时间已经悄然临近了2005年的尾声，又一个温馨的圣诞节即将来临。回首这一年，从第一季度起，DDR400内存价格就开始一路下降，不断报出新低，于此同时也迎来了DDR400内存的销售旺季，很多朋友在这段时间里完成了选购和升级。第二季DDR2内存剑走偏锋再次使出价格这把杀手锏，无奈面临有价无市的境地，而且支持DDR2内存的主板更是少得可怜。由于Intel 915平台浮出水面，各厂商开始转产DDR2内存，因此DDR400内存产能有所下降，价格也有所回升，不过伴随着AMD处理器的强势支持，其生命力依然旺盛。第三季随着9X5系列主板的全面推进，DDR2内存赢来了春天，但销售旺季也犹如昙花一现，随着10月淡季的来临而迅速降温；而热销的64位Sempron 2500+和Athlon 64 3000+处理器再次为价格下跌的DDR400内存带来了新鲜的活力。
历史前进的脚步从未停止，无可争议DDR2内存会成为新一代的接班人，DDR400内存也会和前辈们一样退居二线甚至淘汰；但就目前而言这位悍将的确仍然牢牢占据着内存市场的半壁江山，少数内存厂商甚至还出现将DDR2部分产能再次转回到DDR400上来的现象。随着939针Operton144和Operton146两款新处理器的面市，以及部分最新939针Athlon 64单双核处理器和FX-60处理器发布在即，与之搭配使用的DDR400内存生命周期也再次得到延长。可以说DDR400正是凭借搭上了内置DDR控制器的AMD处理器这辆快车，如今才走得更为遥远和稳健。此外，高效的内存利用率也是DDR400生命周期得以延长的一个重要因素，在本次的横评中也可以看出端倪，DDR性能并没有人们想象中的那么差，还是那句老话，内存条永远是看颗粒品质，离开了这一层面，哪怕是DDR2内存其性能也难尽如人意。而本期ZOL内存硬盘频道，将从20款DDR400内存对比测试中，为大家揭晓从市场中随机抽取而来的DDR400内存的性能。哪些品牌产品过硬，哪些颗粒品质更好，哪些内存更好超，让大家真正做到心中有数......
DDR400内存肯定会被DDR2内存所取代，DDR2内存目前良好的普及状况便能很好地说明了这一点，但其淡出的时间一定不是现在，抛开仍在沿用DDR400内存条的Athlon 64处理器不说，单就升级、维修和扩容来说，DDR400内存仍有用武之地。再从匹配角度来看，DDR400双通道内存的带宽刚好与200MHZ外频的处理器相吻，除非你的CPU很能超，否则更大的内存带宽也只是一种浪费，依经验来看能超的CPU毕竟是少数，因此没有必要盲目追求高带宽。不过DDR400内存中也不乏极品，本次评测中就有几款产品可以在DDR550水平以上稳定运行，最高达到了DDR600。另外从带宽上分析，目前市面上的DDR400内存超频后，带宽普遍接近DDR2-533内存，金邦DDR600在默认状态下更是超越了同档次DDR2内存测试的最高成绩，看来DDR内存低延时的优势仍不可小视。
另据消息报道，INTEL为抢回AMD瓜分的低价市场将重新投产865芯片，各内存厂商也纷纷开始转换生产线求应这一策略，DDR400内存的生命周期由此还会进一步延长。看来要想彻底舍弃DDR400内存，除非要等到AMD也投靠DDR2内存的怀抱。时间就是金钱，时效就是真理，适时选购爱机无需等待。
接下来我们就来逐一介绍这次参加测试的每款产品（点击这里）：
英飞凌512MB DDR400内存：
英飞凌512MB DDR400内存正面外观
较受玩家关注的英飞凌内存此次有着不俗的表现，以超频至DDR540的成绩令人叹服。产品整体做工严谨扎实，优选微型贴片电容和电阻排装贴整齐，焊点均匀饱满，顶端VERF去耦电容和旁路校验电阻均无省检，用料相当充足；PCB表面布线清晰明了，同样采用短引线设计，有效降低信号的延迟，充分保证了信号传输的稳定性和可靠性。左侧标贴了产品规格标签，右侧标贴了一张防伪标签。
英飞凌512MB DDR400内存背面外观
PCB背面采用了效果较好的“V”型覆铜效果设计，有效减少了外部电子干扰。
英飞凌512MB DDR400内存规格标签
产品容量为512MB，工作频率为DDR400，工作时序参数为3-4-4-7，最佳可优化至2-3-3-5。生产编号为B3853014，产品编号为HYS64300HU-5-B，产品型号为PC3200U-30330-A0。颗粒选用德国英飞凌原厂BE-5芯片，产地为意大利。
激光防伪标签
产品还提供了防伪标签。
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胜创512MB DDR400内存正面外观
产品采用双面16片内存颗粒规格设计，整体来看产品做工豪华整齐，设计风格严谨扎实。优秀的布线设计大量采用了蛇形布线和145°边角处理，很好保证了信号传输的稳定性；独特的蓝色PCB表面，微型贴片电容和“8PIN”电阻排装贴整齐，焊点均匀饱满，顶端的“VERF”去耦电容也无省检，完全体现出一线品质厂商优秀的设计功底和雄厚的研发实力。产品正面左侧位置标贴了中国质检协会和佳华科技提供的防伪标签，右侧位置标帖了产品规格标签，透露出产品中所蕴含的稳重气息。
胜创512MB DDR400内存背面外观
