内存天天报：闪存强势反弹 内存走软

　　深圳市场： ChinaDram

　　NAND FLASH现货价格强势反弹，国内市场相对活跃，受行情上涨的影响，买家入市操作意愿明显。特别是8Gb/16Gb MLC产品倍受业者关注，并达成一些交易，整体交易量较昨日明显放大。Samsung K9LAG/K9G8G/K9G4G分别涨至￥100/￥52.5/￥25.8附近。

　　DRAM方面，受外围颗粒价格持续走软的影响。国内市场DDR2模组价格继续下探，市场交易氛围平淡，成交量并不理想。

　　香港市场：福意国际

　　由于上游严格控制供应与价格, 下午Nand Flash现货价持续攀升。8G/16GMLC在市场上并不容易找到货源,按照目前货源短缺走势,估计明天8GB/16G MLC开盘价格会上升至\$ 7.00/\$ 13.00附近。Samsung/Hynix 8G/16G MLC收市价格在\$ 6.80/\$ 12.80。

　　DDR1及DDR2 颗粒价格缓慢下调, DDR2按照目前状况, 价格有机会下跌更深。Hynix 64X8 DDR 400/ DDR2 667 ETT MIRA颗粒价格分别调低至\$ 3.70/\$ 2.55。市场贸易气围较为淡静, 需求以及整体成交都较有限。

　　台湾市场： Dramexchange

　　今日的DRAM市场，由于连日来的需求疲软，整体价格继续向下修正，买家也多在观望后续的走势，不敢贸然进货，实际交易情况并不明显。主流品牌颗粒DDRII 512Mb(64M*8)667/533MHz价格报价下跌至USD3.15/3.09。而在UTT(ETT)DDR1的部份，价格持平，64M*8/400报价依然维持在USD3.83，交易量有限。另外在UTT(ETT)DDRII 64M*8/667MHz的部分，由于买气不佳，成交量零星，最后价格大约落在USD2.5。
在NAND FLASH的现货部分，现货供应量依然是明显紧缩，加上预期性缺货的心态，因此带动了现货市场出现较为活络的买气，整体需求依然集中在4Gb/8Gb/16Gb的部份，更造成价格出现急遽拉高情形，成交量也明显放大。Samsung 1Gb / 2Gb / 4Gb(K9F) / 8Gb(K9K) / 8Gb(K9G) / 16Gb(SLC) / 16Gb(MLC) 报价约落在USD2.35~2.8 / 2.65~2.8 / 4.8~5.1 / 7.1~7.35 / 6.95~7.65 / 16.3~16.5 / 12.8~13.7，而Hynix 1Gb / 2Gb / 4Gb(SLC) / 4Gb(MLC) / 8Gb(SLC) / 8Gb(MLC) / 16Gb(SLC) / 16Gb(MLC) 报价约落在USD1.85~1.95 / 2.35~2.45 / 4.05~4.3 / 3.35~3.5 / 6.9~7.5 / 6.95~7.45 / 15.1~15.6 / 12.75~13.65。