第四代MDX主控和Toggle 3.0标准闪存

    关于第四代MDX主控方案

    三星840（PRO）系列固态硬盘采用的是三星第四代SSD主控MDX，MAX被用于470系列，MBX未用于零售产品，MCX则用于830系列。

    MDX主控内建三个ARM Cortex-R4核心，工作频率300MHz。之所以选择Cortex-R4，三星表示由于三星本身也具备控制器研发能力，因此在经过多层筛选和测试之后挑选出一个具有最佳兼容性的方案作为最终选择。

第四代MDX主控方案

    但更进一步讲，Cortex-R4具有的严格的实时响应限制应该是三星在设计SSD时所看重的，这种特性非常适合用于深层嵌入式系统，硬盘/固态硬盘驱动器就是其中之一，它兼顾高性能、可靠性和低功耗。相较之下Cortex-A系列专用于具有复杂软件操作系统（使用虚拟内存管理）的面向用户的应用。

ARM Cortex-R4核心架构

    MDX主控可以支持到1TB容量，只不过三星认为目前超高密度的NAND（单颗容量128GB）的价格太过昂贵，因此并未推出。

    另外MDX加入了对256位AES硬件加密的支持，通过使用SYSTEM BIOS密码进行管理，就和其他同级别产品一样，以应对越来越重要的数据安全性问题。同时，新的主控还拥有着“更先进的信号处理算法（Advanced Signal Processing Alogrithm）”。

    关于Toggle DDR Mode 2.0标准闪存

    三星830系列采用的是27纳米制程Toggle DDR Mode 1.0标准的闪存，其接口带宽可以达到133Mbps，而840系列所采用的是21纳米制程Toggle DDR Mode 2.0标准的闪存，可以达到400Mbps的接口带宽。

Toggle DDR 2.0闪存的技术特点

    全新的Toggle DDR Mode 2.0可是实现随机读取性能30%的增幅，随机写入性能120%的增幅。当然，全新标准的闪存应该和全新一代的主控芯片配合才能发挥出全部效能。这也正是三星840性能再次攀升的因素之一。

三星预计将于2015~2017年推出Toggle DDR 3.0标准

    到2015~2017年，我们将迎来Toggle DDR Mode 3.0标准，届时带宽将达到800Mbps。同时三星也将致力于发展PCIe接口的固态硬盘，并认为是未来10年高性能产品的最佳选择，配合超高的带宽，得以发挥新一代闪存的性能。