自从intel公司于去年推出首款支持DDR II内存的915芯片组以来已经有一年半时间了，然而却一直处于有叫场无卖座的境遇，与之相搭配的更安全、稳定、高效、节能的DDR II内存同样面对着相同的情况。追其原因最大的制约因素莫过于价格。时至2005年，不仅INTEL公司开始大力DDR II内存，而且DDR II的价格更是走向了平民化，使得越来越多的消费者体验到了高科技所带来的快乐生活感受。
为何厂商一致力推DDR II内存呢？原来其较原先的DDR内存有五大特性性势：
1）1.8V的工作电压（DDR为2.5V）
2）4BIT的预存取长度（DDR为2BIT）
3）包含记忆体上的信号终止器（ON DIE TERMINATION）可以使信号反射和信噪比达到更好的平衡，提高信号的稳定性。
4）POSTED CAS以及ADDITIVE LATENCY（AL）可以避免读写数据发生碰撞，和数据读取中的BUBBLE（冒泡，这里指不连续的数据读取）。
5）OCD（OFF-CHIP DRIVER）也就是所谓的离线驱动调整，通过OCD技术可以提高信号的完整性。
今天小编向大家推荐的产品便是韩国现代原厂打造的DDR II533/512MB内存，该产品在北京华鑫公司有售，更为难得的是其价格仅为410元（信息采集于2005/6/2日），较其它产品700多元的价格可谓超值到了极点。这下恐怕足以颠覆DDR II内存价高以致于一直被认为适合于服务器或是工作站上使用内存的替代品的说法了吧？能让更多的普通消费者真真切切的感受到更加稳定高效的内存性能也是小编义不容辞的责任。
好了，话不多说马上开始今天的产品介绍：
产品外包装
产品外包装侧面
产品的外包装使用少见的透明塑料圆筒包装，效果甚为奇特，大有艺术作品的味道，显得格外的另类时尚，同时也为内行人浏览产品的整个外观提供了极大的方便。内存的固定位置选在了筒顶底上，提供了良好的产品保护和静电防护功能。
产品封口标签
从产品的外观来看，内存条的左侧粘贴有规格标签，右侧则粘贴了华鑫公司提供的防伪标签。在筒的外壁上标注了“HYNIX”（现代）字样，带有“原装内存条”字样的封条也显得格外抢眼。
产品PCB正面
产品PCB正面
打开包装盒，我们可以看到，产品采用了单面８颗粒规格设计，整体做工严谨扎实、设计风格新颖独特，墨绿色的六层PCB基板表面走线清晰明了，大量采用蛇形布线和145°边角处理，电容排阻装贴整齐，焊点均匀饱满，完全体现出了一线大厂优良的做工品质。金手指针脚数目为240线，接口类型采用DDR II-DIMM。
产品PCB背面
PCB背面采用超大面积覆铜设计，保证了良好的电气性能。
PCB中央特写
从PCB中央特写照片上我们可以看出这款内存是按照服务器用产品风格设计的，PCB板中间留下的焊点位置以及底下空缺的电容排阻即为ECC校验电路模块，这也再一次证明了该款内存在稳定性方面所具有的优势。
产品规格标签
在产品规格标签上标注了：内存ID号码(ModuleID#): PC2-4200U-444-12；产品序列号码(Serial #):HYMP564U64P8-C4 AA。内存容量为512MB，速度是533MHZ（等同于PC4200），工作电压是1.8V，CL延时为4个时钟周期，默认内存时序为4-4-4-8。整个内存模组封装于2005年第12周。
颗粒特写
产品使用现代原厂内存颗粒，采用FBGA封装形式，0.11微米制造工艺，规格为64Mbit*8，内存总位宽为64Bit，颗粒编号为HY5PS12821，生产代码M7DC1782QA。颗粒封装于2004年第51周。
PCB板上的商标
PCB基板也为现代原厂做工，底板上标有“HYNIX KOREA”（现代，韩国）字样。
金手指及表面元件
在金手指的制作工艺上，我们可以通过金手指右下角的细小引线看出其使用了先进的电镀金工艺。电镀金工艺比化学镀金工艺制作出的金层更厚实，防氧化性能更优秀。
产品激光防伪标签
最后附上产品PCB背面贴有的华鑫公司出货质保激光标签，此标贴粘自2005年6月。
编后语：继上周小编开始介绍现代原厂内存以来，目前个人电脑应领域中相对较热的内存类型已经基本介绍完了，做为国际知名内存生产企业韩国的现代公司以其先进的芯片制造工艺和精湛的产品设计风格，为我们带来了全新的高速高效应用体验，在可靠性和稳定性方面更是征服了广大的爱好原厂内存的使用者们，Hynix（现代）512MB/DDR II533内存更是奏响了DDR II内存时代普及的最强音，一扫由现代散装内存条所建立起来的现代内存条品质不佳的阴影，真是感触这个品牌给我们带来的许多难以磨灭的印象和回忆。接下来还是用小编那句颇有感触的话结尾吧：现代品质回归的日子里——你怎可错过？
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