产品背面依然采用了优秀的做工工艺，艺术化的布线设计及铜层镶嵌，为产品提供了可靠的安全性和稳定性。
胜创512MB DDR400内存规格标签
产品规格标签上标注了内存容量为512MB，工作频率为DDR400，颗粒规格为32Mb×8，生产编号为MPXC22D-38KT3B，产品编号为R53002201001。产品工作电压为2.6V，时序参数为2.5-3-3-7，最佳可优化至2.5-3-3-5，表现不俗。针脚数为184PIN，采用DDR-DIMM接口规范。
关公红心防伪颗粒
内存使用了关公红心做为防伪识别。在蓝色PCB板正面第四颗颗粒的位置设定了一颗红色Coding颗粒，而且特殊应用的芯片内加入了ID CODE（全球统一识别码），使得每一条内存均具有唯一性。
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金邦512MB DDR400千喜内存：
金邦512M DDR400内存正面外观
这款产品采用双面16内存颗粒规格设计，小板型PCB幅面开阔，用料充足，使用优选贴片电容和“8PIN”电阻排。PCB表面布线清晰明了，短引线设计有效避免了引线间的电子干扰，有效增强了信号传输的稳定性。产品左侧标贴有激光防伪标签，中央标贴有规格标签，SPD芯片放在了右侧位置。
金邦512M DDR400内存背面外观
背面采用过半覆铜设计，进一步保证了内存运行的稳定性和可靠性。
金邦512M DDR400内存规格标签1
金邦512M DDR400内存规格标签2
产品容量为512MB，工作频率为DDR400（相当于PC3200），工作时序为3-4-4-8，最佳时序参数可优化至2-3-3-5。产品编号为P216L646D2TG5NKT5I056380。
金邦512M DDR400内存颗粒特写
标有“GEIL（金邦）”字样的内存颗粒，采用32x8bit规格制造，总位宽为64bit。颗粒编号为GL3L32G88TG-5A，工作响应时间为2MS，产于2005年第34周。
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金邦512MB DDR600超频内存：
金邦512MB DDR600外观
产品表现使用大量贴片电容和8PIN电阻排，颗粒装贴整齐，焊点均匀饱满。PCB使用专业六层PCB，充分保证了内存条的稳定运行。PCB引线排布清晰明了，窄板PCB应用也进一步缩小了引线的长度，有助于降低信号传输的延迟和引线间的信号干扰，充分保证了信号传输的可靠性和稳定性。产品规格标签粘贴在了右侧位置。背面依然采用过半覆铜效果有助于减弱电子干扰。
金邦512MB DDR600规格标签
由于颗粒选用韩国三星原厂极品TCCD芯片，故超频能力非常强悍。产品容量为512MB，工作频率一种为DDR600，此时默认时序参数为2.5-4-4-7，DDR600工作状态下最佳可优化至2-3-3-5，明显要优于DDR2内存，带宽更是达到了惊人的6.758GB/S；另外一种参数为常见的DDR400，此时默认时序参数为1.5-2-2-5，也明显优于同规格产品，性能较为强劲。产品编号为GOS1GB3200DC，整个模组封装于台湾。
金邦512MB DDR600内存PCB编号及层数标识
PCB编号为B6U808，层数为6层专业底版。
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迈威512MB DDR400内存：
迈威512MB DDR400内存正面外观
迈威自主研发设计的PCB基板个性鲜明，布线清晰明了，大量采用蛇形布线和145°边角处理。内存颗粒较为贴近PCB边缘，引脚焊接牢靠排列整齐。从整体来看做工严谨扎实，微型贴片电容和8PIN电阻排装贴整齐，焊点均匀饱满。正面左侧粘贴了产品规格标签，右侧粘贴了防伪涂层标签，产品采用双面16内存颗粒规格设计。
迈威512MB DDR400内存背面外观
PCB背面采用了良好的覆铜效果设计，有助于减少电子干扰。
迈威512MB DDR400内存规格标签
产品容量为512MB，工作频率为DDR400，时序参数为3-4-4-8，最佳可优化至2-3-3-5，产品编号为MKL3208D5T-MD4。工作电压为2.6V，针脚数为184PIN，整个模组于2005年第3周产自香港。
迈威512MB DDR400内存防伪标签
产品提供了由中国质检协会提供的防伪涂层标签，可通过拨打8008108315免费电话加以查询。
宇瞻512MB DDR400内存正面外观
如果说哪种品牌内存可以做到始终保持品质如一的话，至少宇瞻要算其中一位，貌视平平的做工却暗含着其严谨扎实的设计功底。在颗粒的选取上宇瞻也保持了一贯的高品质原则，相较于同价位产品性能出众。本次参测内存采用双面16内存颗粒规格设计，PCB表面布线清利整洁，短线程设计进一步降低了信号的延迟，并减小了引线信号的相互干扰。专业六层PCB设计，进一步保证了产品运行S时的稳定性和可靠性。优选微型贴片电容和8PIN电阻排装贴整齐，焊点均匀饱满，体现出一流的做工工艺。产品表面还粘贴一枚铝合金“APACER”商标，即利于辨识又起到辅助散热的功效。PCB编号为48.16118.08G，产品规格标签粘贴在了右侧位置。
