奇梦达最后的王牌：Buried Wrodline

　　随着南亚(Nanya)与镁光(Micron)合作开发50nm的新制品后，奇梦达(Qimonda)也发表了Buried Wordline新技术。Buried Wordline的宣布表示58nm将是沟槽式(Trench)技术发展的最后阶段，显示沟槽式技术无论是在技术开发与材质上的物理特性皆已发展到上限，因此未来58nm以下的制程发展将全数使用堆栈式(Stack)技术。而Buried Wordline与堆栈式技术最大的不同点在于Buried Wordline是将Wordline埋在晶圆表面之下，而堆栈式技术将Wordline置于晶圆表面之上，正因为Buried Wordline的设计会使线路排列的更为紧密，就相同制程做比较，整个裸晶(Gross die)的尺寸会小于堆栈式技术，将更为有效地节省生产成本。

　　设备商方面，也针对Buried Wordline的技术展开相对应的开发工作，试图直接将现有机台改良成可以使用Buried Wordline技术的机台。但值得注意的是如果只有奇梦达(Qimonda)或是其它少数DRAM厂采用Buried Wordline技术，届时机台开发成本将全数转嫁至DRAM厂商身上，因此如何扩大Buried Wordline的阵营，将是奇梦达(Qimonda)未来必须要考虑的方向。