次世代天王 7款DDR3内存ZOL年度横测

面向未来 七款DDR3内存汇聚07年末

　　●  领导厂商推动的内存换代

　　像DDR2换代DDR时期一样，强势的Intel再次先于AMD把PC系统的内存部分推进到下一场革命、于半年多前发布业内首个支持DDR3内存模组的主板逻辑芯片组P35 Express，并在接下来的半年里有陆续推出X38/X48 Express平台巩固DDR3新锐的高性能领袖地位。不管DDR2的市场表现多么积极，我们都不得不跟随着开始进入DDR3时代。

　　笔者将在本文内对DDR3 SDRAM内存的技术及的应用进行剖析，并通过多款产品的介绍和测试来验证，本文所要讨论的内存模组都是限定在标准的240pin Unbuffered DIMM范围内，这是典型桌面PC应用的内存模模组。

七款名牌DDR3内存模组

　　● 产品和测试目标

　　本次测试，ZOL收到了来自七家厂商的独立品牌内存模组，速度规格从DDR3-1066跨度至最高DDR3-1800，容量规格则都是主流的1GB*2双根模式。这些品牌包括ADATA、CORSAIR、elixir、KINGBOX、KingMAX、Kingston和SAMSUNG，内存芯片也覆盖到了多个DRAM制造商，具有代表性。

七 款 DDR3 内 存 模 组 规 格 汇 总
品牌	型号	标称规格
ADATA	M3OQM5G3I4130A1C5Z	DDR3-1333 CL8
CORSAIR	CM3X1024-1800C7D	DDR3-1800 CL7
elixir	M2Y1G64CB8HA1N	DDR3-1066 CL7
KINGBOX	UL1GD31600PS	DDR3-1600
KingMAX	FLED45F-A8EB7	DDR3-1066 CL7
Kingston	KHX11000D3LLK2	DDR3-1333 CL8
SAMSUNG	M378B2873CZ0	DDR3-1066 CL7

　　而笔者的测试将着重考察以下方面：

　　>>七款内存模组在两种典型时序下可以优化（超频）的频率上限；
　　>>DDR3内存模组在相同频率下和DDR2内存模组的性能对比；
　　>>DDR3内存模组在优化之后和DDR2内存模组的性能对比；
　　>>七款内存模组在典型设定下的系统性能参考；
　　>>不同品牌DDR3 DRAM芯片的超频性能特征和潜力。

　　DDR3 SDRAM能够提供给CPU远比DDR2 SDRAM充沛的数据带宽，并且提供一些改良的特性，内存的运行发热和功耗也低于DDR2 SDRAM。虽然技术上的整体优势非常明显，但不容忽视的现状是DDR2内存正处于前所未有的低价时间，产品性价比远不是DDR3能比拟的，本文完成的时机对于内存采购并没有太多的指导意义，更多的是给用户和读者带来一些前瞻性的认识，就让我们从DDR3的技术特性讲起。

DDR3内存技术要点概述

　　●  8倍预读取技术的DDR3

　　DRAM内存技术从DDR占据市场主流开始步入了无法停止的频率提升漩涡，即使是目前已经大大超出桌面处理器对内存带宽的需求，DDR2还是要被频率更高的DDR3所替代。好在这种技术进步很快就能被规模化生产把产品价格拉低，用户们还是能够乐于接受反反复复的变化。

数据预读取技术支撑内存频率攀升

　　DDR3的可达到的频率上限超过2000MHz，和DDR2一样，它使用预读取技术提升外部频率并降低存储单元运行频率，这次的预读取位数是8bit。数据预读取技术具体实现的方式是用两倍于DDR2 SDRAM内存的数据预取架构来增强存储单元并行运行能力，在提供相同传输速率的同时降低了存储单元的运行频率，和DDR400/DDR2-800内存的200MHz存储单元运行频率相比，DDR3-1066内存的存储单元仅运行在133MHz，由于存储单元的频率很难在往上提升，因此200MHz存储单元运行频率达到了大规模因应用的极限，而DDR3还可以提升存储单元频率来提高DRAM输出频率，最终改善整个内存模组能够提供的带宽，比如现在最新的高性能DDR3 SDRAM规格DDR3-1333，其存储单元的运行频率仅和DDR2-667的200MHz相当，上升空间仍然存在。

DDR3内存模组已经大量问世

　　JEDEC认证了DDR3-800、DDR3-1066、DDR3-1333三种DDR2 SDRAM规格，它们得到了逻辑芯片组和处理器的全面支持，特别的，部分芯片组还能够在超频之后支持DDR3-1600以上的内存规格，在某些DRAM制造商和模组制造商的配合下，这种DDR2-1000以上的平台应用已经逐渐在顶级DIY玩家群体中展开。

　　●  更多细节改进

　　点对点连接 ——  这是为了提高系统性能而进行的重要改动，也是DDR3与DDR2的一个关键区别。在DDR3系统中，一个内存控制器只与一个内存通道打交道，而且这个内存通道只能有一个插槽，因此，内存控制器与DDR3内存模组之间是点对点的关系（单物理Bank的模组），或者是点对双点的关系（双物理Bank的模组），从而大大地减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。

