集邦深度分析:现货内存市场发展趋势

　　DRAM市场大致上可以区分为合约市场与现货市场。合约市场主要参与者多为PC OEM厂,而现货市场参与者为DRAM制造商、模块厂商、以及一些白牌的厂商,由于现货市场的需求多来自于消费者自行升级,因此以往每当内存规格进行世代交替时,新一代内存的需求总是由顶级市场的玩家所推动,使得新一代内存在现货市场需求会领先合约市场。以DDR初期为例,DDR 现货市场的出货量高于合约市场 (Figure 1),但是这次内存世代交替由于没有以往RDRAM与DDR规格之争,部分PC大厂与DRAM厂均大胆的配合Intel,希望藉由硬件的改变而将市场需求导入DDR2,也因此DDR2初期在合约市场的推升速度远远领先现货市场。

　　根据集邦科技统计,05年4Q DDR在合约市场与现货市场比例约75%:25%,相较于DDR2在合约与现货市场比重为93%:7%,在现货市场比重偏低原因主要还是因为通路端消费者的接受不高。除了先前探讨过的DDR2 400、533 MHz的效能与DDR相去不远之外,模块厂兴趣不高也是主要原因之一。目前在DRAM制造商的DDR2库存偏高情况下,也希望由现货市场消化DDR2的库存,但对于模块厂而言,由于DDR转变至DDR2之后,封装方式的改变也造成模块厂维修成本的增加,也间接影响到模块厂在现货市场推出DDR2的意愿,因此模块厂在现货市场中扮演举足轻重的角色,本文将着重于模块厂对于DDR2态度观察未来内存在现货市场的发展的趋势。

　　DDR2模块厂所面临的困境

　　对于模块厂而言,以往DDR模块的颗粒需要rework,只需要人工即可拔掉原本的TSOP封装,但是DDR2进入FBGA封装方式后,在rework上无法仅用人力去完成。在SMT制程中,作业员无法以目视方式检验锡球焊接有无短路之情形,因此需要藉助昂贵的设备去作对位来提升良率。而修复后需要重新植入锡球进行封装,也将增加材料成本。此外 在包装运送上,TSOP封装较为牢固,不易因外力施压而产生DRAM颗粒破损之情况,相较于FBGA封装易受外力施压而造成DRAM颗粒破损,故DDR2 模块之包装(shipping and handling)需将外力挤压,撞击之因素一并考虑。

　　由于rework FBGA封装的DDR2确实耗时费工,相较于DDR维修端的负担相对也加重不少,也因此对于模块厂而言、最直接的反映为以下各项成本的增加:
1.设备成本、需要增加BGA植球制具、加热铁板、BGA拆焊机,一台机器要价近10万美金。
2.人工成本、人力支出比例约为 4 : 1 (FBGA vs TSOP)
3.材料成本、FBGA方式将多出BGA锡球的材料支出。

　　因此整体而言,对于模块厂而言rework成本较DDR将增加20%以上,目前模块厂多半以制程上的改进及设备投资来解决目前rework成本过高及模块良率偏低的问题。

　　进入DDR3后,对于模块厂的影响

　　DDR3仍将沿用FBGA封装方式,故在生产面上将与DDR2无异。但是由设计的角度上来看,因DDR3之工作频率将高于800MHz,在电路布局上将是一大挑战,因此也将反映到PCB上增加模块的成本。目前JEDEC所公布之DDR与DDR2 PCB公板皆采用六层板之设计 (non ECC U-DIMM), 但因DDR2采FBGA封装,故PCB钻孔数(Via)会增加,此外、BGA之球距(pitch)要有良好的控制以及PCB电测之难度将提高,以上等等因素都会反映在模块的成本结构上,以目前DDR2 PCB之报价相较DDR PCB之报价多约30%~40%,未来PCB成本增加也发生在DDR3世代上。

不同内存规格,合约市场与现货市场之比例

　　结论

　　目前DDR2在现货市场所面临的困境来自于整体平台的转换成本过高及Intel芯片组供给不足等问题,当06年Q2以后AMD M2系列CPU开始支持DDR2,以及DDR2 667MHz的推出,都将有利于推升现货市场的需求,只要现货市场需求存在,模块厂自然也无法放弃这块市场。虽然大多模块厂都已经准备以增加人力及设备的方式来解决目前成本过高的问题,但是对于规模较小的模块厂而言,由于进入障碍相对较高,规模较小的模块厂商将慢慢在DDR2以后的世代逐渐退出现货市场,未来现货市场的交易量也将受到影响。

　　而等待了多年, DDR2终于有机会在2006年成为主流,但在Intel与各DRAM制造商的roadmap上,都可以在2007年看见DDR3的影子,而现阶段DDR3的应用多半用于显卡上。但是否2007年后各厂会记起这次世代交替的教训而耐心等待市场需求兴起,或是仍会从合约市场将主导市场需求进入DDR3,届时需要观察是否有更大宗的产品应用可以刺激消费者对于DD3的需求。