正当中国集中国家意志,以战略高度推进存储芯片产业,英特尔也在积极调整产品方向和生产线所在地,抱紧中国大腿。英特尔刚刚宣布将投入55亿美元在中国大连CPU晶圆厂,将它升级改造为3D闪存生产工厂。
英特尔SSD
今年的IDF大会上,英特尔中重点推介了3D XPoint技术,这种基于电阻非易失性内存存储方案(可应用于DRAM内存、NAND闪存),其理论速度可以比如今的固态硬盘快千倍。
不过从实际应用来看,英特尔更倾向于生产3D NAND闪存,其读写速度也没有理论中那么快,不会和三星、东芝、美光的3D闪存快多少。英特尔表示,中国大连工厂预计将从2016年下半年开始生产3D NAND闪存芯片。值得一提的是,三星更早在西安生产3D闪存。
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