宇瞻512MB DDR400内存规格标签
产品容量为512MB，工作频率为DDR400，生产编号为77.10736.19G，产品编号为2004152-00026。工作电压为2.6V，时序参数为3-4-4-7，最佳可优化至2.5-3-3-5，当超频至DDR480的时候双通道带宽已达6.110GB/S。
宇瞻512MB DDR400内存金手指特写
产品同样使用技术较为成熟的化学镀金制造工艺。
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电话：010-82535798 / 13311316928
胜创512MB DDR400内存外观
由于采用BGA封装内存颗粒，整个幅面显得较为宽松，且散热效果要好于TSOP封装内存条。产品用料相当充足毫无省检，优质微型贴片电容和电阻排装贴整齐，焊点均匀饱满，技术一流。引线处理细致到位，很好控制了引线间的相互干扰，充分保证了信号传输的稳定性。产品规格标签粘贴在了右侧。
胜创512MB DDR400内存规格标签
产品容量为512MB，工作频率为DDR400，颗粒规格为32Mbx8bit，生产编号为MPXC22D-38KS3G，产品编号为E57000901001。工作电压为2.5V，默认时序参数为3-4-4-7，最佳可优化至2.5-3-3-5。
胜创512MB DDR400内存颗粒特写
标有“KINGMAX（胜创）”字样的内存颗粒，生产编号为560392L，颗粒编号为KDL388N4LA-50。
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麒仑512MB DDR400内存：
麒仑512MB DDR400内存正面外观
作为业界新秀也是本年度较受关注的黑马——麒仑内存，凭借优良的做工品质和不俗的超频能力，逐渐赢得了不错的市场口碑。本次参测的麒仑512MB DDR400内存，采用双面16内存颗粒规格设计，专业六层PCB基板布线清晰明了，用料充足。麒仑内存同样提供了“KEYRAM”烫金字用于防伪识别，且微型贴片电容和8PIN电阻排采用业界领先的SMT韩国贴片技术，从而保证了优秀的产品品质。其内存颗粒也都是精挑细选SAMSUNG、Hynix、力晶出产的A级品，具有超长时间耐高温的特性，在稳定性和可靠性上有了更好的保证。产品规格标签粘贴在了左侧位置。
麒仑512MB DDR400内存背面外观
麒仑512MB DDR400内存规格标签
产品容量为512MB，工作频率为DDR400，产品编号为NY050620262，热线号码为8008309227，官方网址为WWW.KEYRAM.COM。最佳时序参数可优化至2-3-3-5，超频至DDR480时双通道带宽为6.1GB/S，较为出色。
麒仑512MB DDR400内存PCB编号
PCB编号为BP MLL E186014。
金手指特写
产品使用技术较为成熟的化学镀金制造工艺，色泽纯正光亮。
勤茂512MB DDR400内存正面外观
该内存条正面左侧标贴了勤茂公司提供的激光防伪标签，右侧标贴了产品规格标签。该产品采用了宽板设计，双BANK16内存颗粒规格制造，PCB表面布线清晰明了，很好的运用了蛇形走线和145°边角处理，并且表面覆铜效果显著，保证了良好的电气性能。SPD芯片放置在了内存条的右侧位置，电容电阻排装贴整齐，焊点均匀饱满，从整体做工来看，设计风格严谨扎实，体现出了厂商优秀的生产工艺。
勤茂512MB DDR400内存规格标签
产品容量512MB，频率为DDR400（相当于PC3200），电压为2.5V，CL延迟为2.5，时序为2.5-3-3-8，最佳可优化至2-3-3-5，表现优秀。内存编号为：M2G9J16AHAMK9FO81CADT;产品型号为：M2G9J16A-MK;产品序列编号为：535W55M26874755。产品针脚数为184，接口类型为DDR-DIMM。
勤茂512MB DDR400内存激光防伪标签
勤茂独有的炫彩激光防伪标签，方便读者选购时用以辨认真伪。
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产品PCB正面
产品采用双面16颗粒内存规格设计，整体来看产品做工严谨扎实，PCB表面布线清晰明了，大量采用蛇形布线和145°边角处理。微型贴片电容和8PIN电阻排装贴整齐，焊点均匀饱满，完全体现出了一线大厂一流的做工品质。在产品PCB的正面左侧位置标贴了产品规格标签，右侧标签了产品防伪标签。
产品PCB背面
Kingston DDR400 512MB内存背面同样做工精致。
产品规格标签
在产品规格标签上标注了：内存ID号码(Module ID#): 9905216-007.A00；产品序列号码(Serial #): 2042616-0578960；安全序列号码(Security ID#):ATMI1690501。
内存颗粒特写
