回想起在04年6月的时候Intel还刚刚发布915/925芯片组。i915/925的诞生，则可以称得上是一次平台革命。首先，Intel 915/925芯片组引入了PCI-Express总线，另外还引入了HD Audio（高保真音频）、Matrix Storage（矩阵存储技术）以及DDR2等先进技术。回想起来DDR2到现在也已经一年有余,而DDR2内存在这一年中的发展也波澜起伏。
仪仗队进行检阅
DDR2上市初期并没有获得广大的用户所接受，产能、价格成为当时制约DDR2内存发展的两个重要因素。到目前，在全球可以提供最新DDR2内存颗粒的主要芯片厂商主要有五家，包括Samsung（三星）、Infineon（英飞凌）、Hynix（现代）、Micron（美光）、Elpida（尔必达），这些芯片供应商除提供DDR2内存颗粒之外，还会提供DDR内存颗粒的制造，这是我们所熟悉的内存芯片供应体系；但是做为芯片厂商，他们的产品线不可能如此单一，特别是当前数码和移动通信产业快速发展的情况下，这些厂商也需要同时提供诸如NAND flash闪存芯片和SDRAM存储芯片等产品，即使如三星半导体如此业内大厂也在不久前因为繁荣发展的NAND闪存芯片市场而转变生产策略，将存储芯片的发展重心转移到该市场上，从而忽略PC用DDR内存颗粒的供货而导致价格上升。
英飞凌DDR2内存
另外在去年上市之初，新产出的DDR2内存颗粒主要会供给OEM厂商，他们主要用于最新的显卡和内存产品中。至于零售市场，业内仍然采用比较保守的方法：如果有用户需要使用到DDR2内存模组，则需要专门向厂商，或者上游供货商单独特别订购，或者采用随配套主板捆绑销售的模式。主要目的是降低了投资风险。当时单根容量为512MB规格是DDR2 533的内存单条售价高达1900元，也使许多消费者望而却步。态势随着新年的钟声一直保持到了2005年，05年1月份内存市场比较平淡，市场主流内存仍以256M DDR和512M DDR为主。虽然各大内存厂商力推DDR2内存，但是居高不下的价格并没有引起消费者过多的热情。05年3月份国内内存市场价格依然全面下跌，主流品牌内存降价幅度高达100元左右，而且继续呈现下滑趋势。在3、4、5三个月内，DDR内存的持续降价引来了一阵购买狂潮，同时也给DDR2内存在市场的普及带来了一定的冲击。与此同时Intel又发布了双核心处理器及支持双核心处理器的945/955芯片组主板，与之相关上一代915/925芯片组主板降价也是大势所趋。
支持64位运算处理器的上市也使Intel在CPU产品线上更加丰富，从高端的奔腾处理器到低端的赛扬处理器都以实惠的价格、良好的超频能力吸引着消费者。在内存方面大家可以发现有些DDR2内存甚至比DDR内存还要便宜，256MB的DDR2 533内存降到了190元，从而使更多的用户投入到新平台的选购中。
什么是DDR2呢？
DDR2是由电子元件工业联合会(Joint Electron Device Engineering Council),以下简称（JEDEC）生产厂商们制定的国际性协议，主要为计算机内存制定。工业标准的内存通常指的是符合JEDEC标准的一组内存。定义的全新的下一代DDR内存技术标准，已经在Intel BTX规格的代号Alderwood的i915P芯片组和代号Grantsdale的i925X芯片组及更新的945/955X芯片组中被完整支持。
DDR2工作原理：
大家都知道，内存基本工作步骤分为： 从系统预读数据 → 保存在内存单元队列 → 传输到内存I/O缓存 → 传输到CPU系统处理。
内存工作原理
DDR内存采用200MHZ的核心频率，通过两条路线同步传输到I/O缓存，实现400MHZ的是实际频率。DDR2采用100MHZ的核心频率，通过四条传输路线同步传输至I/O缓存，同样实现400MHZ的实际频率。
DDR2新技术简介：
DDR II的三个主要新特征：它们分别是OCD、ODT和Post CAS。
OCD
OCD（Off-Chip Driver），也就是所谓的离线驱动调整，DDR II通过OCD可以提高信号的完整性。DDR II通过调整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的电阻值使两者电压相等。也就是Pull-up=Pull-down。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性；以防止电源过大的电压和过少的电压令数据流失或令讯号变得更稳定。
ODT
ODT是内建核心的终结电阻器，我们知道使用DDR I SDRAM的主板上面需要大量的终结电阻，至少每根数据线需要一个终结电阻，这对主板来说也是不小的成本。信号线上使用终结电阻是为了防止数据线终端反射信号，因此需要一定阻值的终结电阻器。这个阻值太大或者太小都不好，阻值较大线路的信噪比较高但是信号反射较为严重，阻值小可以减小信号反射但是会造成信噪比下降。此外由于不同的内存模组对终结电阻的要求不可能完全一样，因此主板对内存模组也比较"挑剔"。
Post CAS
为了能令DDR 2内存更易增加时钟，DDR 2优化了读写的工作流程，加入了Posted CAS技术，可以令CAS指令(读写指令)能于下一个RAS(Active Command)指令后的工作时脉下开始，以往CAS同RAS必须相距一个时脉才可，这个技术减少了时脉的浪费，这样可令内存的时脉更易提升。
1.制作工艺更先进
新一代的DDR 2均是采用90-130纳米技术生产FBGA封装的，相比采用130-180纳米生产TSOPII封装的DDR内存来说成本大幅减低，以正常DDR TSOPII内存颗粒需要占261立方毫米大小的面积，但DDR 2的FBGA封装的颗粒只需占126立方毫米的面积，故此在同一个大小的晶圆下可生产更多的内存颗粒，当良品率提高后，其最终生产成本会比DDR低。
2.功耗更低
此外，DDR 2的耗电低亦同样较低，DDR2采用全新的240pin接口标准工作电压为1.8V，而DDR其采用184pin接口的标准工作电压是2.5V，这就意味着DDR2要比DDR的功耗低很多。以DDR 400及DDR 2 400为例，DDR需要527mW(Max)，但DDR 2却只需247mW(Max)。长时间使用下去是一笔不小的节约。
3.起始频率更高
上面介绍了DDR2采用了先进的制造工艺，生产成本及功耗降低的同时，它的起始频率会更高，更有利于提高系统整体性能。目前已经发布的DDR2内存标准频率有三种DDR2 400、533、667。仅以DDR2 400Mhz为例它与DDR400Mhz的所拥有的带宽是一样的3.2GB。而在双通道模式下DDR2 667可以提供10.6GB/S的惊人带宽！虽然JEDEC有DDR2 400内存规格标准，但是我们在市场中最常见到的DDR2内存基本上都已经是DDR2 533了。
4.容量更大
相对于起始容量仅为128MB的DDR来说DDR2内存起始容量就为256MB，往上可支持到512MB,1G。在桌面系统上提供了充足的容量保障。理论上DDR2内存颗粒所拥有的高密度特色，可以支持最高4G以上的容量，从而广泛应用于专业领域。随着电脑操作系统越来越庞大，对内存容量的需求更高，DDR2很快就有显身手的一天。
看完这些关于DDR2内存的介绍之后相信您对DDR2的技术有了一定了解，下面请看参加本次横评的18款DDR2内存。
（金士顿HYPERX 512MB DDR2 533MHZ外观）
加装了深蓝色散热片的金士顿HYPER X 512MB DDR2 533MHZ内存选用了常见的墨绿色PCB基板，“DDR”和“KINGSTON（金士顿）”字样非常的抢眼。产品采用了单面8内存颗粒规格规格设计，从产品的侧面可以看出整体做工严谨扎实，优选微型贴片电容和8PIN电阻排装贴整齐，焊点均匀饱满，顶端的VERF去耦电容也无省检，用料充足，完全体现出厂商一流的做工工艺。产品的正面右侧位置标贴了产品规格标签。
