一周谈:DDR压力依旧 后市走向不乐观

　　本次内存一周谈的时间截止为2005/10/2日，为了使读者能够清晰的了解到近期和今后的DRAM市场走势，我们依然通过上周市场回顾、市场焦点、市场预测、市场操作4个方面来做介绍。

　　市场回顾

　　上周的DRAM现货市场可谓变化强烈，周二公布的9月下旬DRAM合约价全面走跌对市场影响较大，从周三至周末海外市场颗粒报价略微走低，而国内市场方面则反应强烈，现货交易价一路直线下跌，特别是DDR266产品表现尤为剧烈，由于市场上该产品大量现货得不到消化，又面临即将被淘汰出主流渠道的问题，致使市场上出现恐慌性抛货，造成交易价快速下跌。仍旧没有改善的需求状况和市场上充足的现货，是上周现货市场整体表现低靡的主要因素。

　　NAND Flash方面，Samsung 8G由于货源紧张，价格上涨较快，周末价格涨至 \$ 49.50附近；Samsung/Hynix 4G产品也由于需求见旺，均有所上涨；2G产品方面，由于Samsung 2G为降低库存压力，价格一路调低，影响到Hynix 2G产品也有所下跌；1G产品均有所下调，直至周末Hynix1G因需求放大略有回扬。

　　市场焦点

　　集邦科技(20)日公布9月下旬DRAM合约报价呈现走跌，256Mb DDR模组跌幅约2%，介于22美元至24美元区间，平均价格23美元，与原本市场对9月下旬合约价将因返校需求发酵而缓步走高预期有所差异。根据集邦科技最新报价，9月下旬DDR400合约价介于22-24美元，较上旬跌幅在2.04%-2.22%之间，平均价格23美元。同时，集邦科技9月下旬512Mb DDR2合约报价介于48-40美元，跌幅在3.03%-4.76%，平均价格44.6元，DDR2的跌幅大于DDR。

　　许多DRAM厂对于2005年8月时全球DRAM颗粒现货及合约价走势印象深刻，当时报价下跌速度远超乎厂商预期，到了9月DRAM厂吸取前波教训，纷纷调节手上DRAM货源，避免受到"二次伤害"，DRAM厂表示，与其9月底因季底作帐压力而一窝蜂抛货求售，不如先行自行调节存货。

　　据道琼斯（Dow Jones）报导，苹果电脑（Apple）推出iPod nano造成旋风，不仅NAND型快闪记忆体（Flash）供应商受惠，连DRAM供应商也连带吃香。三星电子（Samsung Electronics）日前表示，该公司晶圆厂Line 14产能已全数投入NAND型Flash生产，iSuppli分析师Nam Hyung Kim认为，就长期而言，可达到抑制DRAM供应的增加，带动DRAM价格上扬。

　　据主板厂商透露，Intel芯片组的缺货现象，已经从入门级的915系列扩大到高端的945G系列上。915系列芯片组供应的短缺，已经对高端P4主板的OEM出货造成干扰。同时，它还影响到内存由DDR向DDR2过渡的这个进程。Intel的945G系列支持处于高端领域的双核Pentium D和Pentium 4 6系列处理器。

　　市场预测

　　DDR价格压力依旧 市场走势不容乐观

　　全面走跌的合约价影响着市场，外围调低后市发展的期望值，而随着月底压力的来临，可以预见到本周市场走势不容乐观。外围在调低报价后仍会守在一定价位，而国内市场受期货市场变化的影响，震荡走势本周仍将继续，DDR266/333继续进行调整，而DDR400由于国内现货较少，有望出现行情变化，可重点关注。

　　UTT方面压力没有得到缓解，原厂颗粒价格走低也对其产生影响，有机会出现缓慢走低。DDR II方面则更难翻身，各方面的压力依旧，市场发生好转机会甚微。

　　供求趋于固定 SDRAM价格保持平稳

　　当前SDRAM仍将保持平稳，趋于固定的供求关系造成该产品的市场四平八稳，出现变化的机会不大。

　　需求有所增长 NAND FLASH价格有望上涨

　　Samsung 8G经过上周的持续上涨后，已经逼近 USD 50附近，较高的价位已经让需求方感到压力，本周上涨空间有机会开始收窄。随着海外订单的逐渐增多和8G供应紧张，4G产品开始需求见好，本周有望有较好表现，可重点关注。2G产品随着Samsung价格走低，Hynix受到压缩，上涨空间有限。1G仍将在目前价位出现小幅度波动，难有抢眼表现。

　　价格预测（以下模组价格为主流Hynix品牌）

　　市场操作

　　鉴于之上分析，DDR方面可重点关注DDR400模组本周表现，DDR266/333由于处于调整期，操作风险相对较大，DDR II产品建议继续观望；SDRAM方面继续保持平稳，建议按照实际需求进行贸易操作；NAND Flash4G/8G有望出现上涨，其中4G操作空间相对较为理想，可重点关注，2G产品上涨空间有限，可适量按单进行操作。