大名鼎鼎的Infineon（英飞凌）内存颗粒，有人将Infineon称为西门子（Siemens），事实上英飞凌的前身就是西门子半导体公司，在SDRAM时代，我们经常看到Siemens字样的内存，但如今Infineon早已独立，所以不再叫它西门子内存。有些人看到芯片编号中有“HYB”字样，便误以为是现代（HYUNHAI）的内存芯片，那可就大错特错了，“HYB”是英飞凌进入DDR和DDR-2时代后进行统一编号所选用的代码，而现代内存芯片编号是以“HY”开头的，这也难怪会有人认错，大家以后可要记清楚了。CE-5内存颗粒的规格为32M×8bit，总位宽为64bit，颗粒速度为-5 NS（等同于DDR400或者PC3200），编号为HYB25D256800CE-5，产品编码“HYB”之后的25代表内存工作电压为2.5V，D代表为DDR内存，末尾数字5代表颗粒速度，另外还标注了芯片生产于2005年第28周。
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金泰克512M DDR400内存正面外观
产品采用双面16内存颗粒规格设计，整体做工严谨扎实，用料相当充足，无任何缩水迹象。PCB表面布线清晰明了，良好的布线设计也为信号的稳定传输提供了坚实的保障。微型贴片电容和8PIN电阻排装贴整齐，焊点均匀饱满，顶端VERF去耦电容也无省检，体现出了优秀的做工工艺。中央同样采用了“KINGTIGER”烫金字作为防伪识别。左侧粘贴有一张产品规格标签，右侧粘贴了一张防伪标签。
金泰克512M DDR400内存背面外观
背面同样使用较为出色的做工工艺，虽然采用双面规格设计，但依然采用了防电子干扰效果较好的“B”类覆铜设计。
金泰克512M DDR400内存规格标签
产品容量为512MB，工作频率为DDR400，产品编号为KTGVB33D 38FD4R，生产序列号为E054000512400。最佳时序参数可优化至2-3-3-5。由于采用优质A级现代内存颗粒，参测的这款金泰克内存最高可超频至DDR520，带宽可提升至惊人的6.579GB/S，表现抢眼。
金泰克512M DDR400内存颗粒特写
现代DT-D43内存颗粒超频性能优异，采用32MBx8bit规格设计，颗粒编号为HY5DU56822DT-D43，于2005年第32周产自韩国。
金手指特写
内存金手指采用效果较好的电镀金制作工艺，进一步延长了产品的使用寿命。
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创见512MB DDR400内存正面外观
作为全球及亚太地区的知名企业，创见拥有强大的研发实力。从产品的外观来看，采用了较为常见的双面16内存颗粒规格设计，墨绿色PCB基板布线简洁明了，线程较短有助于降低信号延迟。优选微型电阻排装贴整齐，用料充足，整个幅面干净整洁，非常利落。借助扎实的设计功底，这款产品很好的控制了引线走位。产品规格标签粘贴在了左侧位置，激光防伪标签粘贴在了右侧位置。产品容量为512MB，工作频率为DDR400，时序参数为3-4-4-7，最佳可优化至2-3-3-5，表现出色。
创见512MB DDR400内存背面外观
从PCB标注来看，整个模组封装于台湾。
创见512MB DDR400内存颗粒特写
标有“JETRAM”字样的内存颗粒，编号为J56D3AT-5，产于2005年第18周。
创见512MB DDR400内存金手指特写
产品采用技术较为成熟的化学镀金工艺，色泽纯正光亮。
世迈512MB DDR400内存：
世迈512M DDR400内存正面外观
产品采用了双面16内存颗粒规格设计。从整体来看产品做工严谨扎实，墨绿色常规PCB表面大量采用蛇形布线和145°边角处理。原有的耦合校验电路也采用了整合处理，独特的布线工艺不仅使得这款产品具备了独特的智能调节功能，也进一步加强了信息传输的可靠性和稳定性，充分展现出了产品的另类特质。产品采用优选微型贴片电容和8PIN电阻排，焊点均匀饱满，无任何缩水迹象，完全体现出了国际大厂一流的做工工艺。产品的正面左侧位置标贴了内存规格标签，SPD芯片位于产品的正面右侧位置。尽管产品采用双面设计，背面依然采用了“B”类覆铜效果，尽可能的保证了产品的抗电子干扰性能，进一步提升了产品的稳定性。
世迈512M DDR400内存规格标签
产品容量为512MB，工作频率为DDR400，时序参数为2.5-4-4-7，最佳可优化至2-3-3-5，最佳可超频至DDR460。产品编号为M2G9J16A8AMK9F081CADT，产品型号为M2G9J16A-MK，生产编号为526X58M01384161。
世迈512M DDR400内存颗粒特写
标注了“SMART”字样的内存颗粒，采用TSOP封装，规格为32MB×8bit，模组总位宽为64bit。颗粒上还标注了生产编号：D32M8XS5BH3X4CPM，产于2005年第25周。
世迈512M DDR400内存PCB编号
PCB编号为B4U809，层数为6层。
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金邦512MB DDR400白金内存：
金邦512MB DDR400内存正面外观
