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30纳米工艺 三星2GB/DDR3原厂条评测


分页浏览|全文浏览    【中关村在线 原创】 作者:郑兆远 | 责编:孙玉亮     评论
产品:2GB DDR3 1600(MV-3V2G3/CN) 三星 内存 回到顶部阅读

三星新款2GB DDR3-1600内存简介

    广大网友对DDR3-1600MHz台式机内存并不陌生,在超频内存我们就能看到其身影。但是需要说明的是,40-60nm制造工艺的DDR3-1600MHz内存,无法在标准1.5伏电压下长时间承受1600MHz频率,因此内存厂家普遍将超频内存的电压提高至1.65伏。而30nm DDR3内存则无需提高电压即可完美支持1600MHz频率,因此具有更高的稳定性和超频潜力。近日,笔者收到三星送测的首款30纳米制造工艺的2GB DDR3-1600原厂内存,下面就一起了解一下该款产品

★三星30纳米2GB DDR3-1600内存简介:


三星2G 1600测试 30纳米
三星30纳米2GB DDR3-1600内存的包装

    三星30纳米2GB DDR3-1600内存采用灰色搭配蓝色的背景纸板,内存密封在牢固的透明硬质ABS塑胶壳内,起到很好的防尘、防潮效果。

三星2G 1600测试 30纳米
三星30纳米2GB DDR3-1600内存

    新版三星内存采用黑色窄版设计,大小只有传统内存产品的三分之二;其内存颗粒采用30nm级半导体技术,比40-60nm存储设备减少一半以上的能耗;同时新版三星内存更为绿色环保,不含铅和卤。金手指方面采用流行的化学镀工艺,耐磨度较高。在标签下面印有“GREEN DDR3”的烫金字样

三星2G 1600测试 30纳米  三星2G 1600测试 30纳米
三星30纳米2GB DDR3-1600内存的相关参数

    从相关参数可以看出,三星30纳米2GB DDR3-1600内存单条容量为2GB,其颗粒芯片采用30纳米工艺制造,运行频率为DDR3-1600(等效于PC3-12800),标准时序11-11-11-28。其编号为M379B5773CH0-YK0,于2011年第34周产于韩国三星内存工厂。

三星2G 1600测试 30纳米
三星30纳米2GB DDR3-1600内存

  三星30纳米2GB DDR3-1600内存的颗粒芯片编号为K4B2G0846D的原厂颗粒,比40-60纳米的传统芯片体积更为小巧,发热量更低。

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测试平台硬件与软件环境介绍

● 测试系统硬件环境

  本次测试采用英特尔Core i7-980X,主板采用技嘉X58 UD3R,提供了多通道内存技术。下面是具体平台介绍。



测 试 平 台 介 绍
中央处理器 Intel Core i7-980X
(六核 / 133MHz*25 / 12MB共享L3缓存 )
内存模组 三星30纳米2GB DDR3-1600内存
DDR3-1600/11-11-11-28)
主板 技嘉 X58 UD3R
Intel X58 Chipset / BIOS版本号:0112)
显示卡
七彩虹iGame460 烈焰战神
(GF104 / 核心:820MHz / 显存:4000MHz / DDR5)
硬盘 希捷 7200.12 1TB
(1000GB / 7200转 / 32MB缓存
电源供应器 康舒R88 600W电源
(ATX12V 2.31 / 600W)
显示器 理想美格 GML2457
(24英寸LED / 1920*1080分辨率)

● 测试系统的软件环境

操 作 系 统 及 驱 动
操作系统 Microsoft Windows 7 SP1 64位旗舰版
(中文版 / 版本号7600)
主板芯片组驱动 Intel X58 Chipset fot Win7 SP1 64位旗舰版
(WHQL / 版本号 9.1.1.1004)
显卡驱动
NVIDIA Catalyst for Win7 SP1 64位旗舰版
(WHQL / 版本号 10.10)

桌面环境

1920*1080_32bit 60Hz

● 测试软件介绍

测试软件
底层测试 Winrar
AIDA64
SiSoftware Sandra2009
基准测试
PCMark Vantage

信息测试

CPU-Z

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内存带宽延迟测试

● SiSoftware Sandra2009测试

  这是一套功能强大的系统分析评测工具,拥有超过30种以上的测试项目,主要包括有 CPU、Drives、CD-ROM/DVD、Memory、SCSI、APM/ACPI、鼠标键盘、网络、主板打印机等。全面支持当前各种 VIA、ALI 芯片组和 Pentium 4、AMD DDR平台。除了具有强大的功能外,使用也很方便,易于上手。


稳上1600 金亿2GB/1333内存超频测试
三星30纳米2GB DDR3-1600内存的带宽测试

稳上1600 金亿2GB/1333内存超频测试
三星30纳米2GB DDR3-1600内存的延迟测试

    三星30纳米2GB DDR3-1600内存的内存带宽提升到8.4GB/s,明显比DDR3-1333内存的带宽高;其内存延迟为75ns,较之1333MHz略有增加,实际上内存频率越高,内存延迟相对越大。

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理论和实战游戏测试

● PCMark vantage内存子项测试

  合成测试软件PCMark vantage的内存测试部分是根据真实应用编写的测试脚本,也具有一定的参考意义,我们选用了这款软件中对于内存的测试。

    DDR3-1600频率PCMark Vantage内存项得分:3790


稳上1600 金亿2GB/1333内存超频测试
PCMark Vantage基准测试

    在PCMark Vantage内存子项测试中,三星30纳米2GB DDR3-1600内存的得分为3790分,表现抢眼。

● 街头街霸4

    《街头霸王4》是经典对战格斗游戏《快打旋风》系列最新作,承袭系列作传统2D玩法,并采用最新的3D绘图技术,以更华丽的方式重现原作独特的2D绘图风格。操作与系统同样承袭2代,完整重现包括波动拳、升龙拳、龙卷旋风脚在内的必杀技、连续技、取消技、超必杀技等等技巧。

稳上1600 金亿2GB/1333内存超频测试
超频后游戏测试

    从游戏测试来看,三星30纳米2GB DDR3-1600内存测试的帧数为39.32帧数,内存频率对帧数影响较小,对比1333MHz仅1-2帧的提升。

● 全文总结:

    三星30纳米2GB DDR3-1600是目前首款采用30纳米工艺颗粒芯片的内存,拥有更低的功耗和更小发热量。此款内存出自三星原厂,是业界顶级做工的产品之一,用料十足且工艺严谨,具有高可靠性和兼容性。

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