今天DDR现货价格有所回升，受低价位吸引终于出现补货活动，但大部分通路商只是找寻低于市场价格的产品, 成交活动仍不活跃, DDR价格走势也不明朗。颗粒方面价格相对较为稳定，UTT价格也有所回升。Nand Flash方面, 普遍价格持续反弹的走势, 升幅缓慢，市场供应量稍微紧张。
香港市场评论:
今天DDR现货报价比昨天略为上涨, 原因是在低价位时终于出现补货活动. 大部分通路商只是找寻低于市场价格的产品, 市场成交活动未见活跃, DDR价格走势并未明朗. 同时, 32Mx8 Hynix DDR266/333/400价格分别为 \$ 2.45/ \$ 2.48/ \$ 2.53; UTT颗粒价格回稳至 \$ 2.16. Nand Flash方面, 普遍价格持续反弹的走势, 升幅缓慢. 市场的供应量稍微紧张. 今天市场较为关注1Gb/ 2Gb/ 4Gb产品. 但是, 8Gb价格却因需求放慢而出现下调.
（以上信息由香港福意国际提供）
台湾市场：
今日的DRAM现货市场, 有明显的询货动作, 不过整体买气依然不强, 价格些微调涨. 在主流颗粒256Mb(32M*8)400MHz/333MHz/266MHz调整至 USD 2.521/ USD 2.468 与 USD 2.481, 现货价格变化并不大, 带有少许交易量. 此外UTT(ETT)的部分, 价格则止跌回涨, 收盘时价格攀升1.6%至2.164, 有明显成交量.在NAND FLASH的现货市场情况, 需求依然热络, 不过在8Gb/2Gb的价格仍小幅下跌, 不过1Gb/4Gb则反向上涨. 在主流品牌的1Gb/2Gb/4Gb与8Gb的部分都分别调整至 USD 7.13/ USD 12.37/ USD 27.03 与 USD 55.13, 成交量稳定.
深圳市场：
今天国内DRAM市场止跌回稳，在经历连续几天较大力度的急速下跌以后，现货价格基本触低，因此，部分通路有趁机进场动作。同时台湾UTT DDR400在 \$ 2.14也出现了一定量的成交，国内在经历很长时间的炒卖以后，需要更加关注实际需求的情况，建议多了解DDR400的货源及需求情况。NAND FLASH方面，今天还是继续上涨，但是，我们也看到国内很多任务厂的采购节奏在放缓，并没有出现很积极的采购动作，随着价格的不断拉高，我们建议需要谨慎操作。
亚太市场：
主要品牌的DDR266/333/400 32X8颗粒的价格自上周五下跌了3－5美分后连续第三个交易日没有变化，分别为2.45/2.45/2.50美金。买气相对昨日要高点，但交易仍然迟缓，因为买家主要是寻找低于市场报价的货。同时至少两家DRAM制造厂说考虑到Nand Flash的利润更好，第四季度正在分配更多的产能生产Nand Flash。一些DRAM的卖家对这个消息表示欢迎，因为这意味着将减少DRAM的供应。而另外一些商家则认为，由于预期需求会继续疲弱，这对近期的价格不会产生支撑作用。
欧洲市场：
周三欧洲市场由于需求持续疲软，不论是OEM方面还是原厂产品方面DRAM价格都较低。256MB DDR 400 的价格与昨天相比下降了 \$ 0.50，在 \$ 18.50- \$ 24.00之间；同时，512MB DDR 400的价格在 \$ 38.00- \$ 46.00之间，下跌了 \$ 0.50- \$ 1.00。DDR 333模组价格同样向下调整。需求仍然比往年同期水平要弱。但一些业者还是很乐观的认为随着圣诞节的来临贸易会有所增加；另一些则不抱有期望需求会好转，认为价格还会继续走低。
美国市场：
周二随着DDR供应的增加，需求有限，价格有下跌的压力。供应者表示尽管DDR产品很多，如果消费者需求不多，销售控制出货策略也就没有什么作用。通路先前曾说过NAND Flash产品需求较多，所以厂家正在减少DDR产量。业者表示转产NAND Flash或许会导致DRAM产品的短缺，但目前还没有出现找货困难的情况。
（以上信息由ChinaDram.com提供）
北京中关村市场评论：
国际市场：
国际方面，32Mx8 Hynix DDR266/ 333/ 400颗粒交易价格分别为 \$ 2.45/ \$ 2.47/ \$ 2.52，和前一交易日持平。成品模组方面，UTT（封装未测试）HYNIX 256MB DDR333/400的价格为127/144元，较前一交易日小幅上涨0/1元。HYNIX 256M DDR266/333/400的价格是119/132/164元，较前一交易日分别大幅反弹了4/7/1元。512MB 32Mx8 DDR266/333/400的价格则为320/325/335，和前一日持平！
（以上信息由ZOL提供）
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