配备了亮银色散热片的金邦512MB DDR400内存显得尊宠华贵，同时也带来了更好的散热效果，为产品的稳定运行及超频至更高水准提供了保证。从整体来看产品做工稳重扎实，布线工艺成熟，毛料精良，焊点饱满，同时采用了专业的六层PCB基板，为产品的稳定运行提供了可靠的保障。右侧标贴有防伪标签。
金邦512MB DDR400内存规格标签
产品容量为512MB，工作频率为DDR400，产品编号为G216L6464D2TG5NKT5I009998，时序参数为2.5-3-3-6，或稳定运行于DDR500，此时双通道带宽为6.355GB/S，成绩较为出色。工作电压为2.6V，内存颗粒采用32MBx8bit规格，针脚数为184PIN。
金邦512MB DDR400内存防伪标签
在防伪标签上同样标注了一些规格参数信息，生产编号为GE1GB3200BHDC，整个模组封装于台湾。
金邦512MB DDR400内存层数标识
产品在右侧还用数字标注了PCB的层数，金手指采用技术较为成熟的化学镀金制造工艺，金层厚实，耐磨性能更好。
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劲永512MB DDR400内存：
劲永512MB DDR400内存正面外观
产品使用双面16内存颗粒规格设计，整体做工严谨扎实，PCB表面布线清晰明了工艺精湛，大量采用优质贴片电容和电阻排，焊点均匀饱满，并采用专业六层PCB基板。左侧标贴了产品规格标签，SPD芯片放在了产品的右侧。
劲永512MB DDR400内存背面外观
产品表现引线较少是这款产品的特点，虽然为双面设计但仍然采用了效果较好的“B”类覆铜效果设计，增强了产品的抗电子干扰能力，进一步提高了产品的稳定性和可靠性。
劲永512MB DDR400内存规格标签
产品容量为512MB，工作频率为DDR400，工作电压为2.5V，产品编号为0114-05B1，生产编号为MDAD-421HA。工作时序为3-4-4-7，最佳可优化至2-3-3-5。
劲永512MB DDR400内存PCB编号
PCB编号为BP MLL E186014。
黑金刚1GB DDR400内存正面外观
黑金刚1GB DDR400内存采用双面16内存颗粒规格设计，整体做工较为出色，PCB表现布线清晰明了，风格同宇瞻DDR400内存几乎一样，有所不同的是在产品中央提供了一个发光二极管和采用双色PCB基板，且PCB表面提供了“黑金刚”和“KINGBOX”字样。左侧粘贴有一张产品规格标签，右侧粘贴有一张防伪涂层标签。
黑金刚1GB DDR400内存背面外观
“B”类覆铜效果减少了外界电子干扰，进一步保证了产品的稳定性和可靠性。
黑金刚1GB DDR400内存规格标签
产品容量为1GB，工作频率为DDR400，工作电压为2.6V，针脚数为184PIN，整个模组封装于台湾。最佳时序参数可优化至2.5-3-3-5。
黑金刚1GB DDR400内存金手指特写
产品使用技术较为成熟的化学镀金制造工艺。
防伪涂层标签
产品还提供了防伪涂层标签，刮开防伪涂层后可通过拨打8008106046免费电话或登陆网址www.z315.com.cn加以查询。
威刚512MB DDR400内存正面外观
加装了亮红色散热片的这款威刚Vitesta（红色威龙）512MB DDR400内存选用了同为红色PCB基板，“A-DATA”和“Vitesta（红色威龙）DDR400”字样非常的抢眼。产品采用了双面16内存颗粒规格规格设计，从产品的整体做工来看严谨扎实，优选微型贴片电容和8PIN电阻排装贴整齐，焊点均匀饱满。PCB基板布线设计也非常的独具特色，精心设计的走线排布清晰明了，超短程的布线也为减小信号的延迟以及引线间的信号干扰起到了很好的控制作用。产品的正面右侧位置标贴了产品规格标签。
威刚512MB DDR400内存规格标签
产品容量为512MB，工作频率为DDR400（等效于PC3200），生产编号为MDOAD5F3H4730N1E02，产品编号为533XR（ADBGB1916）。产品工作电压为2.6V，工作时序为3-3-3-7，最佳可优化至2-3-3-5，针脚数为184PIN。
威刚512MB DDR400内存PCB编号
PCB编号为D68001H，产品采用了标准的六层PCB基板，有效保证了工作时的稳定性。
华鑫512MB DDR400内存：
华鑫512MB DDR400内存正面外观
加装了蓝色铝合金散热片的华鑫512MB DDR400内存，采用双面十六内存颗粒规格设计，做工出众，优选微型贴片和电阻排装贴整齐，焊点均匀饱满，无任何缩水迹象。PCB布线技术成熟，短引线设计有助于降低信号延迟，清晰明了的走位也减弱了引线间的相互干扰。左侧粘贴了一张产品规格标签，右侧粘贴了一张防伪标签。
华鑫512MB DDR400内存规格标签
容量为512MB，工作频率为DDR400，时序参数为2.5-4-4-7，最佳可优化至2-3-3-5。
华鑫512MB DDR400内存防伪标签
产品上标贴由中国质量检验协会提供了防伪标签，揭开表层将得到的防伪码通过拔打8008106046免费电话或发短信至916046辨别真伪。官方网址为www.huaxin163.com。
金士刚512MB DDR400内存正面外观
