速度翻番 SanDisk/东芝合推56nm闪存

    今天，SanDisk对外宣布，它将联合东芝推出56nm多层核心（MLC）NAND闪存芯片。SanDisk表示，它将尝试推出最高密度的单芯片MLC NAND闪存。

    在对有限的几个开发样品进行修改之后，SanDisk计划在第一季度推出新的56nm工艺8Gb（1GB）单芯片MLC NAND闪存，并在第一季度末向市场大量铺货。同时，该公司还表示，将于今年第二季度推出16Gb（2GB）NAND闪存。

    随着56nm和16Gb工艺的引进，SanDisk正在推出其第五代MLC NAND闪存。通过在56nm工艺上的技术和设计优势，SanDisk将对产品的写入性能进行提升，相比于70nm那代产品，将会达到双倍写入速度提升。

    此外，据早前的国外媒体报道，SanDisk还计划在今年末启用目前正在建设中的Fab 4，开始生产其56bm闪存产品。