产品PCB背面依然采用了较好的“V”类过半覆铜设计，进一步保证了产品的可靠性和稳定性。
产品规格标签上标注了用以真假识别的安全序列号码（SECURITY ID#）：AVMI0820578，内存ID号码（MODULE ID#）：9905260-007.A00，产品序列号码（SERIAL#）：1789957-0999923。产品型号为KHX43002K2/1G，容量为512MB，工作频率为DDR2 533（等效于PC2-4300，双条带宽将高达10.8GB/S，工作电压1.85V，内存时序（SPD timings）为4-4-4-12完全按照JEDEC标准延迟周期设计，但支持3-3-3-4的低延迟周期，针脚数为240PIN，采用DDR2-DIMM接口规范。另外标签上的金士顿商标还可以产生颜色变化，起到了一定的防伪措施。
金手指采用技术较为成熟的化学镀金制造工艺，充分保证了金层的厚度和均匀度，延长了产品的使用寿命。
（默认状态CPU-Z中SPD信息）
在CPU-Z中显示的内存信息非常齐全，该款内存的容量为512MB,频率为PC4300(266MHz)即DDR2-533,生产厂商是Kingston（金士顿），产品编号为空，产品序列号为68158849，生产日期为05年第6周等。在下一栏中的SPD Tinings Table里可以看到该内存在266MHz下的SPD默认参数为4-4-4-12，200MHz下为3-3-3-9。
（最佳时序超频成绩）
在CPU-Z的Memory选项中显示，Timings一栏中在总线频率同步并且时钟频率保持不变的情况下产品时序参数最佳超频成绩为3-3-3-4。
（最佳频率超频成绩）
在CPU-Z的Memory选项中显示，Timings一栏中在CPU外频和前端总线频率异步比值为3:4并保持时序参数不变的情况下工作频率最高超频成绩为361.1MHZ。
产品采用一边紫色、一边红色的配色方案，其实这是因为KINGBOX内存全部采用自主的双色PCB板设计，即正面为红色，反面为紫色，这种设计除了外观时尚好看之外，按照厂商的说法还可以利用远红外线散热，能使内存的运作更加稳定,同时也起到防伪的作用。产品采用双面16内存颗粒规格设计，整体做工中规中矩，表面微型贴片电容和8PIN电阻排均装贴整齐，无任何缩水迹象，中央顶端还放置了一个光电二极管。产品正面左侧位置标贴了产品规格标签，右侧标贴了中国质检协会提供的防伪标签。
（Kingbox 512MB DDR2 533内存规格标签及特写）
产品规格标签上标注了容量为512MB，工作频率为DDR2-533（等效于PC4300）。工作电压1.8V，默认工作时序为4-4-4-12，最佳工作时序参数3-3-3-8。针脚数为240PIN，采用DDR2-DIMM接口规范，产地台湾。标有“KINGBOX（黑金刚）”字样的ALPIDA（尔必达）内存颗粒，规格采用64M×8bit，产品总位宽为64bit。颗粒编号为04450W616，产地日本。产品使用工艺较为成熟的化学镀金制造工艺，金手指表现色泽纯正光亮。
（默认CPU-Z中SPD信息）
在CPU-Z中显示的内存信息非常齐全，该款内存的容量为1GB,频率为PC4300(266MHz)即DDR2-533,生产厂商是KINGBOX（黑金刚），产品编号为7F7F7F7F51000000，产品序列号为空，生产日期为05年第24周。在下一栏中的SPD Tinings Table里可以看到该内存在266MHz下的SPD默认参数为4-4-4-12，200MHz下为3-3-3-9。
（最佳时序超频成绩）
在CPU-Z的Memory选项中显示，Timings一栏中在总线频率同步并且时钟频率保持不变的情况下，产品时序参数最佳超频成绩为4-4-4-4。
（最佳频率超频成绩）
在CPU-Z的Memory选项中显示，Timings一栏中在CPU外频和前端总线频率异步比值为1:1的情况下，工作频率最高超频成绩为300.4MHZ。
（三星金条256MB DDR2 533内存外观）
产品采用单面4颗粒内存规格制造，整体设计风格严谨扎实、新颖独特，由于采用高规格内存颗粒为布线提供了广阔的空间，因此PCB采用了超短程布线设计，简洁明了，有效减少了信号的延迟及引线间的信号干扰，确保了数据传输的安全性。空余PCB表面为大面积覆铜遮盖，很好的保证了产品的电气性能及抗电子干扰能力。优选微型贴片电容和高品质8PIN电阻排装贴整齐，焊点均匀饱满，用料充足，完全体现出一流的做工工艺和雄厚的设计、研发实力。SPD芯片放在了产品的正面右侧位置。中央位置标贴了一张产品规格标签，右侧的颗粒上方标贴了一张激光防伪标签。产品PCB背面依然采用了较好的“V”类过半覆铜设计，进一步保证了产品的可靠性和稳定性。右侧位置标贴了由三星（SANSUNG）内存中国区总代华胜弘邦提供的防伪涂层标签。
（三星金条256MB DDR2 533内存规格标签及特写）
产品规格标签上标注了容量为256MB，颗粒规格为64×16bit，工作频率为DDR2 533（等效于PC2-4200），产品编号为M378T3354CZO-CD5，模组封装于2005年第24周。工作电压为1.8V，默认时序参数为4-4-4-11，最佳参数可优化至3-3-3-4，充分证明DDR2内存已经具备替代DDR内存的实力。针脚数为240PIN，采用DDR2-DIMM接口规范。曾为显存颗粒广为采用的三星DDR II颗粒，采用FBGA封装方式，上面标有“SANSUNG”字样，品质优异，超频性能表现出色。颗粒编号为K4T511630C-ZC05，生产编号为EDD396A1，生产日期为2005年第22周。由于单颗粒位宽达到16bit之后便需要更为先进的制造工艺，因此目前只有少数厂商可以保持这种规格颗粒的产量，三星便是其中之一。PCB边缘切割整齐，金手指采用技术较为成熟的电镀金制造工艺，表现色泽纯正光亮，充分保证了金层的厚度和均匀度，延长了产品的使用寿命。
（默认CPU-Z中SPD信息）
在CPU-Z中显示的内存信息非常齐全，该款内存的容量为512MB,频率为PC4300(266MHz)即DDR2-533,生产厂商是Samsung（三星），产品编号为M378T3354CZ0-CD5，产品序列号为0705F045，生产日期为05年第36周。在下一栏中的SPD Tinings Table里可以看到该内存在266MHz下的SPD默认参数为4-4-4-12，200MHz下为3-3-3-9。
（最佳时序超频成绩）
在CPU-Z的Memory选项中显示，Timings一栏中在总线频率同步并且时钟频率保持不变的情况下，产品时序参数最佳超频成绩为3-3-3-4。
（最佳频率超频成绩）
在CPU-Z的Memory选项中显示，Timings一栏中在CPU外频和前端总线频率异步比值为4:5并保持时序参数为优秀的4-4-4-4时，工作频率最高超频成绩为333.9MHZ。
（胜创512M DDR2 533内存外观）
产品采用单面8内存颗粒规格设计，整体来看产品做工严谨扎实，设计风格精练娴熟。自主研发的布线设计尽量减小了引线的长度以降低信号的延迟度，并采用了蛇形布线和145°边角处理，很好保证了信号传输的稳定性；微型贴片电容和“8PIN”电阻排装贴整齐，焊点均匀饱满，顶端的“VERF”去耦电容也无省检，完全体现出一流的做工工艺。空余处均采用覆铜设计，有效增强了产品的抗电子干扰能力，透露出产品所蕴含的稳重气息。产品正面右侧位置标贴了产品规格标签，SPD芯片放在了中央位置。产品背面依然采用优秀的做工工艺，超过一半面积的覆铜效果，进一步保证了产品的可靠性和稳定性。
（胜创512M DDR2 533内存规格标签及特写）
产品规格标签上标注了内存容量为512MB，工作频率为DDR2 533（等效于PC2 4300），颗粒规格为64MB×8bit，生产编号为KLBC28F-A8KB4，产品编号为R55000701001。产品工作电压为1.8V，时序参数为4-4-4-12，最低工作时序可调整至3-3-3-5。针脚数为240PIN，采用DDR2-DIMM接口规范。标有“KINGMAX（胜创）”字样的内存颗粒，采用BGA封装，散热效果更佳。颗粒编号为KKEA88B4IA-37，工作周期响应时间为3.7NS。内存使用了关公红心做为防伪识别。在产品中央位置设定了一颗红色Coding颗粒，而且特殊应用的芯片内加入了ID CODE（全球统一识别码），使得每一条内存均具有唯一性。底板选用六层专业PCB，电气性能优异，抗干扰能力强，稳定性高。PCB背面仍然大量使用优质电阻排，为良好的兼容性和稳定性打好了基础。金手指使用先进的电镀金制作工艺，充分的保证了金层厚度。
（默认CPU-Z中SPD信息）
在CPU-Z中显示的内存信息非常齐全，该款内存的容量为512MB,频率为PC4300(266MHz)即DDR2-533,生产厂商是Kingmax（胜创），产品编号为KLBC28F-A8KB4-ECAS，产品序列号为PWA ，生产日期为空。在下一栏中的SPD Tinings Table里可以看到该内存在266MHz下的SPD默认参数为4-4-4-12，200MHz下为3-3-3-9。
（最佳时序超频成绩）
在CPU-Z的Memory选项中显示，Timings一栏中在总线频率同步并且时钟频率保持不变的情况下，产品时序参数最佳超频成绩为3-3-3-5。
（最佳频率超频成绩）
在CPU-Z的Memory选项中显示，Timings一栏中在CPU外频和前端总线频率异步比值为3:4并保持时序参数不变的情况下，工作频率最高超频成绩为361.1MHZ。
（麒仑512MB DDR2 533内存外观）
采用BGA封装颗粒的内存正面板幅显得宽大轻松，在散热效果上会有更好表现。从板形设计来看和英飞凌（INFINEON）星河内存是一样的，因此猜测产品多半由英飞凌代工，从整体做工来看严谨扎实，布线清晰明了，大量采用蛇形布线和145°边角处理，微型贴片电容和8PIN电阻排装贴整齐，焊点均匀饱满，顶端的VERF去偶电阻也无省检，体现出一流的做工工艺。SPD芯片同样放置在了中央位置，左侧标贴了产品规格标签。背面采用效果最好的 “V”型大面积覆铜效果设计，进一步保证了产品的稳定性和抗电子干扰能力。
（麒仑512MB DDR2 533内存规格标签及特写）
产品规格标签上标注了容量为512MB，工作频率为DDR2 533（等效于PC2-4300），产品编号为NY050619254，热线号码（HOTLINE）为8008309227。工作电压为1.8V，默认工作时序为4-4-4-12，最低时序参数可优化至3-3-3-4，针脚数为240PIN，采用DDR2-DIMM接口规范。有“KEYRAM”字样的A级内存颗粒，超频性能优异。颗粒编号为NY6408-5A，采用64MB×8bit规格方式，内存总位宽为64bit。生产日期为2005年第12周。金手指采用效果较好的电镀金制造工艺，充分保证了金层的厚度的均匀度，延长了产品的使用寿命。
（默认CPU-Z中SPD信息）
在CPU-Z中显示的内存信息非常齐全，该款内存的容量为512MB,频率为PC4300(266MHz)即DDR2-533,生产厂商是空，产品编号为514231201581230400，产品序列号为1EB03003，生产日期为05年第38周。在下一栏中的SPD Tinings Table里可以看到该内存在266MHz下的SPD默认参数为4-4-4-12。
（最佳时序超频成绩）
在CPU-Z的Memory选项中显示，Timings一栏中在总线频率同步并且时钟频率保持不变的情况下，产品时序参数最佳超频成绩为3-3-3-4。
（最佳频率超频成绩）
在CPU-Z的Memory选项中显示，Timings一栏中在CPU外频和前端总线频率异步比值为3:4的情况下，工作频率最高超频成绩为373.9MHZ。
（金士刚1G DDR2 533内存外观）
产品使用双面16内存颗粒规格设计，独特个性的PCB设计，布线清晰明了，更短引线长度尽量减小了信号的延迟和信道间的干扰，为提高产品的稳定性和超频性提供了坚实的基础。微型贴片电容和8PIN电阻排装贴整齐，焊点均匀饱满，无任何缩水迹象，顶端的“VERF”去耦电容更是阵容强大，充分体现出一流的做工工艺。SPD芯片放置在产品的中央位置，左侧标贴了产品规格标签，中央及右侧都粘贴了激光防伪标签，更加贴心周到。背面同样采用出色的做工工艺及优质充足的用料。虽然产品为双面规格设计，但正反两面都采用了效果最好的“V”型覆铜效果设计，进一步保证了产品的可靠性及抗电子干扰能力。
（金士刚1G DDR2 533内存规格标签及特写）
产品规格标签上标注了容量为1GB，工作频率为DDR2 533（等效于PC2 4200），产品型号为KIN533D2X72R/1G，安全编号为9209216.086.755，产品编号为SN0507MM0033，模组封装于台湾。工作电压为1.8V，默认工作时序参数为4-4-4-12，最佳时序参数可优化至3-3-3-4，表现出色。针脚数为240PIN，采用DDR2-DIMM接口规范。采用BGA封装的标有“KINGXCON（金士刚）”字样的内存颗粒，散热效果较好，性能优异、品质出众。颗粒编号为HYB8T1G160AF-32，采用64MB×8bit规格组织方式，模组总位宽为64bit。产品使用效果较好的电镀金制作工艺，充分保证了金层的厚度和均匀度，具有更好的耐磨损表现。
（默认CPU-Z中SPD信息）
在CPU-Z中显示的内存信息非常齐全，该款内存的容量为1GB,频率为PC4300(266MHz)即DDR2-533,生产厂商为空，产品编号为515231201581230500，产品序列号为CA371004，生产日期为05年第40周。在下一栏中的SPD Tinings Table里可以看到该内存在266MHz下的SPD默认参数为4-4-4-12。
（最佳时序超频成绩）
在CPU-Z的Memory选项中显示，Timings一栏中在总线频率同步并且时钟频率保持不变的情况下，产品时序参数最佳超频成绩为3-3-3-4。
（最佳频率超频成绩）
在CPU-Z的Memory选项中显示，Timings一栏中在CPU外频和前端总线频率异步比值为3:4的情况下，工作频率最高超频成绩为361.1MHZ。
(金邦512MB DDR2-533内存外观）
该款内存使用绿色PCB基板，正面共有8颗BGA封装的内存颗粒。产品PCB表面布线也很有特色，大量采用蛇形布线和145°边角处理，很好的保证了信号传输的稳定性。产品正面使用了大量微型贴片电容和8PIN电阻排，焊点均匀饱满，充分保障了良好的电气性能。在内存颗粒的四周则是大面积金属铜层，有效的阻挡了外界的信号干扰。在正面中央位置上粘贴了一张产品规格标签。产品采用了DDR II内存标准的“V”型覆铜设计，进一步减弱了电子干扰，充分保证了产品使用的可靠性和稳定性。
（金邦512MB DDR2-533内存规格标签及特写）
产品规格标签上标注了产品编号为I008E6464T1AG8AKT5I070201，容量为512MB，工作频率为DDR2 533（等效于PC4300），工作电压为1.8V，内存工作时序为5-4-4-12，最佳工作时序参数为3-3-3-4，针脚数为240PIN，采用DDR2-DIMM接口规范。
标有“GEIL（金邦）”字样的内存颗粒，品质出众。颗粒编号为GL2L64M088BA36AT，产自2005年第36周。
产品金手指采用较为成熟的电镀金制造工艺，有效保证了金层的厚度和均匀度，金手指表面色泽纯正光亮。
（默认CPU-Z中SPD信息）
在CPU-Z中显示的内存信息非常齐全，该款内存的容量为512MB,频率为PC5300(266MHz)即DDR2-533,生产厂商是GEIL（金邦），产品编号为GX21GB4300X，产品序列号为空，生产日期为05年第24周。在下一栏中的SPD Tinings Table里可以看到该内存在266MHz下的SPD默认参数为4-4-4-12，200MHz下为3-3-3-9。
（最佳时序超频成绩）
在CPU-Z的Memory选项中显示，Timings一栏中在总线频率同步并且时钟频率保持不变的情况下，产品时序参数最佳超频成绩为3-3-3-4。
（最佳频率超频成绩）
在CPU-Z的Memory选项中显示，Timings一栏中在CPU外频和前端总线频率异步比值为2:3的情况下，工作频率最高超频成绩为400.7MHZ。
（金士顿512M DDR2 533内存外观）
产品采用单面8内存颗粒规格设计，PCB为公版设计，整体做工中规中矩，大量采用蛇形布线和145°边角处理，很好的保证了信号传输的稳定性。良好的覆铜效果增强了抗电子干扰能力，微型贴片电容和8PIN电阻排装贴整齐，焊点均匀饱满，体现出一流的做工工艺。SPD芯片放在了中央位置，产品规格标签分成两部标贴于左右两侧。产品背面采用效果最好的“V”型布线设计，进一步保证了产品的可靠性和稳定性。
（金士顿512M DDR2 533内存规格标签及颗粒特写）
产品规格标签上标注了用以真假识别的内存ID号码（MODULE ID#）：9905260-001.A00，产品序列号码（SERIAL#）：1533986-0405519。产品型号为KHX54002K2/1G，容量为512MB，工作频率为DDR2 533（等效于PC2-4200，双条带宽将高达10.8GB/S），工作电压1.8V，内存时序（SPD timings）为4-4-4-12完全按照JEDEC标准延迟周期设计，但支持3-3-3-4的低延迟周期，针脚数为240PIN，采用DDR2-DIMM接口规范。另外标签上的金士顿商标还可以产生颜色变化，起到了一定的防伪措施。标有“ELPIDA（尔必达）”字样的内存颗粒，性能优异、品质出众。颗粒编号为E51084B-5C-E，生产编号为04050WJ02，产自日本。
产品使用技术较为成熟的化学镀金制造工艺，色泽纯正光亮。
（默认CPU-Z中SPD信息）
在CPU-Z中显示的内存信息非常齐全，该款内存的容量为512MB,频率为PC4300(266MHz)即DDR2-533,生产厂商是Kingston（金士顿），产品编号为空，产品序列号为6016C7A6，生产日期为04年第23周。在下一栏中的SPD Tinings Table里可以看到该内存在266MHz下的SPD默认参数为4-4-4-12，200MHz下为3-3-3-9。
（最佳时序超频成绩）
在CPU-Z的Memory选项中显示，Timings一栏中在总线频率同步并且时钟频率保持不变的情况下，产品时序参数最佳超频成绩为3-3-3-4。
（最佳频率超频成绩）
在CPU-Z的Memory选项中显示，Timings一栏中在CPU外频和前端总线频率异步比值为4:5并保持时序参数不变的情况下，工作频率最高超频成绩为350.6MHZ。
（金士顿HYPERX 1G DDR2 675MHZ外观）
加装了深蓝色散热片的金士顿HYPERX 1G DDR2 675MHZ内存选用了常见的墨绿色PCB基板，“DDR”和“KINGSTON（金士顿）”字样非常的抢眼。产品采用了单面8内存颗粒规格规格设计，从产品的侧面可以看出整体做工严谨扎实，优选微型贴片电容和8PIN电阻排装贴整齐，焊点均匀饱满，顶端的VERF去耦电容也无省检，用料充足，完全体现出厂商一流的做工工艺。产品的正面右侧位置标贴了产品规格标签。产品PCB背面依然采用了较好的“V”类过半覆铜设计，进一步保证了产品的可靠性和稳定性。
产品规格标签上标注了用以真假识别的安全序列号码（SECURITY ID#）：AVMI0830528，内存ID号码（MODULE ID#）：9905260-008.A01，产品序列号码（SERIAL#）：1828303-0853332。产品型号为KHX54002K2/1G，容量为1GB，工作频率为DDR2 675（等效于PC2-5400，双条带宽将高达10.8GB/S），工作电压1.8V，内存时序（SPD timings）为5-5-5-15，完全按照JEDEC标准延迟周期设计，但支持4-4-4-4的低延迟周期，针脚数为240PIN，采用DDR2-DIMM接口规范。另外标签上的金士顿商标还可以产生颜色变化，起到了一定的防伪措施。
从侧面可以看出散热片上导热介质与颗粒接触紧密，保证了良好的传热效果，颗粒采用BGA封装技术，SPD芯片放在PCB中央位置。同时也可以清晰的看到PCB上的元件排列整齐，元件无任何省检，保证了产品出色的品质表现。
金手指采用技术较为成熟的化学镀金制造工艺，充分保证了金层的厚度和均匀度，延长了产品的使用寿命。
（默认CPU-Z中SPD信息）
在CPU-Z中显示的内存信息非常齐全，该款内存的容量为512MB,频率为PC5300(333MHz)即DDR2-667,生产厂商是Kingston（金士顿），产品编号为空，产品序列号为69200CA4，生产日期为05年第11周。在下一栏中的SPD Tinings Table里可以看到该内存在333MHz下的SPD默认参数为5-5-5-15，266MHz下为4-4-4-12。
（最佳时序超频成绩）
在CPU-Z的Memory选项中显示，Timings一栏中在总线频率同步并且时钟频率保持不变的情况下，产品时序参数最佳超频成绩为4-4-4-4。
（最佳频率超频成绩）
在CPU-Z的Memory选项中显示，Timings一栏中在CPU外频和前端总线频率异步比值为4:5并保持时序参数不变的情况下，工作频率最高超频成绩为356.8MHZ。
（迈威512M DDR2 533内存外观）
产品采用独特BGA封装方式的内存颗粒，PCB幅面显得较为宽松，相较于其它颗粒中心也能贴着PCB借以传递热量，散热效果更为出色，同时也为优异的超频能力打下坚实的基础。产品采用双面16内存颗粒规格制造，整体做工精练缜密，自主精心设计的PCB表现布线极其清晰明了，提高了信号传输的可靠性和稳定性。过半的大面积覆铜效果设计，进一步增强了产品的抗电子干扰能力。微型贴片电容和8PIN电阻排装贴整齐，焊点均匀饱满，无任何缩水迹象，完全体现出一流的做工工艺。SPD芯片放置在正面中央位置，左侧粘贴了产品规格标签，右侧则粘贴了由中国质检协会提供的防伪涂层标签，可通过拨打010-64219000或8008108315加以查询。背面同样采用了出色的做工工艺，过硬的电路设计充分展示出厂商雄厚的研发实力的强大的设计功底。
（迈威512M DDR2 533内存规格标签及特写）
产品规格标签上标注了容量为512MB，工作频率为DDR2 533（等效于PC2-4200），产品编号为MKL3208E5B-ME5。默认工作时序为4-4-4-11，最佳时序参数可优化至3-3-3-4，工作电压为1.8V，针脚数为240PIN，采用DDR2-DIMM接口规范。整个模组封装于2005年第3周。标有“MAKWAY（迈威）”字样的内存颗粒，品质出众，超频性能优异，编号为MKL64E08B-42EU。产品使用技术较为成熟的化学镀金制作工艺，充分保证了金层的厚度和均匀度，表现色泽纯正光亮。
（默认CPU-Z中SPD信息）
在CPU-Z中显示的内存信息非常齐全，该款内存的容量为512MB,频率为PC4300(266MHz)即DDR2-533。在下一栏中的SPD Tinings Table里可以看到该内存在266MHz下的SPD默认参数为4-4-4-11，200MHz下为3-3-3-8，相比于同类产品具有一定优势。
（最佳时序超频成绩）
在CPU-Z的Memory选项中显示，Timings一栏中在总线频率同步并且时钟频率保持不变的情况下，产品时序参数最佳超频成绩为3-3-3-4。
（最佳频率超频成绩）
在CPU-Z的Memory选项中显示，Timings一栏中在CPU外频和前端总线频率异步比值为3:4的情况下，工作频率最高超频成绩为400.5MHZ。
（金泰克512MB DDR2 533内存外观）
产品正面有八颗FBGA封装的内存颗粒，而在做工方面，微型贴片电容和8PIN电阻排装帧整齐，焊点均匀饱满。PCB布线清晰明了，大量采用蛇形布线和145°边角处理，同样为DDR2内存公版设计。正面左侧标贴了产品规格标签，右侧标贴了中国防伪行业协会提供的防伪代码标签，可通过拨打8008301315或发短信至91603100加以真伪辨别。SPD芯片放在了产品的中央位置。产品采用效果最好的“V”型覆铜效果设计，进一步保证了产品的可靠性和稳定性。
（金泰克512MB DDR2 533内存规格标签及特写）
产品规格标签上标注了容量为512M，工作频率为DDR2 533（等效于PC2-4200），产品型号为KTG1.2Rx8CPC2-4200S，产品编号为E054000512533。默认工作时序为4-4-4-12，最佳时序参数可优化至3-3-3-4，生产日期为2005年第40周。金泰克的虎头标志也非常醒目。产品选用了hynix原厂HY5PS12821内存颗粒，60pin FBGA封装技术，标称速度3.75ns，采用64M×8bit的组织方式。产品编号为HY5PS12821 FP-C4，生产编号为M7DCE564EQL。于2005年第25周产自韩国。金手指表面色泽纯正光亮，采用较为成熟的化学镀金制造工艺，有效保证了金层的厚度和均匀度，增加了内存的插拔次数，减少发热。
（默认CPU-Z中SPD信息）
在CPU-Z中显示的内存信息非常齐全，该款内存的容量为512MB,频率为PC4300(266MHz)即DDR2-533,生产厂商是Hynudai Electronics（现代电子），产品编号为HYMP564U64P8-C4，产品序列号为00008060，生产日期为05年第38周。在下一栏中的SPD Tinings Table里可以看到该内存在266MHz下的SPD默认参数为4-4-4-12，200MHz下为3-3-3-9。
（最佳时序超频成绩）
在CPU-Z的Memory选项中显示，Timings一栏中在总线频率同步并且时钟频率保持不变的情况下，产品时序参数最佳超频成绩为3-3-3-4。
（最佳频率超频成绩）
在CPU-Z的Memory选项中显示，Timings一栏中在CPU外频和前端总线频率异步比值为3:4并保持时序参数不变的情况下，工作频率最高超频成绩为361.1MHZ。
（宇瞻512MB DDR2 533内存外观）
这款产品采用8内存颗粒规格设计，由于选用英飞凌（INFINEON）原厂内存颗粒，宽大的板幅倒也显得干净利落，电气性能优异，抗干扰能力强，稳定性高，散热效果也相对更好。整体来看产品做工依旧保持了宇瞻严谨扎实的风格，PCB布线由其自主设计，走线清晰明了，大量采用蛇形布线和145°弯角处理，微型贴片电容和优质8PIN电阻排装贴整齐，顶端的“VERF”去偶电阻阵容强大，充分体现出一流的做工品质。金手指针脚数目为240线，接口类型采用DDR2-DIMM。右侧粘贴有产品标签提供了产品的相关参数和防伪信息，SPD芯片放在了并不多见的右下方。由产品规格标签可以看出该内存容量为512MB，工作频率为533MHZ（相当于PC2-4300），工作电压为1.8V 。默认内存时序为4-4-4-11，相对于同类产品较低，最佳时序参数可优化至3-3-3-4。内存产品编号(P/N): 78.91066.330；产品序列号码(Serial #):2004321-00013。绿色的Apacer宇瞻商标是再熟悉不过了。
（宇瞻512MB DDR2 533内存规格标签及特写）
产品使用英飞凌原厂A级内存颗粒，品质出众，表面标注有英飞凌的商标。内存颗粒编号为HYB18T512 800AF37 SVV27228，单颗64Mx8bit组织方式，整个内存模组的位宽为64bit。颗粒生产于2004年第26周金手指色泽纯正光亮，做工使用技术成熟的化学镀金制作工艺。
（默认CPU-Z中SPD信息）
在CPU-Z中显示的内存信息非常齐全，该款内存的容量为512MB,频率为PC4300(266MHz)即DDR2-533,生产厂商是Apacer（宇瞻）。在下一栏中的SPD Tinings Table里可以看到该内存在266MHz下的SPD默认参数为4-4-4-11，200MHz下为3-3-3-8，时序参数表现突出。
（最佳时序超频成绩）
在CPU-Z的Memory选项中显示，Timings一栏中在总线频率同步并且时钟频率保持不变的情况下，产品时序参数最佳超频成绩为3-3-3-4。
（最佳频率超频成绩）
在CPU-Z的Memory选项中显示，Timings一栏中在CPU外频和前端总线频率异步比值为2:3并保持时序参数不变的情况下，工作频率最高超频成绩为406.2MHZ。
（富豪512MB DDR2 533内存外观）
打开包装盒，我们可以看到产品的正面左侧贴有产品规格标签，右侧贴有中国质检协会提供的防伪标签。产品采用单面8内存颗粒规格设计，正面选用了8颗制程更为先进的μBGA封装的内存芯片，颗粒使用0.11微米工艺生产，μBGA相对于传统FBGA封装的颗粒来说颗粒面积更小散热效果更佳，在信号延时方面也会有更好的表现，并且有助于频率的进一步提升。常规的墨绿色底板从整体做工来看，设计风格严谨扎实，走线清晰明了，大量采用蛇形布线和145°折边处理，电容排阻装贴整齐，顶端VERF去耦电容也无省检，充分体现出了一线大厂优良的做工品质。金手指针脚数目为240线，接口类型采用DIMM-2。产品背面采用效果最佳的“V”型设计，提高了产品抗电子干扰能力，进一步保证了产品的可靠性和稳定性。
（富豪512MB DDR2 533内存规格标签及特写）
由产品规格标签可以看出该内存容量为512MB，工作频率为533MHZ（相当于PC4200），CL延时为4个时钟周期，默认内存时序为4-4-4-12，内存产品编号(P/N): NT512T64U88A0F-37B；产品序列号码(Serial #):PC2-4200U-444-10-A1。蓝紫色的“NANYA（南亚）”商标再熟悉不过，底部产品的生产代号末位两个数字为TW，表明内存条的封装是在台湾完成。表面标注了“NANYA（南亚）”字样的南亚原厂内存颗粒，颗粒编号为NT5TU64M8AF-37B，工作响应时间为3.7NS。该芯片经过了南亚原厂验证，单颗64Mb*8bit组织方式，整个内存模组的位宽为64bit。颗粒封装于2004年第38周产于台湾产品的底板选用六层专业PCB，电气性能优异，抗干扰能力强，稳定性高。内存PCB表面大量使用优质微型贴片电容和电阻排，没有任何空焊位，为良好的兼容性和稳定性打下了坚实的基础。在金手指的制作工艺上，我们可以通过金手指右下角的细小引线看出使用了先进的电镀金工艺。电镀金工艺比化学镀金工艺制作出的金层更厚实，防氧化性能更为出色。最后提醒购买的朋友，购买富豪内存时请刮开防伪标签上的防伪涂层加以查询，以确保自身权益不受侵害。免费查询电话：8008106046；也可以到网上进行查询，网址：www.z315.com.cn.
（默认CPU-Z中SPD信息）
在CPU-Z中显示的内存信息非常齐全，该款内存的容量为512MB,频率为PC4300(266MHz)即DDR2-533,生产厂商是Nanya（南亚），产品编号为NT512T64U88A0F-37B，产品序列号为38AE0811。在下一栏中的SPD Tinings Table里可以看到该内存在266MHz下的SPD默认参数为4-4-4-12，200MHz下为3-3-3-9。
（最佳时序超频成绩）
在CPU-Z的Memory选项中显示，Timings一栏中在总线频率同步并且时钟频率保持不变的情况下，产品时序参数最佳超频成绩为4-4-4-4。
（最佳频率超频成绩）
在CPU-Z的Memory选项中显示，Timings一栏中在CPU外频和前端总线频率异步比值为4:5并保持时序参数不变的情况下，工作频率最高超频成绩为363.1MHZ。
（现代 512MB DDR2 533内存外观）
产品采用单面8内存颗粒规格设计，PCB为公版设计，整体做工中规中矩，大量采用蛇形布线和145°边角处理，很好的保证了信号传输的稳定性。良好的覆铜效果增强了抗电子干扰能力，微型贴片电容和8PIN电阻排装贴整齐，焊点均匀饱满，体现出一流的做工工艺。SPD芯片放在了中央位置，左侧位置标贴了产品规格标签，右侧标贴了华鑫提供的中国质检协会防伪查询标签。产品背面采用效果最好的“V”型布线设计，进一步保证了产品的可靠性和稳定性。
（现代512MB DDR2 533内存规格标签及特写）
产品规格标签上标注了产品容量为512MB，颗粒规格为64×8bit，产品型号为PC2-4200U-444-12，产品编号为HYMP564U64P8-C4 AA。工作频率为DDR2-533等效于（PC2-4200），工作电压为1.8V，默认工作时序为4-4-4-12，最佳优化时序参数为3-3-3-4，针脚数为240PIN，采用DDR2-DIMM接口规范。产品使用现代原厂内存颗粒，采用FBGA封装形式，0.11微米制造工艺，颗粒编号为HY5PS12821，生产代码M7DCF044NQ。颗粒封装于2005年第27周。金手指采用效果较好的电镀金制造工艺，色泽纯正光亮。
（默认CPU-Z中SPD信息）
在CPU-Z中显示的内存信息非常齐全，该款内存的容量为512MB,频率为PC4300(266MHz)即DDR2-533,生产厂商是Hyundai（现代），产品编号为HYMP56U64P8-C4，产品序列号为00001`48，生产日期为05年第39周。在下一栏中的SPD Tinings Table里可以看到该内存在266MHz下的SPD默认参数为4-4-4-12，200MHz下为3-3-3-9。
（最佳时序超频成绩）
在CPU-Z的Memory选项中显示，Timings一栏中在总线频率同步并且时钟频率保持不变的情况下，产品时序参数最佳超频成绩为3-3-3-4。
（最佳频率超频成绩）
在CPU-Z的Memory选项中显示，Timings一栏中在CPU外频和前端总线频率异步比值为3:4并将时序参数设置为优秀的4-4-4-4，工作频率尽超到了361.1MHZ，要知道此时可是已经为DDR2 720了，超频性能优异。
（易胜512MB DDR2-533内存外观）
此款内存采用了单面8颗粒规格设计，从整体来看产品做工严谨扎实，PCB表面采用了大面积覆铜设计，很好的保证了产品的电气性能及抗电子干扰性能，PCB表面布线清晰明了，微型电容和8PIN电阻排装贴整齐，焊点均匀饱满，完全体现出了一流的设计水平和制造工艺。产品的左侧位置标贴了产品规格标签，右侧标贴了产品防伪标签。产品PCB背面同样采用了超大面积的覆铜，进一步保证了内存的稳定性与可靠性。中央位置采用了大量蛇形布线和145°边角处理。
（易胜512MB DDR2-533内存规格标签及特写）
产品规格标签上标注了产品编号为M2U51264TU88A0F-37B，产品型号为PC2-4300U-44410-C1，容量为512MB，工作频率为DDR2-533（相当于PC2-4300），内存颗粒的数据存取时间为－3.7NS，CL延迟为4，工作时序为4-5-5-15，最佳工作时序参数为3-3-3-4。工作电压为1.8V，针脚数为240，接口规范为DDR II-DIMM。整个模组封装于台湾。标注了“elixir（易胜）”字样的南亚原厂内存颗粒，采用FBGA封装形式，0.11微米制造工艺，FBGA封装方式的优点在于信号针脚布置在芯片的正下方，相对于传统TSOP封装的颗粒来说信号通过的路径缩短了，有效的降低了信号延时。同时FBGA颗粒面积也比TSOP颗粒减少了，散热性能更出色，并且有助于频率的进一步提升。芯片规格为64MB×8bit，内存总位宽为64Bit。内存芯片编号为N2TU51280AF-37B，生产编号为54000CPY，于2004年第38周在台湾生产。产品使用南亚原厂PCB，并且在基板上嵌入了南亚商标，生产日期为2004年第37周。产品金手指采用较为成熟的电镀金制造工艺，有效保证了金层的厚度和均匀度，金手指表面色泽纯正光亮。
（默认CPU-Z中SPD信息）
在CPU-Z中显示的内存信息非常齐全，该款内存的容量为512MB,频率为PC4300(266MHz)即DDR2-533,生产厂商是Nanya（南亚），产品编号为M2U51264TU38A0F-37，产品序列号为17660F15。在下一栏中的SPD Tinings Table里可以看到该内存在266MHz下的SPD默认参数为4-4-4-12，200MHz下为3-3-3-9。
（最佳时序超频成绩）
在CPU-Z的Memory选项中显示，Timings一栏中在总线频率同步并且时钟频率保持不变的情况下，产品时序参数最佳超频成绩为3-3-3-5。
（最佳频率超频成绩）
在CPU-Z的Memory选项中显示，Timings一栏中在CPU外频和前端总线频率异步比值为4:5的情况下，工作频率最高超频成绩为325.6MHZ。
（劲永 512MB DDR2 533内存外观）
产品采用单面8内存颗粒规格设计。在布线风格上打破了常规的PCB基板设计，完全由自主设计，大量采用蛇形布线和145°边角处理，充足保证了信号传输的安全性。基板空余处采用大面积铜层覆盖设计，减少了电子干扰。微型贴片电容和8PIN电阻排装贴整齐，顶端的VERF去耦电容也无省检，用料充足无任何缩水迹象，完全体现出厂商严谨扎实的做工工艺。SPD芯片放置在了PCB中央位置，左侧位置粘贴有产品规格标签。良好的PCB内电路分引，减轻了背面中央布线的难度，同时也增强了抗干扰能力。在兼顾电路设计的同时背面仍然采用了效果最好的“V”型覆铜设计，进一步保证了产品的可靠性和稳定性。
（劲永 512MB DDR2 533内存规格标签及特写）
产品规格标签上标注了产品容量为512MB，工作频率为DDR2-533（等效于PC4300），生产编号为0103-05C1，产品编号为MEAB-322LA。工作电压1.8V，默认工作时序参数为4-4-4-12，但支持3-3-3-4的低延迟参数，针脚数为240PIN，采用DDR2-DIMM接口规范。标有“pqi（劲永）”字样的内存颗粒，采用BGA封装技术，颗粒编号为PQB2648S38，规格为64MB×8bit，总位宽为64bit。生产日期为2005年第32周。产品金手指采用技术较为成熟的化学镀金制作，充分保证了金层的厚度和均匀度，表面色泽纯正光亮。
（默认CPU-Z中SPD信息）
在CPU-Z中显示的内存信息非常齐全，该款内存的容量为512MB,频率为PC4300(266MHz)即DDR2-533。在下一栏中的SPD Tinings Table里可以看到该内存在266MHz下的SPD默认参数为4-4-4-12，200MHz下为3-3-3-9。
（最佳时序超频成绩）
在CPU-Z的Memory选项中显示，Timings一栏中在总线频率同步并且时钟频率保持不变的情况下，产品时序参数最佳超频成绩为3-3-3-4。
（最佳频率超频成绩）
在CPU-Z的Memory选项中显示，Timings一栏中在CPU外频和前端总线频率异步比值为2:3的情况下，工作频率最高超频到406.2MHZ。
（英飞凌星河 512MB DDR2 533内存外观）
采用BGA封装颗粒的英飞凌内存正面板幅显得宽大轻松，在散热效果上会有更好表现。出色电路设计，大量采用蛇形布线和145°边角处理，良好的微型贴片电容和优质8PIN电阻排运用营造出高质量电路，为发挥产品的超频潜力及信号传输的安全性提供了坚实的保障。元件装贴整齐，焊点均匀饱满，体现出厂家一流的做工工艺和雄厚的设计研发实力。SPD芯片放在了中央位置，正面左侧位置粘贴有产品规格标签。标准的DDR2 “V”型覆铜效果设计，进一步保证了产品的稳定性和抗电子干扰能力。
（英飞凌星河 512MB DDR2 533内存规格标签及特写）
产品规格标签上标注了容量为512MB，工作频率为DDR2 533（等效于PC2-4200），产品型号为PC2-4200U-444-11-A1，产品编号为HYS64T64000HU-3.7·A，生产编号为A5V5132683。工作电压为1.8V，默认工作时序为4-4-4-12，最低时序参数可优化至3-3-3-4，针脚数为240PIN，采用DDR2-DIMM接口规范。标有英飞凌商标的A级原厂内存颗粒，超频性能优异。颗粒编号为HY818T512800AF37,生产编号为SVV170179，生产日期为2005年第12周。英飞凌产品金手指比一般产品显得厚实，更加耐磨损，为效果较好的电镀金制造工艺，色泽纯正光亮。
（默认CPU-Z中SPD信息）
在CPU-Z中显示的内存信息非常齐全，该款内存的容量为512MB,频率为PC4300(266MHz)即DDR2-533,生产厂商是Infineon（英飞凌），产品编号为64T64000HU3.7A，产品序列号为0611BC20，生产日期为05年第19周。在下一栏中的SPD Tinings Table里可以看到该内存在266MHz下的SPD默认参数为4-4-4-12，200MHz下为3-3-3-9。
（最佳时序超频成绩）
在CPU-Z的Memory选项中显示，Timings一栏中在总线频率同步并且时钟频率保持不变的情况下，产品时序参数最佳超频成绩为3-3-3-4。
（最佳频率超频成绩）
在CPU-Z的Memory选项中显示，Timings一栏中在CPU外频和前端总线频率异步比值为3:4并保持时序参数不变的情况下，工作频率最高超频成绩为387.3MHZ。
（威刚A-DATA 512MB DDR2 667内存外观）
加装了亮红色散热片的这款威刚Vitesta（红色威龙）512MB DDR2 667内存选用常见的墨绿色PCB基板，“A-DATA”和“Vitesta（红色威龙）DDR II 667”字样非常的抢眼，极具吸引力的产品外观也显示出主角身份的高贵。产品采用了单面8内存颗粒规格设计，从产品的整体做工来看严谨扎实，优选微型贴片电容和8PIN电阻排装贴整齐，焊点均匀饱满。PCB基板布线设计也独具特色，精心设计的走线排布清晰明了，超短程的布线也为减小信号的延迟以及引线间的信号干扰起到了很好的控制作用，体现出厂商雄厚的研发实力和强大的设计功底。产品的正面右侧位置标贴了产品规格标签。虽然为双面规格设计，但产品PCB背面依然采用了较好的“B”类过半覆铜设计，进一步保证了产品的可靠性和稳定性。
产品规格标签上标注了产品容量为512MB，工作频率为DDR2 667（等效于PC2-5300），生产编号为M2OEL5G3H3160B1C0Z，产品编号为512TR（ELJPE1908）。产品工作电压为1.8V，工作时序为5-5-5-15，参数最佳可优化至4-4-4-4。针脚数为240PIN，采用DDR2-DIMM接口规范。金手指采用技术较为成熟的化学镀金制造工艺，充分保证了金层的厚度和均匀度，延长了产品的使用寿命。
（默认CPU-Z中SPD信息）
在CPU-Z中显示的内存信息非常齐全，该款内存的容量为512MB,频率为PC5300(266MHz)即DDR2-533,生产厂商是A-Data（威刚）。在下一栏中的SPD Tinings Table里可以看到该内存在333MHz下的SPD默认参数为5-5-5-15，266MHz下为4-4-4-12。
（最佳时序超频成绩）
在CPU-Z的Memory选项中显示，Timings一栏中在CPU外频和前端总线频率异步比值为4:5并且时钟频率保持不变的情况下，产品时序参数最佳超频成绩为4-4-4-4。
（最佳频率超频成绩）
在CPU-Z的Memory选项中显示，Timings一栏中在CPU外频和前端总线频率异步比值为2:3并保持时序参数不变的情况下，工作频率最高超频成绩为406.2MHZ。
内存测试平台及测试项目介绍：
在本次测试中为了更大限度的发挥DDR2内存的性能，我们在测试平台上使用了IntelP4 EE3.46GHz+ASUS PSWD2 Premium主板的搭配的组合。至尊版的3.46处理器拥有512KB的二级缓存，2MB的三级缓存。最高可以超频至3.9GHz,CPU外频最高可以到300MHz。AsusPSWD2 Premium主板采用Intel955X+ICH7芯片，该款主板用料做工极为丰富，支持1066MHz前端总线及双核心的Intel处理器，四根内存插槽最大支持4GB容量的内存。双Gigabit LAN网卡设计使用户更灵活的组建网络，在进行大量的视频及音频文件交换时不会出现传输瓶颈。板载RAID芯片可以让IDE及SATA设备组合多种RAID模式。除此之外，该主板的BIOS选项丰富为超频提供不少了的支持。其它配件请见下面表格：
| ZOL 18款DDR2内存横评 测试平台配置介绍 | ||
| 处理器 | Intel Pentium 4 Processor EE3.46 GHz, 512KB L2 Cache，2MB L3Cache | |
| 内存 | 18款DDR2内存 | |
