明星编辑上周走势回顾：
上周大陆DRAM市场走势具有关键意义，经过长达三个月的缓慢的下跌，终于在上周再次跌至今年价格的底部区域的低点，十一月中下旬的走势预计会围绕这个价位展开争夺，但以目前的形势看走势不容乐观，因为市场仍处于供大于求的状态下。
主要品牌的内存价格也是缓慢下跌，现在现货市场上尚存一个悬念，即明年的内存炒作主力将是哪一个品牌？或许是某一个品牌的内存，现在就已经出现这种兆头。
SDRAM的价格基本稳定，需求一般，但利润相对要好。
Nand Flash的价格上周继续上扬，临近周末2G、4G价格有所回调，预计十一月中旬左右价格将达到本次的最高点的可能性较大。
下周分析与预测：
DRAM市场方面，鉴于欧美的圣诞采购需求已经接近尾声或者说已经结束，大陆市场的需求预计下周会继续维持平稳或稍微好转，整体而言DRAM市场的供应充足，Intel支持64位系统产品缺货现象正在好转，但短线仍有问题。鉴于此，对于短线的走势，我们继续维持8月以来的研判，预计下周走势会继续维持偏软的盘整几率仍然偏高，即价格继续极为缓慢的下跌。
市场中的Hynix DDR333 256MB内存的消化速度还是不错的，但Hynix DDR266 256MB 的消化还需要一定的时间。
DDR价格走势图
短线的禽流感对经济的影响不可小视。主要厂家的产能由于制程的提升继续得到提升，成本则在下降。市场对DDR2的需求不够理想，DDR2要想成为主流肯定要推迟到明年第一季度或更晚一些时候。目前来讲DRAM的价格下跌是伴随着其成本一起下跌的，但继续这样的走势相信用不了多久，厂家就要面临亏本的命运。
对于下周的走势，我们维持原有的研判，预测短线下周价格总体上会维持偏软的区间震荡走势，下跌的走势极为缓慢，时有小的短暂反弹。
Flash的价格经过上周的上扬后，价格开始接近顶部区域，但预计下周还是会维持目前的强势高位震荡走势，我们预计十一月中旬左右将可能出现拐点，即开始反转向下，十一月底前这种走势将会完全明朗。
FLASH价格走势图
上周市场商家平均关注指数：85 （满分：100分）热度维持不变，市场中的炒作气氛比上周的水准略有下降，市场渐归理性，但炒作热度仍高，部分游资开始进入Nand Flash市场。
256MB DDR266 Hynix RMB115－120
256MB DDR333 Hynix RMB120－130
256MB DDR400 Hynix RMB150－162
256MB DDR333/400 UTT/ETT RMB133－145
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