　　新增的重置功能 —— 重置是DDR3新增的一项重要功能，并为此专门准备了一个引脚。这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。当Reset命令有效时，DDR3内存将停止所有操作，并切换至最少量活动状态，以节约电力。在Reset期间，DDR3内存将关闭内在的大部分功能，所有数据接收与发送器都将关闭，所有内部的程序装置将复位，DLL与时钟电路将停止工作，而且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来，将使DDR3达到最节省电力的目的 。

　　逻辑Bank数量 —— DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的设计，目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。 新型的DDR3将从2Gb容量起步，因此起始的逻辑Bank就是8个，另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备。

　　高级的刷新控制 —— DDR3支持根据温度自动自刷新及局部自刷新等其它一些功能，联合重置功能和1.5V的低操作电压，DDR3在功耗方面要比DDR2更为出色。

　　DDR3的其他明显的新增特点还包括ZQ校准、分成两部分的参考电压、突发长度和封装等，以下的表格汇总了这些信息：

DDR3 和 DDR2 的 核 心 特 性 比 较
	DDR3 DRAM	DDR2 DRAM
芯片封装	FBGA	FBGA
Pin脚数目	78ball x4、x8 96ball x16	60ball x4、x8 78ball x16
工作电压	1.5V	1.8V
组织	512Mb - 8Gb	256Mb - 4Gb
内部bank数量	8 (512Mb、1Gb、2Gb、4Gb、8Gb)	4 (256Mb、512Mb) 8 (1Gb、2Gb、4Gb)
预读取	8bit	4bit
突发长度	BL4、BL8	BL4、BL8
突发类型	Fixed、MRS或OTF	Fixed、LMR
附加延迟(AL)	0、CL-1、CL-2	0、1、2、3、4
读取延迟(RL)	AL+CL (CL=5、6、7、8、9、10)	AL+CL (CL=3、4、5、6)
写入延迟(CWD)	AL+CWL (CWL=5、6、7、8)	RL-1
频率范围	200MHz- 800MHz	133MHz - 400MHz
模组频率范围(DDR)	DDR3-800、DDR3-1066、DDR3-1333、DDR3-1600	DDR3-533、DDR3-667、DDR3-800
模组类型	DIMM、SO-DIMM、Micro-DIMM、FB-DIMM2	DIMM、SO-DIMM、Micro-DIMM、FB-DIMM

　　●  关于延迟

　　就像DDR2从DDR转变而来后延迟增加一样，DDR的总体延迟比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在3～5之间，而DDR3则在6～10之间，且附加延迟（AL）的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0～4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。 同时DDR3写入延迟（CWD）的部分也较DDR2劣化，具体状况在上表中有详细对比。

　　部分DRAM制造商强调这个延迟 是在数据传输周期层面的延迟，而DDR3的高频率带来了短的多的传输周期，因此应用层面的外部表象延迟上，DDR3仍比频率较低的DDR2来的低，性能更优。这种说法其实也不无道理，毕竟这也是DDR3极大拉升频率所要弥补的部分。但毫无疑问，这些 绝对延迟的提高还是降低了内存频率提升带来的收益。

　　总而言之，双通道DDR2-800、DDR2-1066水平的内存模组提供的内存带宽目前还未成为DIY PC系统的性能瓶颈，因此淘汰DDR2的换代动力并不是很强劲，DDR3只是按技术研发的步伐的来到我们面前，有一种Intel未雨绸缪的意味。

产品：2GB DDR3 1333 套装（CM3X2048-1333C9DHX） 海盗船 内存

测试平台的硬件、软件信息

测试平台的硬件、软件信息

　　● 测试系统的硬件环境

　　测试使用的硬件平台由Core 2 Duo E6850 CPU、基于P35 Express的两款主板、Geforce 8800 GTS显卡及900W输出功率的电源供应器构成。

系 统 硬 件 环 境
中央处理器	Intel Core 2 Duo E6850 ( 双核 / 333MHz*9 / 4MB共享L2缓存 )
内存模组	ADATA Vitesta Extreme Edition DDR2-1066 1GB *2 ( SPD 1066_5-5-5 ) ADATA MEMORY EXPERT DDR3-1333 1GB *2 ( SPD 1333_9-9-9 ) CORSAIR  DOMINATOR XMS2 DDR3-1800 1GB *2 ( SPD 1333_9-9-9 ) elixir DDR3-1066 1GB *2 ( SPD 1066_7-7-7 ) KINGBOX Ultra DDR3-1600 1GB *2 ( SPD 1333_8-8-8 ) KingMAX DDR3-1066 1GB *2 ( SPD 1066_7-7-7 ) Kingston HyperX DDR3-1333 1GB *2 ( SPD 1333_8-8-8 ) SAMSUNG DDR3-1066 1GB *2 ( SPD 1333_7-7-7 )
主板	ASUS Blitz Extreme ( P35+ICH9R / PCB版本1.00G / BIOS版本0503 ) ASUS Blitz FORMULA ( P35+ICH9R / PCB版本1.00G / BIOS版本0304 )
显示卡	NVIDIA Geforce 8800 GTS ( Geforce 8800 GTS / 640MB / 核心:515MHz / 内存:1600MHz )
硬盘	Seagate Barrcuda 7200.10 ST3320620AS ( 320GB / 7200RPM / 16MB缓存 / 50GB NTFS系统分区 )
电源供应器	Topower TOP-900W ( ATX12V 2.0 / 900W )
显示器	SAMSUNG SyncMaster 305Ts ( 30英寸LCD / 2560*1600分辨率 )

