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    年内完成开发 最新紫光DDR4内存进展

      [  中关村在线 原创  ]   作者：孙玉亮   |  责编：孙玉亮

    　　紫光DDR3内存上市后，引起行业的高度关注。他们提供的DDR内存规格可以提供核心容量最低512Mb，最高4Gb的DDR3芯片，电压在1.35-1.5V，时序11-11-11。而如今DDR4内存如何了呢？

    　　据紫光国微副总裁杜林虎表示，紫光的DRAM存储器芯片及相关内存模组产品已形成完整的系列。DDR4有望在今年内完成开发，但受制于后端制造产能的限制，出货量不会很大。


    　　此外，紫光还强调，他们正在积极寻求DRAM代工厂的合作。

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    memory.zol.com.cn true //memory.zol.com.cn/688/6886385.html report 380 　　紫光DDR3内存上市后，引起行业的高度关注。他们提供的DDR内存规格可以提供核心容量最低512Mb，最高4Gb的DDR3芯片，电压在1.35-1.5V，时序11-11-11。而如今DDR4内存如何了呢？　　据紫光国微副总裁杜林虎表示，紫光的DRAM存储器芯片及相关内存模组产品已形成完整的系...
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