一周谈:内存陷入低潮 短期难有转机

　　本次内存一周谈的时间截止为2005/10/23日，为了使读者能够清晰的了解到近期和今后的DRAM市场走势，我们依然通过上周市场回顾、市场焦点、市场预测、市场操作4个方面来做介绍。

　　市场回顾

　　整个星期，国内DRAM现货市场都处在缓慢下跌通道中，海外市场颗粒现货交易价则相对保持平稳。外围方面希望能守住当前价格，尽管交易量缩小造成库存压力，仍不情愿调低报价，国内市场DDR266/333模组由于需求不好受到商家的冷落，和DDR400模组的差价继续拉大，UTT受其影响本周也有所回落。原本有"金九银十"之称的旺季今年无见踪影，整个市场呈现出非常淡静的状况。

　　NAND Flash方面，本周初期继续上涨，由于价格上涨过高超出需求方面的预期，对交易有所抑止，从周中开始有通路商开始放出低价货源，导致市场价格向下调整，市场逐渐开始平静下来，较多客户希望价格下跌后采购，整个星期的贸易量一般，交易动作以满足市场实际生产为主，国内市场由于贸易商补仓动作缺乏积极，库存维持在较低水位。

　　市场焦点

　　全球NAND型快闪记忆体（Flash）近来涨势相当凶猛，原本三星电子（Samsung Electronics）希望借助降价来刺激市场需求，但苹果电脑（Apple）大手笔定下三星高达40％产能后，使三星反而顺势调涨NAND型Flash合约价，因所有NAND型Flash制造大厂产能全数吃紧，此举更让现货市场涨势惊人，到了7日现货价正式超过合约价，再度成为难得一见的黄金交叉。

　　虽然市场认为DDR2要成为市场主流，要等到明年第一季后，但是根据集邦科技全球DRAM产出统计，九月份512Mb DDR2占全球DRAM总产出量比重已达35％，首度超越256Mb DDR的34％比重，所以若说DDR2已成为DRAM厂出货主流产品其实并不为过。如今国内DRAM厂看第四季景气还是乐观，但来自韩国、日本、台湾三地的十二寸DRAM厂产能仍全速运转，第四季不论是DDR或DDR2，供给过剩的压力将较第三季更大。

　　DDR Ⅱ与DDR世代交替时程一再延后，DRAM制造厂DDR Ⅱ库存问题愈趋严重，尤其是一向支持英特尔（Intel）DDRⅡ主流策略的三星电子（Samsung Electronics），更饱受DDRⅡ库存之苦。近期模组厂纷指出，三星为消化高筑的DDRⅡ库存，再度祭出"配货策略"杀手锏，要求模组厂在拿NAND型快闪记忆体（Flash）货源时，需搭配一定数量的DDR Ⅱ颗粒，以类似"强迫买单"方式，间接将DDR Ⅱ库存风险转嫁给台湾DRAM模组厂。

　　市场预测

　　DRAM陷入低潮 短期难有转机

　　当前陷入低潮的市场需要利好的刺激，年底的圣诞效应能否如期出现，是今年市场的最后一根救命草。DDR方面预计本周将出现缓慢下跌的状况，国内外市场本周皆难有良好表现。现在成交价已经跌破许多贸易商的成本价，贸易商希望能艰守到11月，预计本周价格不会出现较大幅度的下跌，继续缓慢下跌的机会甚大。

　　UTT的价格走势一直参照DDR来进行，本周有机会出现窄幅下跌。

　　DDR2完全受到市场抑制，各方面的因素决定着其难有良好表现，只有顺利成为市场主流，才将出现操作空间，短期内几乎没有可能。

　　SDRAM产品继续维持平稳，趋于固定的供求关系决定了该产品市场的特性，本周出现变化甚微。

　　需求见好 NAND FLASH走势看货源

　　由于10月上旬，NAND FLASH价格上涨过快，在拉高到一定价位后，出现通路开始放货牟利，紧张的货源情况在得到缓解后，导致成交价出现正常范围内的区间下调。可以看到，步入10月以来，终端方面的需求持续见好，本周的行情走势主要看现货市场货源供应情况。货源充足的情况下，市场会有机会出现窄幅下调，而一旦货源出现供应紧张，成交价将在需求的支撑下出现上涨。

　　价格预测（以下模组价格为主流Hynix品牌）

　　市场操作

　　鉴于之上分析：DDR方面本周建议减持为主，并保持观望，本周出现操作空间的机会不大；DDR II产品继续观望；SDRAM方面难有变化，建议按照实际需求进行贸易操作。NAND FLASH产品建议主要进行操作终端实际订单的贸易活动，同时，时刻关注市场货源供应情况，货源供应出现紧张的前期，做好风险预测后，可适机买入建仓。

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