　　● 测试系统的软件环境

系 统 驱 动 及 软 件 环 境
操作系统	Microsoft Windows XP Professional ( 英文版 / 版本号SP2 2002 )
主板芯片组驱动	Intel Chipset Software Installation Utility ( WHQL / 版本号8.4.0.1013  )
显卡驱动	NVIDIA Forceware for Geforce 8 ( WHQL / 版本号163.75 )
声卡驱动	Analog Devices SoundMAX HD ( WHQL / 版本号5.10.1.4560 )
桌面环境	2560*1600_32bit＠60Hz

 

测 试 软 件 相 关 介 绍
性 能 测 试 软 件
整机性能测试软件	PCMark 05 ( Futuremark / 版本号1.20 )
子系统测试软件	everest ( Lavalys / 版本号4.20.118 ) Sandra XII ( SiSoftware / 版本号2008.2.12.30 )
科学计算软件	Sciencemark ( Alexander Godrich.B.S. / 版本号2.0.21 ) SuperPI ( Kanada Lab / 版本号Mod1.5 XS )
视频、音频压缩软件	Lame ( www.mp3dev.org / 版本号3.97/ 使用一个500MB .wav文件以320bit率压缩成MP3文件，外壳使用Razor )  H.264 Encoder ( MainConcept / 版本号2.0.15/ 使用一个1GB DVD文件压缩成H.264编码mpv文件 ) WinRAR ( Alexander Roshal / 版本号3.71  )
3D游戏相关软件	3DMark 06 ( Futuremark / 版本号1.02 / 使用默认渲染路径 ) Quake 4 ( idSoftware / 版本号1.0.1262 / 画面特效及细节High、使用自带DEMO1测试 )
系统信息获取	CPU-Z ( www.cpuid.com / 版本号1.41 )

 

产品：2GB DDR3 1333 套装（CM3X2048-1333C9DHX） 海盗船 内存

测试主板说明和超频测试设定

测试主板说明和超频测试设定

　　●  DDR3：ASUS Blitz Extreme

　　以ASUS Blitz为代表的Intel P35 Express芯片组主板是目前最优秀的DDR3 SDRAM内存模组超频平台。Blitz Extreme能够提供不同FSB:DRAM比例下均一的内存超频稳定性，BIOS中的超频选项强大全面，配合1333MHz FSB的Core 2 Duo E6850 CPU，笔者将挑战DDR2-1600及更高频率。

ASUS Blitz Extreme

　　以1333MHz FSB处理器为例（或是是超频到1333MHz），Blitz Extreme将提供800MHz--5:3、1066MHz--5:4、1333MHz--1:1这三种FSB:DRAM频率比例设定，Blitz Extreme在所有频率比例上，内存模组能够达到的频率上限差不多，差距不会超过5%，这给测试带来了极大的方便。

　　在时序调节和电压控制上，Blitz Extreme一样非常完善，电压方面支持最高2.4V的内存模组电压设定，同时还支持MCH、FSB Termination的电压调节，能够给超频内存提供足够多的支持。

　　●  DDR3模组超频设定

　　具体内存模组测试中，笔者将分别尝试找到每款产品以双通道配置下、在Blitz Extreme主板上、时序7-7-7-18和9-9-9-30两种状况下的稳定运行频率上限。这两种时序分别代表优化和劣化延迟，具体的模组工作电压将根据产品不同设定在2.0V-2.2V（部分产品高于2.0V不能稳定工作）。

　　判断稳定与否的软件是SuperPI，以通过32M计算为准，而测试过程中笔者将使用333MHz FSB Strap，FSB:DRAM限定在5:3和1:1两种，并尽量通过降低倍频而把CPU频率限制在3GHz以内降低CPU超频带来的稳定性干扰。

　　影响到内存系统性能的原因多样，在外部主要是位于主板芯片组内的或者位于CPU内部的内存控制器决定，内存本身的性能影响因素包括频率和延迟两个方面，其中延迟在应用中将以时序参数的设定来体现。以DDR SDRAM/DDR2 SDRAM的SPD内部规定的时序参数为例，类似“3-3-3-8”的标称中的4个数字的含义依次为：

　　CAS Latency，内存CAS延迟时间。
　　RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。
　　Row－precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间。
　　Row－active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。

　　这是玩家最关注的4项时序调节，在大部分主板的BIOS中可以设定。在AMD K8处理器平台和部分非Intel设计的对应Intel处理器芯片组上，还支持内存模组的CMD 1T/2T Timing调节，通常认为这一部分设定对内存性能影响较大，其重要性等同于CAS Latency设定。

　　●  DDR2：ASUS Blitz FORMULA

ASUS Blitz FORMULA

　　Blitz FORMULA是和Blitz Extreme同系列的主板，也是基于P35 Express芯片组，但需要配置DDR2内存模组。Blitz FORMULA的操作特征和Blitz Extreme几乎完全相同，在测试中用做DDR2平台和DDR3平台对比，这里不再过多叙述。

