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产品全方位详细介绍:

英飞凌512M DDR333本本内存仅售480

CNET中国。ZOL 作者:醉龙殇 责任编辑:王刚 【投稿】 2005年07月27日 08:49 评论

  作为国际知名一线品牌的英飞凌科技,前身来自西门子半导体生产部门,拥有先进的生产工艺以及雄厚的研发实力和设计功底,并为其产品提供优质的售后服务,兼于此款产品选用英飞凌原厂内存颗粒和底版,做工品质出众、价格实惠,稳定性、兼容性可靠,推荐升级的朋友加以选购。

  产品介绍:


英飞凌512M DDR333本本内存仅售480

产品外包装

  产品外包装使用厚实的硬塑料盒包装,很好的保障了产品的安全,银色外壳充满浓郁的时尚气息,新颖独特的“Infineon”和“英飞凌”字样标注于盒体的右侧,预留的透明窗可以很方便的浏览到产品的外观及做工品质,体现了厂商人性化设计的一面。

英飞凌512M DDR333本本内存仅售480

产品PCB正面

  产品采用双面16内存颗粒规格设计,从整体来看产品做工严谨扎实,PCB表面布线清晰明了,大量采用蛇形布线和145°边角处理,微型贴片电容和8PIN电阻排装贴整齐,焊点均匀饱满,无任何缩水迹象,体现出了一线大厂一流的做工品质。产品正面还标贴了产品规格标签。

英飞凌512M DDR333本本内存仅售480

产品PCB背面

  产品PCB背面采用了与正面相同的制作工艺。

英飞凌512M DDR333本本内存仅售480

产品规格标签

  产品规格标签上标注了产品为:HYS64D64020HBDL-6-C,产品型号为:PC2700S-2533-0-Z,容量为512MB,工作频率为DDR333(等效于PC2700),CL延迟为2.5,工作时序为2.5-3-3-7(参数优势明显),工作电压为1.8V,针脚数为200,接口类型为SO-DIMM,整个模组封装于中国大陆,产自2005年3月1日。

英飞凌512M DDR333本本内存仅售480

内存颗粒特写

  标注了“Infineon”字样的英飞凌原厂内存颗粒,采用BGA封装形式,0.11微米制造工艺,BGA封装方式的优点在于信号针脚布置在芯片的正下方,相对于传统TSOP封装的颗粒来说信号通过的路径缩短了,有效的降低了信号延时,同时BGA颗粒面积也比TSOP颗粒减少了很多,散热性能更出色。颗粒编号为:HYB250256800CF,生产编号为:465 13113,数据存取时间为-6NS(等同于DDR333),生产自2005年第2周。

英飞凌512M DDR333本本内存仅售480

产品PCB生产日期

  产品PCB的生产日期为2004年第43周。

英飞凌512M DDR333本本内存仅售480

SPD芯片特写

  保存有内存芯片及模组厂商、工作频率、工作电压、速度、容量、电压与行、列地址带宽等参数的SPD芯片放在产品背面的中央位置。

英飞凌512M DDR333本本内存仅售480

金手指特写

  产品金手指采用效果较好的电镀金制造工艺,金层更厚,金手指表面色泽纯正光亮。

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