明星编辑● 内存延迟知多少？
早在DDR2时代开始，用户便开始关注内存延迟等参数，而且较高延迟内存也被很多DIY玩家称作“鸡肋”。如今DDR3内存风生水起，但是该规格内存延迟过高更加令用户们嗤之以鼻。笔者从论坛上得知，低延迟在不少用户的心目中是与高性能划等号的，而厂商为了迎合这些玩家亦推出了相应的低延迟内存产品，当然这些内存价格比普通内存要贵出不少，那么究竟多花出的钱到底和性能提升成不成正比呢？今天答案就能揭晓。
● 什么是内存延迟？
内存延迟表示系统进入数据存取操作就绪状态前等待内存相应的时间，它通常用4个连着的阿拉伯数字来表示，例如“5-6-6-18”。其实并非延迟越小内存性能越高，因为CL-TRP-TRCD-TRAS这四个数值是配合使用的，相互影响的程度非常大，并且也不是数值最大时其性能也最差，那么更加合理的配比参数很重要。
上图我们看到这款海盗船内存频率为1066MHz，延迟为“5-6-6-18”，它们代表的意义从左往右分别是：
CAS Latency，即列地址选通脉冲时间延迟，我们常说的CL值就是它。指的是内存存取数据所需的延迟时间，简单的说，就是内存接到CPU的指令后的反应速度。
RAS－to－CAS Delay（tRCD），对应于CAS，RAS是指Row Address Strobe，行地址选通脉冲。CAS和RAS共同决定了内存寻址。RAS（数据请求后首先被激发）和CAS（RAS完成后被激发）并不是连续的，存在着延迟。即内存行地址传输到列地址的延迟时间。
Row－precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间，即内存从结束一个行访问结束到重新开始的间隔时间。
Row－active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。是指从收到一个请求后到初始化RAS（行地址选通脉冲）真正开始接受数据的间隔时间。
BIOS中调节内存延迟参数
由于内存的读写速度远远落后于CPU的处理速度，因此减少这些读写延迟理论上可以提高内存甚至是整个PC系统的性能。实践才是检验真理的唯一标准，同频率内存下更低的延迟性能能够提升多少呢？下面就让我们通过实际测试获得答案。
