DDR2是由JEDEC(电子元件工业联合会)定义的下一代DDR内存技术标准。与此前DDR技术相比，DDR2最大特点是采用4-bit Prefetch技术来有效提升内存带宽。
DDR2内存的基本根本工作原理类似于DDR SDRAM。只不过，DDR SDRAM每个时钟周期内可能通过总线传输两次数据，而DDR2 SDRAM则可以传统4次数据。DDR2使用一样的内存cell，但是使用多路技术使得带宽加倍。然而，这个方法虽然可以有效果提高内存带宽，但也有它的缺点：最主要的缺点就是高延迟。内存延迟不取决于I/O缓冲区的工作频率或数据从内存cell进入总线的位宽多与少。影响延迟的主要因素是内存cell自身的延迟。DDR2-533的延迟相对DDR266或PC133 SDRAM来说都要高，更不用说与DDR400相比了。
针对延迟问题，厂商们虽然在DDR2中引入了posted CAS技术、通过使用附加延迟(additive latency)的概念来改善延迟所带来的问题。不过，此项功能对目前老版DDR2而言几乎没有效果。早期DDR2-533 SDRAM模块仅能工作在4-4-4 timings(CAS Latency - RAS to CAS Delay - RAS Precharge Time)模式下，延迟要比DDR高出不少。不能低估这个延迟，内存寻址的高延迟将导致低性能。
幸好，这种情况目前已经有所改观，许多内存制造商，特别象Corsair或OCZ此类先进内存模块的厂商已经推出了支持3-3-3 timings规格、工作频率为533MHz的DDR2 SDRAM内存模块。必须强调的是这些模块不是通过超频获得的，而完全符合JEDEC标准(官方文件中DDR2-533修正版的规格：支持3-3-3 timings并且电压增加到1.9v)。
英特尔也在最新LGA775系统中对3-3-3 timings的DDR2-533 SDRAM提供了支持，英特尔公司目前已经正式证实它的新芯片组将支持此类规格内存。理论上，DDR2-533的CAS延迟减小了3个时钟周期是新版DDR2 SDRAM的参数最大改进之处，虽然延迟仍稍微比DDR400高，但凭借高带宽的优势，性能已经等于或超过了目前的DDR400内存。
DDR2内存虽然速度更快，频率更高，但其高昂的价格在上兄跫闯晌浞⒄沟淖畲笞枇ΑＧ煨业氖牵谀诖媸谐》缭票浠茫珼DR2内存一路飘低，目前部分512M/533内存已经跌至300元。
近期有装机打算的朋友建议及时出手，小编预测DDR2已跌至底线，很可能会有小幅度的反弹。下面，就为大家推荐几款性价比不错产品，以供参考。