台电晶彩4GB优盘暴力拆解

　　台电4GB晶彩优盘拥有十分精良的外壳做工技术，其深蓝色透明外壳使用最新的超声波无缝焊接技术，内壁采用喷砂工艺，牢固且耐磨损，具有极强的抗震性能。

利用刀刃才将台电4GB晶彩优盘外壳撬开

　　由于采用了超声波无缝焊接技术，外壳接封非常精密，笔者使用了一把锋利的刀具费了半天劲才将其外壳撬开，可见其结构强度足够高。

 
台电4GB晶彩优盘外壳细节特写（点击放大）

　　台电4GB晶彩优盘内部使用长方形PCB电路板，颜色为常见的绿色，PCB边缘切割整齐，没有毛刺等不良现象。

 
台电4GB晶彩优盘PCB电路板特写（点击放大）

　　台电4GB晶彩优盘使用三星原厂NAND Flash存储芯片，PCB正/反两面分别焊接有一颗，芯片编号为K9GA08U0M，单颗容量为2GB，生产日期为2007年第31周。

台电4GB晶彩优盘使用三星原厂闪存芯片

　　台电4GB晶彩优盘USB主控芯片使用的是台湾前三大厂商联盛（USBest）出品的UT163-L4芯片，拥有极佳的稳定性和兼容性，性能方面也相当不错，它还支持写保护等功能。

台电4GB晶彩优盘USB控制芯片

　　台电4GB晶彩优盘PCB表面没有任何空焊位，所有元件都无缩水迹象，元件及芯片针脚焊点饱满均匀，有效保证了电气性能。

台电4GB晶彩优盘PCB细节特写

　　再了解完产品内部做工后，接下来我们就来进入该产品的详尽测试环节。