解读SSD/DDR4关键词 展望2015存储趋势

    在即将过去的2014年，存储行业的亮点颇多。10TB氦气硬盘的推出；256GB SSD逐渐成为主流，同时SATA3.0 SSD的最大容量步入TB级别；消费级DDR4内存从幕后登上前台，于年中上市；M.2 SSD在今年虎头蛇尾，明年它能火么？
    
    通过产品，我们能洞察行业先机，2015年，它们会是什么样子？这是今天我们所要关注的话题：

解读SSD/HDD/DDR4等关键词 看2015年存储趋势

    SSD：256GB成明年主流 3D闪存拉开序幕

    SSD是存储行业最能拿得出手的重磅硬件，2014年的IT硬件整体萎靡不振，然而SSD已非当年吴下阿蒙，它正迅速侵蚀HDD的领地。明年256GB SSD将成为主流，逐渐往499元价位靠拢，更高的性价比将推动SSD的普及，横竖看，这都是要淘汰HDD的前奏，尤其是今年还有新变化：

    随着3D闪存的出现，明年M.2 SSD能否迎来转机？

    HDD：氦气硬盘登场 20TB明年降临？

    机械硬盘是一个老生常谈的问题，在SSD重压之下的机械硬盘领域，正发生积极的创新变化。沿用数十年之久的空气硬盘有了新花样，它就是氦气硬盘。在2014年，氦气硬盘达成全球最大的10TB容量。穷途末路的HDD行业迫切需要更大容量的机械硬盘，2015年，20TB硬盘能否如期而至？

    内存：DDR4曲高和寡 DDR3都伤不起啊！

    说起DDR4内存，网友们感触最深的不是它的容量和性能，而是它的价格。对于大多数网友来说，DDR3的容量和性能已绰绰有余。面对价格高昂的DDR4，汝之奈何？

    今天，笔者就2015年的存储关键词进行展望，里面是否有你需要的？

    在机械硬盘领域，空气充填式技术纵横数十载。在我们使用的台式机、笔记本硬盘，当中的磁头依据空气动力学悬浮于磁盘碟片的表面。如果我们将硬盘里的空气抽空，磁头下落将直接和磁盘碟片接触，留下不可逆转的划痕损伤。

    ■氦气硬盘的由来

    进入2014年，机械硬盘出现突破性发展，HGST另辟蹊径从“硬盘封闭、充填气体技术”着手，突破硬盘容量受“盘抖动”、固有每英寸轨道数（TPI）、以及轨道误读（TMR）的限制，采用氦气充填式技术，结合密封盘体，生产氦气硬盘。

HGST 7K6000 6TB氦气硬盘

    氦气硬盘最早与垂直磁记录技术结合，硬盘厂商打造出7碟6TB硬盘。随后它和更为先进的叠瓦式磁记录技术结合，业内首款10TB氦气硬盘横空出世，并且功耗、散热得到有效控制。10TB氦气硬盘并非叠瓦式磁记录技术的极限，明年20TB氦气硬盘可以有么？

    ■编辑点评：HDD再丢容量优势 将面临淘汰

10TB氦气硬盘

    独树一帜的氦气硬盘，突破传统硬盘的限制，轻松容纳5-7张碟片，能够提高盘片的存储密度，并且它的运行温度更低，噪音更小，适合作为仓库盘。 

    然而SSD的容量迅猛推进至TB级别，10TB硬盘并不能稳固机械硬盘的容量优势，发展容量更大的单块硬盘，并且降低GB价格成为迫在眉睫的事情。20TB硬盘，明年“你”准备好了么？性能完全处于劣势的HDD，如果再丢失最后的“容量阵地”，准备进博物馆养老。  

    SSD的性能威胁HDD的生存，HDD赖以生存的仅剩容量。2014年，闪存依靠3D堆叠技术，其存储密度得以爆炸式增长，此举助SSD抄断HDD的容量后路。3D堆叠芯片技术最早应用于英特尔处理器，后者得以容纳更多的晶体管，同时提高处理器的性能。此前闪存芯片采用2D平面型NAND技术，临近存储单元的堆放密度极限。 

    ■什么是3D闪存技术？

3D V-NAND闪存晶圆

    3D闪存目前仅且只有三星应用到SSD，其名为3D V-NAND技术，采用不同于传统NAND闪存的排列方式，通过改进型的Charge Trap Flash 技术，在一个3D的空间内垂直互连各个层面的存储单元，使得在同样的平面内获得更多的存储空间。 

    ■3D闪存有什么用？

3D TLC闪存

    3D V-NAND技术经历两代技术，从24层柱状细胞结构发展到32层，可以垂直堆叠更多个“细胞层”－－存储单元，从而提高密度，降低碳足迹，可提供两倍于传统20nm平面NAND闪存的密度和写入速度。此外，第二代32层3D V-NAND闪存的P/E使用寿命较之2D MLC闪存更长，厂家给予采用3D闪存的SSD更长的质保期限。

