显上涨接近10%左右，均价来到USD0.96，eTT成交量有增加。

　　在NAND Flash的现货部份，市场多数需求仍集中于8G/16G颗粒，不过整体需求并不热络，目标价仍是偏低，使得成交量明显缩减，而整体价格持续缓缓下跌。Samsung 1Gb / 2Gb / 4Gb(SLC) / 4Gb(MLC) / 8Gb(SLC) / 8Gb(MLC) / 16Gb(SLC) / 16Gb(MLC) / 32Gb(MLC)/ 64Gb(MLC)价格落在USD1.3~1.38 /2.4~2.6/ 3.95~4.05 / 1.55~1.6/ 5.25~5.45 / 2.88~2.92 / 11.5~11.6 / 3.0~4.0 / 5.95~7.0 / 12.9~13.2。而Hynix 1Gb / 2Gb / 4Gb(SLC) / 4Gb (MLC) / 8Gb(SLC) / 8Gb(MLC) / 16Gb(SLC) / 16Gb(MLC) / 32Gb(MLC) / 64Gb(MLC)价格落在USD1.15~1.2 / 1.55~1.65 / 1.5~1.6 / 1.38~1.45 / 3.9~4.05 / 2.9 ~2.95 / 11.4~11.5 / 3.0~4.0 / 5.9~6.85 / 11.0~11.1。

　　今天DDR2市场表现有所回升，需求明显增加，价格开始大幅度上升,成交量增加。DDR1部分市场表现依然比较平静，买气不足,寻货动作少，价格保持平稳下滑，交易情况比较差。DRAM参考价格约为：DDR256Mb(16*16 400)MHzHynix:\$ 0.75-0.86;DDR512Mb(64*8)400MHzHynix:\$ 1.75-1.88;DDR512Mb(32*16)400MHzHynix:\$ 1.45-1.54;DDR2512Mb(64*8)667MHzHynix:\$ 0.42-0.48;ETT(UTT):\$ 0.49-0.55;DDR2 1Gb(128*8)800MHz ETT（UTT):\$ 0.94-1.0。

　　今天的NAND Flash现货部份，市场表现显得有些萧条,寻单动作比较少, 需求主要集中在16G上,但是因为买家目标价太低,无法与供应端达成一致,所以成交单子不多,颗粒整体价格有小幅度下滑,交易量少. Samsung 1Gb / 2Gb / 4Gb(SLC) / 4Gb(MLC) / 8Gb(SLC) / 8Gb(MLC) / 16Gb(SLC) / 16Gb(MLC) / 32Gb(MLC)/ 64Gb(MLC)价格落在USD1.3~1.35 /2.4~2.6/ 3.95~4.05 / 1.55~1.6/ 5.2~5.45 / 2.88~2.95 / 11.5~11.6 / 3.0~4.0 / 5.95~7.0 / 12.95~13.4。而Hynix 1Gb / 2Gb / 4Gb(SLC) / 4Gb (MLC) / 8Gb(SLC) / 8Gb(MLC) / 16Gb(SLC) / 16Gb(MLC) / 32Gb(MLC) / 64Gb(MLC)价格落在USD1.15~1.22 / 1.55~1.65 / 1.5~1.6 / 1.38~1.45 / 3.9~4.05 / 2.9 ~2.95 / 11.4~11.5 / 3.0~4.0 / 5.9~6.85 / 11.0~11.1。

　　今日DRAM市场表现开始也开始有些活跃，国内市场的追货动作频频，需求增加,整体价格开始上升,交易情况有好转。SDRAM部分，需求一般，价格保持稳定，交易量减少。

　　今日NAND Flash市场表现非常冷清,需求疲软,供应端报价也不积极,难以出现成交单子,颗粒整体价格都有小幅度下滑，整体交易量少。闪存卡方面市场表现较前几天稍微活跃，需求增加，1G价格有出现反弹上升,其余大部分价格还是呈现下滑趋势，交易情况一般。