前段时间，SK海力士近日公布了第一颗DDR5-6400内存芯片，频率高达6400MHz，是现在多数DDR4内存的两倍左右，近期，关于这款内存芯片的更多细节再度被爆料。
这款全新的内存芯片采用1ynm工艺制造，也就是第二代10nm级别工艺(DRAM工艺现在极少明确到个位数)，四个金属层，面积为76.22平方毫米。现阶段成本较高，后续仍依赖于工艺的进步来抵消上涨的成本。
新内存芯片的工作电压仅为1.1V，加装了新的延迟锁定环DLL，使用了相位旋转器(phase rotator)、注频锁相振荡器(injection locked oscillator)，还有新的前向反馈均衡(FFE)电路，以及新的写入均衡训练算法。
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