    ■编辑点评：3D闪存为SSD打开容量天窗

2D闪存和3D闪存对比

    3D闪存最早起源于3D MLC技术，其转折点却在3D TLC技术，最能激发存储容量，为SSD打开容量天窗。那么问题来了，基于3D闪存的SATA3.0 SSD在明年可以达到2TB么？技术上实现不难，问题在于6000-7000元的高价将它束之高阁。

    3D闪存使得SSD在容量上具备和HDD抗衡的潜力，进一步增强SSD的P/E耐久度，为M.2 PCIe SSD的普及埋下伏笔。

    DDR3内存推出已经8年，从DDR3-800直到现在的DDR3-3200，其频率提升3倍，然而它的潜力几乎被挖到了极限，需要新的内存来替代它。DDR4内存规范早已在2012年推出，2013年DDR4服务器内存率先上市；而消费级的DDR4台式机内存终于在年中的台北电脑展如同火山井喷！

规格还是逼格？DDR3 VS DDR4

    金士顿、威刚、宇瞻等一线三大巨头推出家用版DDR4台式机内存，其初始频率为2133MHz，此地位大致相当于DDR3-1066。这意味着DDR4还可跨越2666MHz、3200MHz（其地位对比DDR3则为DDR3-1333、DDR3-1600）。其工作电压为1.2V，较之DDR3的1.5V降低20%功耗。

四通道下的DDR4/DDR3内存带宽对比

    集万千宠爱于一身的DDR4并非全是优点，其2133MHz版本的时序达到惊人的CL15，较之DDR3-1600的CL11进一步“恶化”，后面的DDR4-2666、DDR4-3200还将进一步延迟。所幸它的超高频率迅速弥补低时序带来的下降性能。

■DDR4内存的好处

    ①增加内存带宽，提高内存到CPU的数据传输能力；②提高核芯显卡的图形处理性能。

DDR4的作用远不及SSD

    编辑点评：在众多电脑硬件当中，内存从未如此尴尬，DDR4面临可有可无的境地，却聊胜于无。

    阻碍DDR4内存普及除了自身价格昂贵，也有“主板+CPU”配套平台的高门槛。作为率先上市的DDR4-2133，它相当于当年的DDR3-1066内存。明年更为成熟的DDR4-2666甚至DDR4-3200内存能否出现，这取决于内存芯片的制造工艺。

    M.2 SSD在设计之初，借鉴mSATA SSD留下的遗憾，在兼容性上做了改进。一方面，M.2 SSD可通过走PCI-E总线，轻易突破SATA3.0的性能极限，弥补mSATA SSD的遗憾；另一方面，M.2 SSD还可通过走SATA3.0 6Gbps速率总线， 降低生产成本，接替mSATA SSD停产留下的空缺。 

M.2 Socket2/3接口解析

   由于闪存的寿命限制，消费级的M.2 PCIe SSD仅超过顶级SATA3.0 SSD大约25%的整体性能，并没有达到我们预期的惊艳性能。即使这样性能的M.2 PCIe SSD，它的价格也高出同档次的SATA3.0 SSD不少。简单点说，消费者花出去的钱，和他获得的性能不成正比、不值。

M.2 SSD特点：轻、薄、快

    M.2 SATA SSD却意外得到厂家的积极响应，M.2 SSD的发扬光大不是在PCI-E总线，却是在SATA3.0 6Gbps速率总线，这让人大跌眼镜。3D闪存翻倍提升P/E耐久度，SSD厂家看到M.2 PCIe SSD降价普及的希望，但是用户希望明年的M.2 PCIe SSD像SATA3.0 SSD便宜，并不现实。 

M.2 SSD可谓“庙小妖风大，池浅王八多”

    编辑点评：M.2 SSD包含①M.2 SATA SSD以及②M.2 PCIe SSD，它并不缺乏性能。作为mSATA SSD的替代者，M.2 PCIe SSD是它的本色，然而高品质闪存造就M.2 PCIe SSD的高价。3D闪存经过磨合，明年出现在M.2 PCIe SSD的可能性较大，其性能大致和浦科特M6e处于同一区间，但是价格不会跌。

    看到这里，网友们的心凉了半截：“不降价，3D闪存在M.2 PCIe SSD有什么用？”。万事开头难，这毕竟是一个开端，我们骑驴看唱本－－等着看结果。

    ■后语：背后的遗憾

    本年度的存储关键词诚然光彩耀眼，却难掩整个存储行业的沉沦，它的背后是整个IT行业的萎缩，所导致的厂家研发投入减少，我们不容乐观对待2015年的存储新品。

    要知道，希捷一直是HDD行业的尖兵，如今却给HGST盖过风头，它的“20TB硬盘”承诺仍犹言在耳。三星在3D闪存如日中天，却在消费级M.2 SSD未有建树，行业龙头尚且如此冷淡，谈何推动M.2 SSD普及？恰恰M.2 SSD的小巧、高性能是用户所追求。

    DDR4本应由金士顿、威刚、宇瞻等传统三强推动普及，但事实却是名不见经传的二线小厂降价推动销量，我们可以强调配套CPU和主板的客观因素，但是内存三大厂并未拥抱、迎合客户。

    隐约之间，听到上帝喊了一句：“小伙子，重心在移动端。”也许这是原因。