采用美光颗粒的金士刚512MB DDR400内存为双面16内存颗粒规格设计，外观奇特非常容易辨认，整体做工严谨扎实，PCB表现布线设计清晰明了毫不凌乱，微型贴片电容和8PIN电阻排装贴整齐，焊点均匀饱满。金手指采用技术较为成熟的化学镀金制造工艺，并采用专业六层PCB基板，满足布线设计需求，进一步保证产品的稳定性和可靠性。
金士刚512MB DDR400内存背面外观
为了减少外界电子干扰，产品采用了较果较好的“B”类覆铜设计。
金士刚512MB DDR400内存规格标签
产品容量为512MB，工作频率为DDR400，产品序列号为9208118 D86.755，产品型号为KIN400X64C3L，产品编号为SN0508MM0072。工作电压为2.6V，整个模组封装于台湾。产品时序参数为3-4-4-7，最佳可优化至2.5-3-3-5。
颗粒特写及PCB编号
产品PCB编号为B6U808，层数为6层。
金士刚512MB DDR400内存防伪标签
产品还提供了密码防伪标签，可揭开表层将见到密码通过拨打8008305315免费电话加以真伪辨认。
南方高科512MB DDR400内存：
南方高科512MB DDR400内存正面外观
这款产品的做工可以用豪华来形容，严谨扎实的做工，充足优质的用料，加上雄厚的布线研发实力，缔造出一款新颖另类的内存产品。PCB引线设计大量采用蛇形排布和145°边角处理，微型贴片电容和电阻排装贴整齐，焊点均匀饱满，无任何缩水迹象，体现出优秀的做工工艺。左侧粘贴了一张产品规格标签。
南方高科512MB DDR400内存背面外观
产品背面同样采用了优秀的做工工艺，较为独特的是SPD芯片放在了背面的左侧位置。
南方高科512MB DDR400内存规格标签
产品容量为512MB，工作频率为DDR400，时序参数为2.5-4-4-7，最佳可优化至2-3-3-5，较为出色。产品编号为M2G9J16ASAMK9F081ACADT，产品型号为M2G9J16A-MK，生产编号为540M55M96280252。
南方高科512MB DDR400内存PCB特写
产品PCB正面右侧位置标注了“南方高科（SOUTEC）”烫金字，颗粒上标注了“M.TEC（勤茂）”字样，编号为TD7608F8E501，产于2005年第39周。金手指采用了技术较为成熟的化学镀金制造工艺，色泽纯正光亮。
推荐经销商：北京中关村鼎好4419#柜台
联系电话：010-82697013
黑金刚512MB DDR450内存正面外观
黑金刚512MB DDR450采用标准PCB板型设计，做工方面和主流产品一样保持了严谨扎实的风格，用料充足。双面16内存颗粒规格，窄板型设计，同样配有光电二极管和各种烫金字样，只不过产品在颗粒的选取上更为严格。左侧粘贴有一张规格标签，右侧粘贴有一张防伪涂层标签，这在其产品当中都是一样的。
黑金刚512MB DDR450内存背面外观
黑金刚512MB DDR450内存规格标签
产品容量为512MB，工作频率为DDR450，针脚数为184PIN，工作电压为2.6V，整个模组同样封装于台湾。最佳时序参数可优化至2-4-4-7，最好超频成绩为DDR480，此时双通道带宽为6.11GB/S。
黑金刚512MB DDR450内存金手指特写
产品使用技术较为熟的化学镀金制造工艺。
内存测试平台及测试项目介绍：
在本次测试中为了更大限度的发挥DDR内存的性能，这颗3000+处理器是我们挑选过可以达到300外频的一颗极品CPU。DFI LanParty NF4 Ultra-D主板是非常受到发烧友欢迎的一款发烧级主板。该主板采用nVIDIA NF4 Ultra芯片，用户可以通过修改主板芯片上的电阻来改造成SLi模式，除此之外该款主板用料做工极为丰富，全部采用高品质的KZG电解电容。由于本次测试的重点是内存，所以在显卡的搭配上我们并没有使用过于高端的显卡，仅仅使用了一款入门级的6600LE。
为了发挥出参测产品的真实性能，我们还备用了另外两套测试平台，成绩选用最好的分值，其它配件请见下面表格：
| ZOL 23款DDR内存横评 测试平台配置介绍 | ||
| 处理器 | AMD Athlon64 3000+ 1.8GHz AMD Sempron2500+ Intel P4 3.2C | |
| 内存 | 23款DDR内存 | |
| 主板 | DFI LanParty NF4 Ultra-D 昂达热力狂飙（NF4-4X） Abit IC7MAX3(875P) | |
| 显卡 | ELSA 6600LE GPU: NV43V | |
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希捷酷鱼7 120GB, 2MB , 7200 rpm | ||
| 光驱 | DVD-ROM Benq (16x)DVD RW | |
| 电源 | 全汉蓝瀑 ATX 12V 2.0, 400 W | |
| 软件 | ||
| 芯片组驱动 | nVIDIA公版6.6 | |
| 显卡驱动 | NVIDIA 78.01公版 | |
| DirectX | 版本: 9.0c | |
