低功耗代表 三星2GB 笔记本内存解析

三星30nm 2GB DDR3L-1600MHz本条

　　广大网友对DDR3-1600MHz台式机内存并不陌生，在超频内存我们就能看到其身影。40-60nm制造工艺的DDR3-1600MHz内存，无法在标准1.5伏电压下长时间承受1600MHz频率，因此内存厂家普遍将超频内存的电压提高至1.65伏。而30nm DDR3内存无需提高电压即可完美支持1600MHz频率，甚至可以在降低电压后仍能保持1600MHz频率。

三星30nm 2GB DDR3L-1600MHz笔记本内存

　
三星30nm DDR3L-1600MHz本条的低电压英文和节能标志

    30nm的内存颗粒芯片较之40nm体积更小，导致三星内存的标签完全将其遮盖，已看不到内存颗粒的外观。先进的内存工艺不仅仅缩小了颗粒芯片的体积，还增加了内存的频率，增强内存的稳定性，降低电压达到节能目的。

三星30nm 2GB DDR3L-1600MHz本条的性能参数说明

    编辑总结：三星存储自2011年3月中旬强势进入中国市场以来，一直有着优异的表现。尤其是在内存疯狂降价浪潮中表现突出。而三星的30nm制造工艺经过1年时间的生产技术积累，正式推向市场，三星30nm DDR3L-1600MHz本条必将引起笔记本内存史上又一次革命，我们拭目以待。