　　●  对比测试设定

　　>>Core 2 Duo E6850  CPU部分固定频率在3GHz；
　　>>Blitz Extreme上使用428MHz*7 CPU和DDR2-1716_7-7-7内存设定；
　　>>Blitz Extreme上使用428MHz*7 CPU和DDR2-1716_9-9-9内存设定；
　　>>Blitz Extreme上使用333MHz*9 CPU和DDR3-1333_7-7-7内存设定；
　　>>Blitz Extreme上使用333MHz*9 CPU和DDR3-1066_7-7-7内存设定；
　　>>Blitz FORMULA上使用333MHz*9 CPU和DDR2-1066_4-4-4内存设定；
　　>>Blitz FORMULA上使用333MHz*9 CPU和DDR2-800_5-5-5内存设定；　　　　　

　　 接下来我们进入具体产品介绍，其中每款产品介绍的后面都将附带超频上限和对应截图。

产品：2G DDR3 1066 威刚 内存

DDR3内存：ADATA MEMORY EXPERT DDR3-1333

DDR3内存：ADATA MEMORY EXPERT DDR3-1333

　　●  模组外部状况

　　 著名内存模组厂商ADATA（威刚）率先在去年就展出过DDR3内存模组，次次送测了威刚ADATA品牌下的Memory Expert系列的一对DDR3-1333速度产品。ADATA Memory Expert系列产品在零售市场上并不多见，台式机内存模组更多的以红色威龙和品牌万紫千红两个系列面向消费者，而Memory Expert这种中规中矩的标准型号更多的出现在新技术的磨合期。

MEMORY EXPERT DDR3-1333内存模组

　　这是一组non-ECC unbuffered 240pin 1024MB DDR3SDRAM内存模组，型号为M3OQM5G3I4130A1C5Z，双面贴装16枚内存芯片配置，用料足量，做工精上乘。

 
M3OQM5G3I4130A1C5Z概貌

产品标签状况

　　产品标签上标明了模组型号、产品编号、运行速度和标准延迟信息，这个标签还起到验明正身的作用，保留好它是产品能享受质保的必要条件。

内存芯片状况

　　模组配置的芯片来自于Qimonda（奇梦达），型号为IDSH51-03A1F1C-13G，芯片内部为8banks，组织形式64M*8bit=512Mbit，它的标称运行状态为DDR3-1333 CL8。

　　●  ADATA MEMORY EXPERT DDR3-1333 SPD分析

M3OQM5G3I4130A1C5Z的SPD状况

　　CPU-Z 1.41显示的M3OQM5G3I4130A1C5Z SPD信息如上图，模组容量、速度、制造商可以识别，其他部分信息未注明。内存时序表部分包含4套设置，其中包括DDR3-833_5-5-5-15，DDR3-1000_6-6-6-18，DDR3-1176_7-7-7-21和DDR3-1333_8-8-8-24。

　　●  超频结果

DDR3-1280_7-7-7-18

DDR3-1500_9-9-9-30

　　在2.2V工作电压下，ADATA MEMORY EXPERT DDR3-1333内存模组在CL7时频率上限为DDR3-1280，在CL9时频率上限为DDR3-1500。

产品：2GB DDR3 1333 套装（CM3X2048-1333C9DHX） 海盗船 内存

DDR3内存：CORSAIR XMS3 DDR3-1800

DDR3内存：CORSAIR XMS3 DDR3-1800

　　●  模组外部状况

　　 以超频型模组起家的CORSAIR（海盗船）早年一度就是高端内存的代名词，在群雄并起之后，CORSAIR仍然凭借实力和不断创新继续保持着超一流品牌的地位，此次测试收到的标称最强产品正是来之于它。

XMS3 DDR3-1800套装

　　CM3X1024-1800C7D为non-ECC unbuffered 240pin 1024MB DDR3 SDRAM内存模组，标称运行频率高达1800MHz（DDR）并提供CL7的低延迟。这款内存在黑色的DHX外壳下使用了独特设计的黑色PCB，产品做工异常精湛。DHX (Dual-path Heat Xchange)散热器设计是CORSIAR首创，这种内存外壳最大的特点是有着类似梳子齿状的密集鳍片。

DHX技术构造

　　CORSAIR的DHX技术并非简单的在普通内存模组PCB两侧加装异型外壳了事，它的模组PCB也经过了特殊设计，其上延有大面积敷铜直接和铝片接触，最快速度把芯片在PCB上积聚的热量传导至散热片，还能够配合选购的专用风扇，达到进一步强化内存散热的DIY系统。

 
CM3X1024-1800C7D概貌

　　透过外壳缝隙，可以看到1GB单根容量的CM3X1024-1800C7D内存模组为双面配置，16枚内存芯片贴装在PCB正反两面。

 
更多产品细节

KHX11000D3LLK2/2G产品标签

　　 产品标签包含了内存模组的型号、容量、速度、标准运行延迟等信息。此产品DDR2-1800的标称时序为7-7-7-20，标称稳定运行的工作电压2.0V，比DDR3的标准工作电压为1.5V高33%。为了防止产品损坏，笔者没有拆除内存模组的外壳，产品使用的内存芯片状况无法取得。