| 操作系统 | Windows XP Professional2600+Service Pack 2 | |
测试前准备：
为了确保测试中尽可能地避免影响，特对操作系统进行了如下优化：
1.在“显示属性”中将桌面分辨率设定为1024x768，色深为32-bit
2.在“显示属性”的“高级”选项中，将显示器刷新率设定为85Hz
3.关闭“系统视觉效果”：右击桌面上“我的电脑”，点击“高级”-“性能”，在设置选项中设置为“调整为最佳性能”。
4.关闭“系统恢复”：右击桌面上“我的电脑”，点击“系统还原”选项卡，关闭系统还原功能。
5.关闭Windows Update：右击桌面上“我的电脑”，点击“自动更新”选项卡，然后选择“自动关闭更新功能”。
6.关闭屏保
在软件的测试方面我们使用的软件有：Sisoft Sandra 2005 (MemoryTest)、Super Pi4M、 PCmark04memroyTest。
超频测试进行时，环境温度维持在28°C。将PCI、PCI-E总线运行频率分别锁定33MHz和100MHz。
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SiSoftware05默认频率内存测试：
在本项的测试中，除了南亚易胜内存的成绩有些略低之外，所有内存的成绩都相差无几。在测试中来自金邦的GEIL one DDR600内存，凭借优秀的时序在测试中排在第一的位置。威刚的红色威龙、创见、金士顿内存也都表现不错。
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SiSoftware05超频后测试成绩：
这里我们要说明的是：超频测试的主要目的是检测23款内存可以达到的最高频率，我们采用了CPU与内存同步的超频测试方式，受产品颗粒、PCB版布线的影响，超频的幅度不同，所以柱状图不作为衡量产品性能依据。
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这里我们可以看到金邦的Geil one DDR600内存凭借TCCD颗粒出色的超频性能在测试中一马当先，金泰克及英飞凌原厂内存分别排在第二、第三的位置上。测试的大部分内存都可以在DDR466的频率下工作。
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Pcmark04默认及超频测试:
在Pcmark04的默认测试中同样出现了与SiSoft05中成绩相差无几的情况，从下面的图表中我们可以看到几乎没有很大的差距。
（PCmark04默认测试成绩，点击放大）
（PCmark04超频测试成绩，点击放大）
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SuperPI默认及超频测试：
在SuperPI的测试中，除了频率的高低影响时间之外，内存的延时高低也是影响成绩的一个重要因素，在下面的柱状图中有些内存仅仅比其他内存快了一秒，大家可不要小看这一秒呦！
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产品超频性能对比测试：
通过以上图片我们可以清楚的看出：本次测试的DDR内存中，超频性能够达到DDR500以上的产品并不多，金邦GEIL ONE凭借惊人的DDR600成绩傲视群雄。此外金泰克、金邦白金条、英飞凌三款产品表现也非常喜人。
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05年的内存横评已经变了一个味道，之所以这样说主要是因为：本次测试可以看作是DDR内存的一次评测，另一方面大家都知道，在今年Intel已经放弃了对DDR内存的支持，全面转向对DDR2和PCI-E平台的支持，而可以支持DDR内存的Intel低端915P及以下系列芯片组也已经停产。而唯一支持DDR内存的只有AMD一家，包括主流754和939接口的AMD Athlon64及Sempron等处理器。就上述几点看，本次测试也是对AMD处理器兼容性的一次检验。在兼容性的测试中，我们使用了四颗不同核心的CPU、另外还有两款nForce4主板及一款875P主板。大家都知道AMD Athlon64处理器的内存控制器集成在CPU的内部，除了对系统性能提升之外，另一方面对内存的兼容性要求更为严格。在检测中我们发现FX系列处理器均存在着不同程度的兼容性问题，在两款nForce4主板上都遇到过内存点不亮的情况以及蓝屏的问题。这也是我们最后选择E6版3000+来测试的主要原因。
从测试成绩上看，在默认频率下所有内存的性能差异相差无几，在Sisoftware05中表现出来的性能差距主要是体现在默认by SPD参数下的区别。从更加严格的意义上来看SuperPI的测试更为准确。比较遗憾的是在超频测试中仅有少数内存可以在DDR500的频率下稳定运行，而更让我们感到有一点点失望的是仅有金邦的GEIL one内存可以在400频率下以2.0-2-2-5甚至更低的参数来运行。如果你是一位对内存参数要求极为苛刻的玩家，本次测试的大部分内存并不能满足你的胃口。但同过我们在默认频率下的SPD截图的参数来看，大部分内存条可以在DDR400A的参数下工作，但也有一至二根内存是在DDR400C的参数下工作。从稳定性方面来讲测试中默认SPD参数是DDR400C的内存条完全可以通过手工优化达到最佳效果。
