英特尔推崇奇梦达为DDR3技术领导者

　　全球记忆体领导供应商奇梦达公司近日宣布推出第一个以全球最小且未曾发表过的2Gb (Gigabit)记忆体晶片组成的功能模组。透过先进的46 奈米Buried Wordline 技术，奇梦达制造出这款仅有55平方公厘大小的最新2Gb DDR3 DRAM，相较于现今的技术，其生产力获得了显著的提升。奇梦达目前正积极地寻找资金合作伙伴，以便能符合原计于2009年中进行量产的计画。此外，英特尔于近期也对奇梦达在DDR3技术上的领导地位和贡献给予认可与推崇。

　　奇梦达以46奈米技术制成的晶圆可切割出比75奈米技术制成多出三倍的晶片量，并且可使高密度DDR3 (Double Data Rate) 模组大幅减少75%的耗电量。市场上预测DRAM的技术移转将在2009年中从DDR2转换至DDR3，而奇梦达这项新技术便是推动此技术移转的理想平台，且奇梦达的技术发展蓝图也完美地接续了产业的技术转换。

　　奇梦达总裁暨执行长罗建华表示：“藉由发表首款以46奈米技术制造的功能性晶片，显示出奇梦达仍有潜力重拾在DRAM产业中的技术领导地位。我们预期这款新的2Gb DDR3能显著地提高我们的生产力，且在进入量产后能降低位元成本。此外，这款新的晶片能与高密度DDR3伺服器模组完美结合，促使我们成为市场上节能的领导者。”

　　目前奇梦达还未对于公司未来架构做出决定，包括能继续进行业务的部门是否能由奇梦达所有、或纳入新的投资者的新公司之下。若是后者，或无法觅得投资者金援奇梦达的业务存续，奇梦达将可能被破产清算。

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