　　●  CORSAIR XMS3 DDR3-1800 SPD分析

CM3X1024-1800C7D的SPD状况

　　CPU-Z 1.41显示的CM3X1024-1800C7D SPD信息如上图， 模组容量、速度、制造商可以识别，其他部分信息未注明。内存时序表部分包含3套设置，其中包括DDR3-888_6-6-6-16，DDR3-1184_8-8-8-22和DDR3-1333_9-9-9-24。

　　很明显，在默认时序表的角度看，这是一套普通的DDR3-1333内存模组，标称的DDR3-1800_7-7-7-20需要用户手动调节获得，CM3X1024-1800C7D事实上是通过工厂级别的特挑获得。

　　●  超频结果

DDR3-1720_7-7-7-18

DDR3-1740_9-9-9-30

　　在2.2V工作电压下，CORSAIR XMS3 DDR3-1800内存模组在CL7时频率上限为DDR3-1720，在CL9时频率上限为DDR3-1740。这虽然是本次测试的最高超频频率产品，但还是没有达到其DDR3-1800 CL7的产品标称，笔者尝试进一步提高电压也未得到满意的结果。

产品：512MB DDR2 800 南亚易胜 内存

DDR3内存：elixir DDR3-1066

DDR3内存：elixir DDR3-1066

　　●  模组外部状况

　　DRAM芯片制造商自己出品的内存模组都是稳定性、兼容性最佳的保证，被DIY玩家称为“原厂条”而得到追捧。但在零售市场的正规渠道上，用户能够买到的原厂模组不多，这些DRAM大厂对于模组品牌的着墨远比模组品牌上来的少，产品也更多的供应需求大量、稳定的OEM领域。近几年这样的情况有些一些改变，台系厂Nanya（南亚）现在也以elixir（易胜）品牌开始在零售模组市场上拼杀，并获得讯怡的强力渠道支撑。

elixir DDR3-1066 1GB*2内存模组

　　这是两根DDR3-1066速度、non-ECC unbuffered 240pin 512MB DDR2 SDRAM内存模组，型号为M2Y1G64CB8HA1N，共2GB容量。DDR3-1066速度是JEDEC官方规格的入门级别的DDR3，得到目前最新系统平台的广泛支持。

 
M2Y1G64CB8HA1N概貌

　　elixir的新产品面向零售市场，但内存模组的外形设计仍是标准产品保守风格，只是在PCB涂装上采用了漂亮的蓝色，凸显出和大众化的绿色一丝不同。内存双面贴装16枚片内存芯片，金手指镀层饱满，PCB上贴片电阻密布，各处的细节表现都体现出了大厂产品的精工细造风格。

产品标签信息

　　产品标签提供的信息包括产品型号、容量、速度和延迟。elixir内存使用无铅工艺制造。

内存芯片信息

　　模组使用的芯片为elixir N2CB51280AN-BE。此芯片为标称1.8ns速度的512Mbit规格，使用70nm工艺制造，78pin FBGA封装，标准工作电压1.5V。

　　●  elixir DDR3-1066 SPD分析

M2Y1G64CB8HA1N的SPD状况

　　CPU-Z 1.41显示的M2Y1G64CB8HA1N SPD信息如上图， 模组容量、速度、产品编号可以识别，其他部分信息未注明。内存时序表部分包含3套设置，其中包括DDR3-914_6-6-6-18，DDR3-1066_7-7-7-20和DDR3-1218_8-8-8-23，表内提供了一组高于DDR3-1066标称的运行可能。

　　●  超频结果

DDR3-1200_7-7-7-18

DDR3-1260_9-9-9-30

　　这款内存无法工作在较高电压下，因此加压仅至2.0V。elixir DDR3-1066内存模组在CL7时频率上限为DDR3-1200，在CL9时频率上限为DDR3-1260，在频率优化方面表现一般。

产品：1GB DDR3 1600 黑金刚 内存

DDR3内存：KINGBOX Ultra DDR3-1600

DDR3内存：KINGBOX Ultra DDR3-1600

　　●  模组外部状况

　　来自台湾省的KINGBOX（黑金刚）是近年人气急升的内存模组品牌。黑金刚的台式机内存模组目前存在两个系列：针对于超频用户的悍将版Ultra和面向主流用户的金刚版Express，它们都拥有三年保换、终身保修、全国联保的优质售后服务。分类清晰的产品规划和名副其实的高品质使其在DIY用户中获得了不错的声誉。

KINGBOX DDR3-1600 1GB*2内存模组

　　黑金刚此次送测了两只non-ECC unbuffered 240pin 1024MB DDR2 SDRAM内存模组，标称频率达DDR3-1600，直追国际顶级品牌的顶级产品规格，此模组型号为UL1GD31600PS。

 
UL1GD31600PS模组概貌

　　KINGBOX Ultra DDR3-1600 1GB内存模组使用了独特的6层双色PCB设计，PCB正面红色、背面暗紫色，用料充足，做工精湛。16片内存芯片贴装于PCB正反两面。