关于超频方面：三星TCCD颗粒有着很强的超频性能，大名鼎鼎的英飞凌在本次测试中也表现不错，另外现代D43颗粒的超频性能我们也不能小看。而经典的华邦BH-5颗粒没有在本次横评中出现，主要原因是该款颗粒已经停产。细心的朋友经常逛逛市场或许还可以找到。记得在今年3-4月间DDR内存降价的时候，勤茂曾经到过一批编号为1A4T（最后四位，是产品的P/N编码）的内存，有256MB和512MB两种不同规格容量。这批内存的颗粒就是很难寻觅的BH-5，买过的朋友不妨留意一下，如果您手中正巧有1A4T这批编号UTT颗粒的内存不妨可以在DFI的主板上试一试，在默认DDR400的频率下可以达到1.5-2-2-5的优秀参数，在2.5-3-3-5的频率下体制比较好的颗粒甚至可以达到DDR500的频率，但要记住BH-5颗粒的内存只有在加到3.3V左右的内存电压才可以真正发挥出自己的性能来。
在选购方面我们给大家提一些建议：在老平台升级方面，我们建议大家尽可能搭配与原内存相同品牌相同颗粒的内存条，如果没有相同品牌的内存条，选择相同颗粒的也可以代替。现代D43、英飞凌、三星TCCD颗粒的兼容性都非常不错。
国外玩家使用什么内存品牌？大名鼎鼎的海盗船当属其一了，其次还有芝奇、OCZ、GEIL等品牌，我们也可以发现在DDR内存中的高频率产品中绝大部分都是采用的三星TCCD颗粒，其超频能力是在DDR系列的内存中无人能敌的。大部分网友都知道海盗船内存，无论是国内还是国外每位发烧友都已配备海盗船内存作为自己的标准装备。海盗船内存的高端系列不但性能优异，而且价格也是普通内存的几倍，主要原因是只要是制造成DDR400或DDR500的海盗船内存条的颗粒都是通过千挑万选而来的，都是颗粒中的极品，这也是海盗船高端内存价格高的一方面原因。
另外根据本次评测我们总结了几点看法：
1，带散热片的产品不见得好超频
在本次的测试中我们看到许多内存条都加装了内存条散热片，外观十分精美。目前市场上主流的散热片都是采用铝合金和合金铜制造的，铝材质吸热慢散热快，铜材质吸热快散热慢，铝材质在长期使用中不会被氧化，但使用铜质散热片如果没有经过防氧化工艺的特殊处理，在使用一段时间后就很容易被氧化，但一般选择大厂的产品都不会出现这种问题，对比这些问题大家可以根据自己的爱好来选择。在400MHZ的频率下工作可以不加装散热片，如果超频使用我们建议大家采用主动方式为内存散热。说到底颗粒品质的好坏才是决定内存超频性能的关键原因。
2，单面512MB的模组比较好超频
在内存容量是512MB的今天，512MB内存模组大多数是16颗芯片即8*2。在以前都是单面256MB或者是512MB的颗粒组合，在超频时会更加容易，随着游戏、操作系统越来越多地占用系统资源，使用大容量内存成为了现在PC发展的一个趋势。在本次测试中只有英飞凌内存采用的是单面8颗粒512MB容量，蝶形PCB板走线设计，在实际测试中单面颗粒的内存从超频幅度及稳定性要优于双面内存。而双面内存在本次超频测试中表现也并非不理想，现代DT-D43颗粒为主的一批内存普遍都可以超频到DDR500的频率下。
3，PCB设计并不决定超频性能
去年的内存评测中，我们向大家展示了几个不同的PCB设计，其中以单面8颗粒为PCB基板设计的蝶形走线被大家看好。在今年我们看到大部分内存厂商的PCB都是统一由代工厂制作，以B6U808为代表。虽然出自同一门下，但是颗粒还是决定超频性能的关键，以金邦GEILone系列为主的DDR600内存同样采用B6U808这一底板，超频性能有目共睹。
4，有些产品参数设置最大不见得就好超频
颗粒的品质除了决定产品的超频性能之外还决定了内存颗粒的参数，这里要说参数优化比较优秀的那就是BH-5和TCCD。在产品出厂之前，厂商会对该批颗粒进行检测，将可粒可以稳定运行的参数写入到SPD芯片中，这些参数往往都比较保守，但不乏有一些特例的情况，如海盗船XMS系列，一般都标称在2.0-2-2-5这一个参数下。BH-5和TCCD的CL值都可以在1.5和2.0的情况下工作，一般以现代D43、茂矽为主的颗粒CL值为2.5，用户在使用过程中完全可以自由发挥。
写到最后DDR内存已经走到了末路，虽然DDR2内存势头正猛，但是DDR内存与DDR2内存目前仍然是平分市场份额，在短时间内还不会被淘汰。
畅想：
本次2005年度ZOL网站大型DDR内存横向测试已经划上了圆满的句号。展望即将到来的2006年，内存行业会给我们带来那些惊喜？DDR2是否会成为主流，一统江山？DDR3是否会成功量产？FB-DIMM是否能在英特尔的倡导下进入我们的视线？65纳米工艺还会带来更大的降价空间吗？......带着这些疑问，就敬请广大读者和小编一同期待明年的ZOL内存年度横向测试。（有色金属）
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