明星编辑其实，这次推出的新版三星内存除了有主流2GB容量版本外，还有专门针对大容量内存用户需求设计的，单条容量达到4GB的内存产品——三星 DDR3 1333 4G(MV-3V4G4/CN)，今天我们就为大家带来这款单条容量达到4GB的内存详细测试，一起来看下吧。
三星单条4GB DDR3-1333内存包装
三星单条4GB DDR3-1333内存采用全黑窄型PCB作为内存元件基板设计，高度只有普通标准内存高度的二分之一，矮小的设计可以为平台腾出部分散热空间，同时也不会对体积巨大的散热器造成安装上的冲突。
三星单条4GB DDR3-1333内存外观（点击放大）
三星 DDR3 1333 4G(MV-3V4G4/CN)内存采用双面搭载内存芯片模块设计，在窄小的内存PCB板上每面焊接了各八枚内存芯片，两面共16枚内存芯片模块构成了内存4GB的规格容量。
三星单条4GB DDR3-1333内存标签
由标签贴纸上可以得知，三星单条4GB DDR3-1333内存的规格容量为4GB，2Rx8表示了内存采用双面焊接设计，采用10600工作频率，即DDR3-1333，内存生产地为韩国。内存时序部分并未明确表明，但在其官网查询后得知内存的时序值为CL=9。
三星单条4GB DDR3-1333内存颗粒
三星单条4GB DDR3-1333内存所采用了内存芯片型号为K4B2G0846C的三星原厂内存颗粒，每块内存颗粒的容量为256MB，16枚内存芯片组成了4GB的内存规格容量。
三星单条4GB DDR3-1333内存细节（点击放大）
三星单条4GB DDR3-1333内存所使用的双面焊接设计相比单条2GB的单面焊接设计在PCB电路设计空间上要小上不少，所以内存的电容排阻以及蛇形走线都被设置在空间较为宽敞的PCB两侧边缘，内存条整体的电路设计以及元件焊接工艺都体现出专业大厂的雄厚实力。