产品标签状况

　　KINGBOX Ultra DDR3-1600 1GB的产品标签提供的信息包括产品型号、容量、速度及每根模组唯一的数字S/N编号，但缺少CAS延迟标注。

内存芯片信息

　　模组使用的芯片为Qimonda IDSH51-03A1F1C-13G，是8banks、64M*8bit=512Mbi组织形式的DDR3-1333 CL8高端芯片，标准工作电压1.5V。

　　●  KINGBOX DDR3-1600 SPD分析

UL1GD31600PS的SPD状况

　　CPU-Z 1.41显示的UL1GD31600PS SPD信息如上图，模组容量、速度、制造商可以识别，其他部分信息未注明。内存时序表部分包含4套设置，其中包括DDR3-833_5-5-5-15，DDR3-1000_6-6-6-18，DDR3-1266_7-7-7-21和DDR3-1333_8-8-8-23， 为主流DDR3-1333模组的水平，DDR3-1600的标称值需要手动调节才能获得。

　　●  超频结果

DDR3-1260_7-7-7-18

DDR3-1620_9-9-9-30

　　在2.2V工作电压下，KINGBOX Ultra DDR3-1600内存模组在CL7时频率上限为DDR3-1260，在CL9时频率上限为DDR3-1620。

产品：KINGMAX 1GB DDR3 1066 胜创 内存

DDR3内存：KingMAX DDR3-1066

DDR3内存：KingMAX DDR3-1066

　　●  模组外部状况

 　　KingMAX（胜创）曾将在国内市场扮演超频内存的引路人角色，率先在大陆玩家群体中普及内存超频概念，只是近年的表现相对低调，更多的在标准型产品和市场渠道中默默耕耘，激进的产品并不很多。不过这次KingMAX的表现相当积极，很快送来了自家的DDR3-1066内存模组参与横测。

KingMAX DDR3-1066 1GB*2内存模组

　　KingMAX送测的是一组non-ECC unbuffered 240pin 1024MB DDR3 SDRAM内存模组，型号为FLED45F-A8EB7。它没有附带彩色的铝质外壳，没有附加散热装置，甚至连产品标签都还是普通的内敛风格。

 
FLED45F-A8EB7概貌

　　产品用料和做工沿袭了KingMAX一贯的高品质，红色的BGA封装防伪芯片也是KingMAX的特色功能之一，用户只需找到这个醒目的标志，就能够认定自己买到的是真品，这种易辨设计目前还没有其他产品复制。

产品标签状况

　　KingMAX DDR3-1066内存模组的产品标签包含了产品型号、容量、速度和编号等信息，但缺少标准运行延迟。这款内存已经使用符合RoHS要求的无铅工艺和材料制造。

内存芯片状况

　　模组配置的芯片来自于ELPIDA（尔必达），型号为J5308BASE-AE-E，从其官方网站查询可得，此芯片为DDR3-1066_7-7-7型，为DDR3-1066芯片中端产品，其内部为8banks，组织形式64M*8bit=512Mbit。

　　●  KingMAX DDR3-1066 SPD分析

FLED45F-A8EB7状况

　　CPU-Z 1.41显示的FLED45F-A8EB7 SPD信息如上图，模组容量、速度、制造商可以识别，其他部分信息未注明。内存时序表部分包含2套设置，其中包括DDR3-1266_7-7-7-20和DDR3-1218_8-8-8-23。

　　●  超频结果

DDR3-1480_7-7-7-18

DDR3-1540_9-9-9-30

　　在2.2V工作电压下，KingMAX DDR3-1066内存模组在CL7时频率上限为DDR3-1480，在CL9时频率上限为DDR3-1540，其中CL7超频表现在DDR3-1066产品中属上游。

DDR3内存：Kingston HyperX DDR3-1333

　　●  模组外部状况

　　全球最大的内存模组制造商，金士顿（Kingston）以ValueRAM系列标准型产品主攻主流市场的同时，也面向高端用户持续推出HyperX系列产品供极限性能、超频应用。Kingston HyperX还是ASUS超频型主板的“御用产品”，双方有深度的合作。

双根套装模式的HyperX系列顶级型号DDR3

　　这套内存型号为KHX11000D3LLK2/2G的双条套装，含两根non-ECC unbuffered 240pin 1024MB DDR3  SDRAM内存模组，标称运行频率高达1333MHz（DDR）。

　　透过外壳缝隙，可以看到1GB单根容量的KHX11000D3LLK2内存模组为双面配置，16枚内存芯片贴装在PCB正反两面。产品的用料、做工细节无可挑剔，同时一如既往的在内存PCB表面配置亮蓝色铝质外壳，这种HyperX系列模组特有的外形已经延续多年，在用户群中有广泛的认知。

 
HyperX KHX11000D3LLK2/2G概貌

　　KHX11000D3LLK2在DDR2-1333下以双通道配置能够提供22GB/s的理论带宽，这已经大大超出了目前所有CPU的内存带宽需求，并且也能够满足最尖端1333MHz FSB Core 2处理器超频的内存配合需要。

