宇瞻工控强攻DDR4宽温内存市场

   工规等级组件加乘Underfill技术重新定义宽温内存规格

　　全球工控内存领导品牌宇瞻科技积极拓展工规内存产品线，并在策略伙伴三星电子(SAMSUNGELECTRONICSCO.,Ltd)全力支持下，推出首款搭载三星原厂工规等级颗粒的DDR4宽温系列内存，专为长时间运转于极端温度下之工业用设备提供强固型完整解决方案。结合Underfill加值技术，以及工规等级宽温零组件，宇瞻DDR4宽温系列内存具备耐温与高可靠性之特色，并整合抗震、抗热冲击(ThermalShock)能力，扩大宽温内存产品应用的范围，满足严苛环境的工控产品需求。

　　全工规等级零组件高低温环境下稳定性再进击

　　为了在严峻恶劣环境中仍能维持高效稳定的运作性能，DDR4宽温系列内存不仅采用三星原厂工规等级宽温颗粒，被动组件部份亦提升为全工规等级。宽温系列内存采用工规等级电容及电阻，最大耐温能力高达125℃的电容可使电压供应在高温环境下更稳定；工规等级的精密电阻(±1%)，误差率较低、匹配度较高，可大幅提升电路稳定性及耐用度。此外，为避免恶劣环境导致的讯号传输不稳定的问题，DDR4宽温内存PCB加强镀金厚度达30μ的金手指设计。

　　Underfill强固技术提高产品可靠度

　　Underfill底部填充技术运用于内存BGA芯片底部，目的在强化产品抗震/抗热冲击能力。在面对高低温差较大的情况时下，硅材料做成芯片与一般基板(PCB)材质的热膨胀系数不同，因此在热循环的温度冲击试验(ThermalShockTest)中常会有相对位移产生，造成焊点脱落或断裂，Underfill底部填充技术可有效提高锡球与电路板间焊点强度、降低热应力破坏、增加产品可靠度，进而提高产品使用寿命。

　　宇瞻科技推出全新工业用宽温DDR4SODIMM内存，容量最大可达16GB，频率支持2133/2400MHz，搭载高质量DDR4宽温颗粒及工规等级组件，采用Underfill技术，能适应两极化的工作温度，为系统带来无懈可击的耐用度。通过以极端冷热温度交替方式进行的温度冲击试验(ThermalShockTest)，可于-40°C低温到85°C高温测试的温度范围内运作，适用于军事、车载、户外、强固型计算机等工业用设备解决方案。

　　宇瞻科技DDR4WideTemperature系列内存规格: