时下国际内存价格一路走低,国内正常经营内存业务商家的利润也随之缩水,于是大量假冒伪劣内存再次浮出水面,打磨条、水货条、山寨货、甚至二手翻新条都出现在北京中关村市场内。这些假冒伪劣内存的出现,不仅严重威胁着消费者的权益,更成为阻碍整个内存市场良性发展的一颗毒瘤。
昨天本站登出的《3.15打假特刊:真伪现代内存多图对比》文章,已经从多个方面向读者呈现了假冒现代内存的产品特征和鉴别方法,今天我们继续深入这个话题。ZOL评测中心将从应用、测试角度对打磨、假冒的内存模组加以分析,并和正品内存进行对比,此次测试的选择的即是前文所述的现代(hynix)内存。测试内容包括SPD信息分析,稳定性测试、超频性能测试。
接下来是参测内存模组的介绍,它们包括:
● hynix 原厂DDR2-533 512MB
hynix原厂DDR2-533内存模组
这是两根non-ECC unbuffered 240pin 1024MB DDR2 SDRAM内存模组,由hynix韩国工厂生产,模组用料和整体做工都非常优秀。这并不是hynix在零售市场上销售的模组产品,然而它却被目前最新出货品牌整机大量使用,考虑到中国IT产品零售市场的特点,用户在中关村电脑市场中也能买到它们。
HY5PS12821 FP-C4内存芯片
内存芯片编号为HY5PS12821 FP-C4,512Mbit规格,64Mx8bit组织方式,整个模组的位宽是64bit。HY5PS12821B FP-C4使用60-pin FBGA封装,标称速度3.75纳秒,可以在DDR2-533@CL4上运行。HY5PS12821B的最后字母B显示这是hynix第三代核心的芯片,FP-C4的C4显示芯片标称运行模式是DDR2-533 4-4-4。
● 假冒hynix 原厂DDR2-533 512MB
这是假冒hynix原厂的一款内存模组,标称512MB DDR2-533规格,标签风格酷似原厂模组,但PCB设计和整体做工都和真正的原厂模组有明显的差距。
粗略看,这款模组上采用的芯片足以乱真。不过在对照hynix DDR2内存芯片编号规则后露出了破绽,和上面真品对应的“HY5PS12821B”编号,这款芯片编号为HY5PS56821,最后的字母为空。按照hynix命名规则,尾数空格意味着这是第一代核心的芯片,使用110nm工艺制造,事实上110nm的hynix DDR2内存芯片尺寸比这个大的多,并且在05年就已经停产。
这款拥有着典型90nm芯片尺寸、于06年第21周出厂的芯片显然不是HY5PS56821真品,假货无疑!