 
品牌、DDR3和绿色环保logo

KHX11000D3LLK2/2G产品标签

　　产品标签包含了内存模组的型号、容量、速度、标准运行延迟等信息。因为内存铝质外壳直接粘贴在芯片表面，为避免损坏脆弱的FBGA芯片，笔者没有强行取下它们，也就无法了解DRAM制造商提供的芯片标识。此产品DDR2-1333稳定运行的工作电压为1.8V。

　　●  HyperX DDR3-1333 SPD分析

KHX11000D3LLK2的SPD状况

　　CPU-Z 1.41显示的KHX11000D3LLK2/2G SPD信息如上图，模组容量、速度可以识别，其他部分信息未注明。内存时序表部分包含4套设置，其中包括DDR3-833_5-5-5-15，DDR3-1000_6-6-6-18，DDR3-1266_7-7-7-21和DDR3-1333_8-8-8-23，为主流DDR3模组的水平。

　　●  超频结果

DDR3-1400_7-7-7-18

DDR3-1480_9-9-9-30

　　在2.2V工作电压下，Kingston HypreX DDR3-1333内存模组在CL7时频率上限为DDR3-1400，在CL9时频率上限为DDR3-1480，DDR3-1333的标称已经相当接近产品的极限。

DDR3内存：SAMSUNG DDR3-1066

　　●  模组外部状况

　　SAMSUNG（三星）作为全球最大的DRAM芯片供应商，无论是技术实力还是产能都是业界首屈一指，同是它还是少数以原厂模组稳定供应零售市场的品牌之一，并以“金条”将产品命名，毋庸置疑的产品品质几年来得到国内DIY用户的广泛认可。

SAMSUNG DDR3-1066内存模组

　　这是一套中规中矩的non-ECC unbuffered 240pin 1024MB DDR3 SDRAM内存模组，型号为M378B2873CZ0，在韩国原厂组装，样式和SAMSUNG供应OEM市场的产品没有区别，缺少美化和修饰，但制造和用料水准都是一流。

 
M378B2873CZ0概貌

　　M378B2873CZ0是本次测试中唯一一款单面模组，只在PCB正面贴装了8枚芯片，这意味着芯片的单颗容量为1Gb。

产品标签状况

　　印刷规范的产品标签包含了内存模组的型号、容量、速度、标准运行延迟以及产地等信息，模组整体使用无铅工艺制造。

内存芯片状况

　　模组配置的芯片来自于SAMSUNG自家，型号为K4B1G0846C-ZCF8，其内部为8banks，芯片为DDR3-1066_7-7-7型，组织形式128M*8bit=1024Mbit，工作电压1.5V。

　　●  SAMSUNG DDR3-1066 SPD分析

M378B2873CZ0的SPD状况

　　CPU-Z 1.41显示的M378B2873CZ0 SPD信息如上图，模组容量、速度、制造商、编号、日期可以识别， 相对较为完善。内存时序表部分包含3套设置，其中包括DDR3-914_6-6-6-18，DDR3-1066_7-7-7-20和DDR3-1218_8-8-8-23。

　　●  超频结果

DDR3-1500_7-7-7-18

DDR3-1640_9-9-9-30

　　SAMSUNG这款内存也无法工作在较高电压下，因此加压仅至2.0V。内存模组在CL7时频率上限为DDR3-1500，在CL9时频率上限为DDR3-1640，在本次测试中仅次于最强的CORSAIR模组，但这仅是一款标称DDR3-1066产品，超频能力让人侧目。

超频成绩汇总和标称设定下性能对比

　　以下是所有内存模组的超频成绩汇总，以及各自在其标称频率下的SuperPI测试成绩，由于内存模组相同频率、时序下的测试成绩相差不大，各模组之间标称值以及超频后的成绩对比不是本次测试的重点，后文将选取几个典型的DDR3设定并加入DDR2设定进行深入的测试对比。

　　● 超频结果对比

　　● 标称频率下PI_8M成绩

　　由于COSAIR的标称值无法达到、KINGBOX产品的标称值无法把CPU设定在3GHz影响测试公正性，这两款内存分别设定在DDR3-1716_7-7-7和DDR3-1500_8-8-8来完成测试，此时CPU分别为428*7和375*8设定维持在3GHz。

综合性能对比：内存子系统理论性能一

　　CPU和内存性能联系紧密，很多情况下不能割裂开来分别讨论，这里的测试均在固定的3GHz主频CPU下完成，虽然FSB频率设定有别，但内存带宽所受CPU性能影响比较的情况被降到最低。

　　● everest

　　DDR3-1716的两个系统P5K3在everest的内存读写入和拷贝项目中分数很高，并在实际延迟测试中表现出色，整体遥遥领先。DDR3-1333_7-7-7的性能和DDR2-1066_4-4-4大致相当，而DDR3-1066_7-7-7成绩甚至还低于DDR2-800_5-5-5。

　　● PCMark 05

　　PCMark 05的内存测试同样垂青于超高频率的两个顶尖设定，其他部分的分数排布顺序和everest基本相当。

综合性能对比：内存子系统理论性能二

　　● Sandra XII

　　Sandra的XII内存测试部分几乎是内存带宽理论峰值的体现，DDR3-1716的两个设定领先其他系统很多，值得指出的是，unbuffered项目排除了CPU指令集的优化（干扰）较能体现系统纯粹的内存性能。