| 主板 | AsusPSWD2 Premium Intel955X FSB1066MHz | |
| 显卡 | ELSA 6600LE GPU: NV43V | |
| 希捷酷鱼7 120GB, 2MB , 7200 rpm | ||
| 光驱 | DVD-ROM Benq (16x)DVD RW | |
| 电源 | 全汉蓝瀑 ATX 12V 2.0, 400 W | |
| 软件 | ||
| 芯片组驱动 | Intel inf7.2.1.1003 | |
| 显卡驱动 | NVIDIA 78.01公版 | |
| DirectX | 版本: 9.0c | |
| 操作系统 | Windows XP Professional2600+Service Pack 2 | |
测试前准备：
为了确保测试中尽可能地避免影响，特对操作系统进行了如下优化：
1.在“显示属性”中将桌面分辨率设定为1024x768，色深为32-bit
2.在“显示属性”的“高级”选项中，将显示器刷新率设定为85Hz
3.关闭“系统视觉效果”：右击桌面上“我的电脑”，点击“高级”-“性能”，在设置选项中设置为“调整为最佳性能”。
4.关闭“系统恢复”：右击桌面上“我的电脑”，点击“系统还原”选项卡，关闭系统还原功能。
5.关闭Windows Update：右击桌面上“我的电脑”，点击“自动更新”选项卡，然后选择“自动关闭更新功能”。
6.关闭屏保
7.在BIOS中将网卡、声卡、RAID等设备。
在软件的测试方面我们使用的软件有：Sisoft Sandra 2005 (MemoryTest)、Super Pi1M/4M、 PCmark04memroyTest。
超频测试进行时，环境温度维持在28°C。将PCI、PCI-E总线运行频率分别锁定33MHz和100MHz，为了保证测试成绩的真实准确，在测试中的成绩是我们经过3遍测试反复取平均值得出来的。
默认SiSoftSandra05测试
首先是默认的SisoftSandra05的内存带宽测试，在这一测试中大家的测试成绩基本都保持一致，除了两款DDR667的内存在默认成绩下略低一些外，其余内存都没有较大程度差距。在测试Sisoft的过程中我们在前面也介绍了测试方面是采用测试三遍取平均值的方法，这样做的主要原因是因为Sisoft这款软件每一次的测试结果都不同，测三遍取平均值这样更大程度上保证了测试成绩的严格及公平性。
（测试图片一，请点击放大）
（测试图片二，请点击放大）
在这个项目的测试中威刚、英飞凌、迈威、黑金刚这几款内存的成绩比较突出，都保持在5800分左右，为系统性能带来了不小的提升。
PCmark04及SuperPI:
在测试的时候，我们首先使用了104万位的SuperPI进行测试，但测试结果是所有的内存都是以38秒的成绩结束，体现不出来内存之间的差距，因为测试成绩全一样所以我们没有制作成柱状图。然后我们测试了4百万位的SuperPI，通过这个测试便可以更准确地检测出内存性能之间的差距。
| 金士顿HyperX533 | 3m22 |
| 金士顿HyperX667 | 3m25 |
| 金士顿(普)533 | 3m22 |
| 金邦DDR2 533 | 3m24 |
| 金士刚DDR2 533 | 3m22 |
| 胜创DDR2 533 | 3m24 |
| 麒仑DDR2 533 | 3m27 |
| 黑金刚DDR2 533 | 3m21 |
| 迈威DDR2 533 | 3m21 |
| 金泰克DDR2 533 | 3m24 |
| 宇瞻DDR2 533 | 3m26 |
| 南亚DDR2 533 | 3m24 |
| 海力士DDR2 533 | 3m24 |
| PQI DDR2 533 | 3m24 |
| 易胜DDR2 533 | 3m24 |
| 英飞凌DDR2 533 | 3m22 |
| 威刚DDR2 667(4:5) | 3m24 |
| 三星DDR2 533 | 3m26 |
SisoftSandra05超频测试：
因为超频测试的主要目的是检测内存可以达到的最高频率，测试的方法我们也采用了CPU与内存异步的方式，所以在以下测试成绩中大家可以看到我们在频率的后面标注了CPU与内存的比值，每款内存的比值不同，因此以下测试成绩仅对原始测试成绩进行参考，超频并不作为对比产品性能依据。受颗粒、版本及批次不同，同样规格的产品可能与实际销售品不符，该超频成绩只作为参考。
PCmark04及SuperPI超频测试：
为了更准确地测试内存在超频前与超频后的差距我们继续使用SuperPI 4M万位进行测试，宇瞻内存以179秒的成绩排在第一的位置。
内存测试总结：
下面首先谈一下测试的感受，首先就是内存颗粒的选用方面：使用镁光、三星、尔必达颗粒的内存在超频方面表现的要好一些。一向以稳定著称的英飞凌内存在本次测试中超频方面也表现不错。用户目前可以放心选购DDR2 533规格的内存，首先是在Inteli915P/G芯片组中只支持到DDR2 533规格，另外在i945/955系列芯片组中只支持到DDR2 667规格，虽然已有主板厂商推出可以通过内存异步方式支持更高频率的DDR2内存的主板但仍是少数现象，况且DDR2 533的超频性能表现都不错，基本上每对DDR2 533内存都可以超到667以上，而且可以稳定运行，在今后一段时间内高频DDR2内存仍然是一个发展方向，使用DDR2 533内存规格的用户，除了可以为今后升级预留一定的扩展空间外，还可以节约部分资金。受测试平台性能的限制本次参加横评中的DDR2 667内存在默认情况下测试分数要逊色于DDR2 533，如果您使用高频率的DDR2内存我们建议尽量减小内存异步的比值，如果CPU与内存可以同步运行工作的话，尽可能设定在1：1的模式下，这样平台性能才能发挥得更充分。
在兼容性方面本次参测的18款DDR2内存产品都可以在AsusPSWD2 Premium和Intel原厂945G的主板上点亮，使我们整个工作进行的非常顺利。另外在本次测试中也有几款未能参加横评的产品，主要原因是产品在运输过程中损坏，导致一条内存不能够点亮。
这次DDR2的横评中也涌现出了不少的黑马，主要是一些内存市场的新生品牌，如：麒伦、迈威、黑金刚。另外在内存市场上经历了多年摸爬滚打的内存老品牌，凭借自己在资金上的雄厚实力以及技术上的丰富经验，在本次的横评中也不甘示弱，在测试中它们都发挥了良好的稳定性及兼容性，如：金士顿、威刚、金邦、kingMax、宇瞻等一些知名品牌。
写在最后，转眼间一年一度的十月一日国庆节就要来到了，也相信会有不少朋友会在这个时候为自己的爱机升级或重装一台。这个时候大家不妨考虑一下有着先进制作工艺、更低功耗、更高频率以及更大容量的DDR2内存及平台。岁末临近相信DDR2内存会在年末继续蓬勃发展，而DDR2全面取代DDR的时代也已经不远了。
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