集邦周报:内存现货价持平并微幅上扬

　　在圣诞节和新年假期间, DRAM现货市场交易逐渐趋缓。大多数的买卖双方对价格的走势保持观望的态度, 等待年后更明确的价格走势。 DDR 256Mb 400MHz价格维持在2.11 美元和DDR 512Mb 64Mbx 8 400MH价格从4.13 美元上扬至4.14 美元。 DDR 256Mb eTT(UTT) 价格则是微幅上扬, 从2.01 美元到2.03 美元。主要厂牌DDR2 512Mb 及 白牌 DDR2 512Mb价格皆为上扬的走势, 前者由3.73 美元上扬至3.77 美元, 后者则是由3.04 美元上扬至3.11 美元。

　　DRAM 制造商欲调高一月上旬合约价约3至5个百分点

　　在2005年12月及2006年1月DRAM需求比预期强劲的激励下,大多数DRAM制造商已经宣布他们目标将提高DDR和DDR2 上旬合约价约在3至5个百分点。

　　根据DARM制造者的说法,自去年十一月开始,DRAM的制造商已减产DDR2,在庞大的DRAM的采购量下,DDR2 开始有缺货的强况发生, 同时,DDR的供应情况也相当的吃紧。然而,从2005年十二月下旬开始,随着Intel芯片组缺货的情况逐渐抒解,DRAM的需求则仍保持强劲。其它造成需求强劲的因素为 (1)圣诞节需求效应延长(2) 亚洲市场的成长扩大了中国农历年的需求。(3) 就PC OEMs 的角度来看,自2005年9月价格开始下跌以来,整个9月到11月,他们并没有维持高存货水平,因此,DRAM的采购量并没有因为以往大幅调降十二月的存货而减少。

　　我们相信上扬的DRAM现货价将会维持至农历年前,而二月后的需求是否强劲将是DRAM现货价表现的关键。

　　年度结帐促使4Gb and 8Gb NAND Flash现货价下跌三至四个百分点

　　上周是2005年最后一周,所以NAND Flash 制造厂商与其客户在年度做帐下,将更多的库存倒入现货市场, 促使价格下跌。整体来说,价格方面,高容量的跌幅比低容量部分来的显著。

　　NAND Flash 1Gb，2Gb，4Gb，8Gb与16Gb的价格，在2006年1月2日涨跌幅分别为1％，2％，4％，3％与1％，来到7.54，15.13，25.06，42.72，71.2美元。

　　本周NAND Flash现货市场里,首部份的需求来自于中国市场,因应即将来临的中国新年对于低价1Gb与2Gb现货的需求。然而,目前NAND Flash的制造厂将主力放在满足大量OEM厂商对高容量的需求,因此现货市场上采TSOP封装的1Gb及2Gb颗粒相对供不应求。128MB与256MB的零售价格目前大约分别是10-11与15-16美元,导致现货市场里的买家无法选择,只能寻求价格更低的部分。在低价颗粒供应方面,为了满足买家的低价目标,市场出现了白牌的2Gb颗粒.

　　进入2006年的第一周,NAND Flash市场的买方及卖方, 有些仍在放假,尚未回到市场. 所以预期本周现货市场将不热络。当买家纷纷结束新年假期时,需求才会涌现。依据过去西方假期消费率以及即将来临的中国新年需求,我们预期高容量的价格将因供过于求而下滑,而低容量的现货价格将因有限的供应量而走扬。