尽管是面对年底商战的采购期,需求增加最多的时期,但因供应过剩感强烈,个人电脑用DRAM的批发价格续跌。许多看法指出,下跌趋势仍将持续下去,将促使半导体厂商的获利恶化。
报导指出,批发价格系由半导体厂商与个人电脑厂商每半个月敲定一次。十月下旬出货的部分,DDR型256Mb每个为2.45美元左右,比起十月上旬出货的每个下跌0.15美元,跌幅约为5.7%。新一代产品DDR 2型512Mb产品为每个4.6美元左右,下跌0.25美元,跌幅约5.1%。在此次的价格交涉当中,据日本国内个人电脑厂商指出,个人电脑厂商鉴于价格若急遽下滑,反弹亦大,而“未要求大幅降价”。不过,据大型半导体商指出,受到“台湾半导体厂商向美国个人电脑厂商提出低报价”影响,批发价格尽管是在需求旺季也继续滑落。
DDR型256Mb产品的批发价格,自采购增加(新学期商战)的七月上旬起上扬,但自八月下旬起连续三个半月价格文风不动。十月下旬的价格比起九月下旬,约滑跌11%。供应过剩的DDR 2型512Mb产品,比起八月下旬则下跌约16%。部分半导体厂商指出,以现今DDR 2型的价格无法获利.
公布的10月下旬DRAM合约报价,跌幅在4%至12%间,幅度之大,远超过业界预期,再度让市场跌破眼镜,其中512Mb DDRII跌幅加大,并直接排挤DDRI价格,是业者目前相当头痛的问题。根据最新报价,10月下旬合约价全数下跌,且跌幅由10月上旬的2%至5%,拉大到4%至12%,超过业者预期的3%至5%的跌幅区间。
其中256Mb DDR400均价在2.56至2.25美元间,跌幅4.65%至5.26%;512Mb DDR400均价在5.13至4.63美元间,跌幅6.82%至7.5%;512Mb DDR2-533则正式跌破5美元,均价在4.88至4.25美元间,跌幅11.36%至5.56%。
现在OEM客户皆用DDR II价格来谈DDR价格,加上DDR II价格续跌,DDR价格要开得漂亮很困难,对于未来DDR II、DDR价格看法偏向保守悲观。
今年DDR II价格变成这样,皆以Intel马首是瞻,目前支援DDR2的晶片组持续缺货,使得DDR2采用率仍处低档,市场库存水位高达四至六周,相当于正常库存的一倍多,DDR2的价格压力相当大,使得DDRI价格也受影响。
力晶对DDR2后市价格也抱持悲观看法,认为低阶DDR2价格将会持续走跌,不过相较之下,力晶认为DDR的价格第四季可望持稳。力晶、茂德皆表示,DRAM价格每年不断下跌,是正常产品特性,唯一要做的是加速压低成本脚步,力晶希望终极目标是把未经测试颗粒成本压低至1.8美元。
南科则认为相同容量的DDR与DDR2产品价差将会持续拉近,虽然DDR2市场不如预期理想,但南科目前在DDR2后段封测成本堪称本土业者中最低,整体成本极具竞争力,虽然现货市场仍不稳定,但合约客户状况尚称健康。
不过,受英特尔晶片组缺货影响,南科已下修第四季DDR2出货比重策略,由原预估的50%降为40%;配合市场走势,原以DDR2生产为主的华亚也开始针对512Mb DDR投片。
南韩与日本记忆体业者现代(Hynix)与尔必达(Elpida)近来在DRAM市场上,你来我往,毫不相让。据道琼(Dow Jones)报导,继日本政府应尔必达之请,拟课征现代惩罚性关税27.2%以来,尔必达日前宣布将急速拉高全球DRAM市占,达到20%,以进入全球DRAM前3强为目标,不过,现代不仅将反击惩罚性关税之举,亦将援引茂德(5387)、大陆无锡、以及美国奥勒冈州产能,面临美国、欧盟及日本分别课征高额惩罚税之议。
自2003年以来,美国与欧盟分别针对现代接受南韩政府金援一事,对于海力士现代外销之DRAM课以高额关税,分别为44.29%与34.8%,日本政府也答应尔必达与美光(Micron)之要求介入调查,日前也初判研拟课征27.2%关税;分析师咸认为课税措施对于现代影响有限,另外,尔必达若仅靠隔离现代进入日本DRAM市场,恐仍难将跻身全球前3大DRAM业者。
市调机构iSuppli分析师Nam Hyung Kim指出,尽管现代在日本DRAM市场市占高达16%,远高于在美国与欧盟市占水准,但高关税影响仅有短期效应,由于现代可望在2006年获得茂德产能奥援,再加上2006年底大陆无锡晶圆厂可望展开投产,日本课以重税的影响最多仅有数个月,包括重新验证与产能重新配置的时间。
投资机构Goodmorning Shinhan Securities分析师Myungsup Song则指出,由于日本DRAM市场的需求,多由非个人电脑(PC)应用装置驱动,由于许多高阶消费性电子产品系在日本生产制造,现代并无法完全藉由直接出货到客户的海外工厂,避免课税,分析师估计海力士2006年净利恐将因此损失400亿韩元(约3,800万美元)。
虽然现代不见得能以分散产能的策略,完全避免遭受日本课以重税的风险,但分析师Do Hoon Lee指出,现代尚且具有尔必达所欠缺的优势,即是将产能转移为生产NAND型快闪记忆体(Flash),由于惩罚性关税系针对DRAM课征,因此,海力士扩产NAND型Flash不仅刚好接上当前市场需求正为强劲之际,又可避免遭受课税的缓冲。
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