根据可靠消息，海力士扩建的无锡2号工厂将于四月开始全面投产用于生产先进的10nm级DRAM技术，根据预估每月可生产18万片左右Wafer。
在DRAM技术上，SK海力士1ynm DRAM将在2019年开始供货，还成功开发出1ynm 16Gb DDR5，支持5200Mbps的数据传输速率，比上一代的3200Mbps快约60％，将于2020年大规模量产。
SK海力士早在2016年底就计划加码投资中国无锡DRAM晶圆厂，从2017年7月到2019年4月总投资9500亿韩元，以保持生产竞争力。据悉，SK海力士在中国无锡包括一期和二期工厂，二期工厂在2018年底完成清洁室的安装，2019年初进行初期的生产，从4月份开始将全面进入量产阶段。
目前为止，整个行业都处于降价的趋势，不知道海力士此时投产会对市场造成什么 影响。
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