暑期内存选购：1600频率提高带来什么

    一年一度的暑假促销到来，内存市场百花齐放，新内存争奇斗艳。5月底上市的30nm内存席卷全国，它们在短短一个多月时间成为主流普及。低廉的价格、更高的频率、更低的功耗是30nm内存受到欢迎的原因。美中不足的是30nm内存的延迟时间更高，较之40nm内存的CL9延迟，30nm的DDR3-1600内存的延迟高达CL11。那么30nm内存给我们带来了什么样的具体硬件性能提升呢？

    1、不仅仅频率，内存提升的还有容量

    DDR3-1600内存和30nm制造工艺是相辅相成，此前40nm工艺主要和DDR3-1333内存相对应。先进的制造工艺提升内存芯片的晶体管数量，使得内存芯片的单颗容量从256MB提高到512MB。

    2、内存时序进步还是倒退？

    “内存延迟”和“内存频率”是影响内存性能的两个主要因素。内存频率的每次提升，随之而来的是内存时序的倒退，内存延迟不断加大。我们从“DDR时代的CL3”、“DDR2的CL5”、“DDR3-1333时代的CL9”这三大时期的内存时序变化也验证了这一点。

    3、1600MHz不是终点，DDR3超频潜力巨大

    30nm内存的起始频率高，制造工艺更先进的DDR3-1600内存，拥有更大的超频潜力。

    老内存要讲频率提升至1600MHz，需要加电压1.55-1.65V。 新内存即使在1.5V低电压下，也可超频1800MHz。

    在Sandybridge和Ivybridge处理器出现之前，内存频率主要靠玩家设置较低的倍频，同时靠CPU同步超频来拉高内存的外频。这意味着内存要超高频率，还必须借助强大的顶级处理器和顶尖的散热器。内存和CPU同时超频可以大幅提升电脑性能，这也让我们无法弄清楚内存对整机的性能提高影响有多大。

    而现在的内存超频以傻瓜化的操作形式出现，我们只需要在Z77主板的BIOS更改内存倍频和电压，以及几个内存参数设置就可以达到。这也让我们能直观看出内存频率和延迟对整机性能的影响有多大。

    在接下来的环节中我们将看到DDR3-1600内存的超频潜力，内存频率、延迟对性能带宽的影响，以及30nm内存的副产物进行分析，并为消费者推荐靠谱的内存。