　　所有三个内存子系统理论测试软件的测试结果显示出了一致性：DDR3-1716_7-7-7和DDR3-1716_9-9-9列第一梯队，DDR3-1333_7-7-7和DDR2-1066_4-4-4处于中游，DDR3-1066_7-7-7和DDR2-800_5-5-5处于最末。

综合性能对比：视频、音频、文件压缩性能

　　视频编码音频编码测试均为计时项目，完成相同任务前提下用时最少为性能最佳。

　　● H.264编码

　　H.264编码应用对内存性能表现出了不错的敏感度，无论是频率还是时序，前面理论内存性能测试表现较好的系统，这里表现也较好。

　　● Lame MP3编码

　　MP3编码应用对内存性能几乎没有反馈，所有的不同内存配置系统得到了完全一样的成绩。

　　● WinRAR文件压缩

　　WinRAR测试是对内存真实性能非常敏感的一个应用，两个DDR2-1716系统获得了超高的分数。

综合性能对比：系统科学计算

　　● Sciencemark2

　　Sciencemark2测试包涵盖了多种不同类型的科学计算类脚本，实时模拟x86 PC上的科学计算性能，其中的流计算应用对内存性能尤其敏感。

　　两个DDR2-1716系统在Stream测试中获得了大幅度的领先，内存高频率在某些持续数据通过I/O类应用中优势明显，其他部分表现较为突出的是DDR2-1066_4-4-4系统。

　　● SuperPi

　　为超频爱好者惯用的SuperPI测试中，DDR3-1716_7-7-7系统一枝独秀，对于冲击极限Pi分数的超频玩家而言，升级至超高频DDR3系统显然是有必要的，但要注意高频也需要低延迟来配合，DDR3-1716_9-9-9在这里的表现就相对一般。

综合性能对比：整机3D娱乐性能

　　鉴于本次测试使用的是娱乐类3D加速卡，图形相关测试分为D3D合成测试软件和3D游戏两部分，这两个相关测试更多的是考察GPU的性能，但较低分辨率下的游戏测试很容易让CPU/内存子系统成为瓶颈，内存性能的到体现。

　　● 3DMark 06

　　● Quake 4

　　3DMark和Quake 4都是在众多3D娱乐测试软件中对CPU、内存子系统性能较为依赖的应用，其中Quake 4在测试中表现出了较强的敏感性，DDR3-1716-7-7-7系统获得了140.2的平均帧速率，高过顶级DDR2系统DDR2-1066_4-4-4系统约7%，这在CPU和GPU固定的前提下已经非常可观。

产品应用指南和全文总结

　　● DDR3的存在的意义

　　就像几年前唱衰初生的DDR2一样，目前有相当多的PC技术Fans对DDR3的出现抱抵制态度。确实，本文测试的一方面支持了这样的观点：DDR2-1066低延迟内存模组在整体性能上并不比DDR3-1333_7-7-7这个级别的产品来的慢，而还有大量用户甚至能把它们的”极品“DDR2超频至DDR2-1200以上来使用。

　　不过我们还需要回忆的事实是，当年的DDR-500也曾把DDR2-533/667打得落花流水，但这终究是落暮的老朽对新秀的最后一次搏击，仅在DDR3产品问世半年就出现的超过DDR3-1700频率的超级产品已经验证了这种新技术的强横实力：DDR3-1716_7-7-7系统在本文中一马当先，不可战胜。而不远的未来，更强的DDR3无疑将陆续到来，从存储单元频率的角度考虑，高端DDR3内存模组至少能达到2133MHz（DDR）以上的规格，DDR2又如和能望其项背？

DDR3是下一站天王

　　不错，DDR3目前的价格4倍甚至过多于同档次的DDR2产品，并非是我们购买的良机，但对于这种新产品持有乐观态度才是正确的，它代表着未来的方向，我们对其保持足够的关注，才能更了解它，在不远的日子里第一时间享受高性能带来的快感。

　　● 哪些产品更优秀

我是狂热型玩家 如何选择？

　　当然，也有少数狂热的PC玩家在此刻就决定购入DDR3来亲身体验，这自然产生在产品方面的疑惑。

　　DDR3的最大优势就是高频，如果忽略了这一点而去追求什么性价比倒不如去购买DDR2。就模组产品而言，CORSAIR的DDR3-1800和KINGBOX的DDR3-1600无疑是首选，它们在出厂规格上保证了相当高的频率，而其他产品的超频能力多少需要运气，本文的测试并不能代表市售产品的全部，哪些标称值较低的模组也许在用户购买到手时并不一定表现的如本文中一样强力。

　　更为聪明的玩家也会在模组使用的内存芯片上寻找规律，CORSAIR的芯片未知，但使用SAMSUNG、Qimonda和ELPIDA芯片的模组在本次测试的表现都还不错，值得超频玩家去尝试新高，相对而言的台系芯片仍然表现一般。

　　笔者无法预测DDR3真正的黄金时期，但按正常的规律，当Intel发售第二代DDR3芯片组时，DRAM厂商将不得不全力跟进，更成熟更高速的芯片和模组也会大量涌现。

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