技术/市场日渐成熟 DDR2必然取代DDR

    虽然关于DDR和DDR2内存的各种介绍已经屡见不鲜，但是我们还是来简单回顾一下它们之间的区别，DDR2是由JEDEC(电子元件工业联合会)定义的全新下一代DDR内存技术标准，已经在Intel的i915P/i925X芯片组及945/955X芯片组中被支持。

    DDR2内存的基本工作原理类似于DDR SDRAM，可以看作是DDR技术标准的一种升级，DDR的核心频率与时钟频率相等，但数据频率为时钟频率的两倍，也就是说在一个时钟周期内可以传输两次数据。而DDR2采用“4 bit Prefetch(4位预取)”机制，使得核心频率不增加的同时，提升时钟频率进而提升数据频率，这样即使核心频率还在200MHz，DDR2内存的数据频率也能达到800MHz，也就是所谓的DDR2-800。

DDR SDRAM内存工作机理

    然而这个方法虽然可以有效提高内存带宽，但与此同时不得不面对高延迟状况，因而给整体性能带来负面影响。针对延迟问题，厂商们在DDR2中引入了posted CAS技术、通过使用附加延迟（additive latency）来改善延迟所带来的问题。

    不过许多内存制造商，特别象Corsair或OCZ此类为PC发烧友推出先进内存模块的厂商，已经推出了不少低延迟的DDR2 SDRAM内存模块，而且它们的这些模块不是通过超频获得的，而完全符合JEDEC修改版的标准，不过这类内存普通玩家比较少接触到。

    除此之外DDR2中还引入了ODT、OCD等先进技术。OCD（Off-Chip Driver），也就是所谓的离线驱动调整，DDR2通过OCD可以提高信号的完整性。而ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDR SDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻，它大大增加了主板的制造成本。实际上不同的内存模组对终结电路的要求也是不一样的，具体情况要具体而定，因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。DDR2可以根据自已的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号品质和兼容性，使用DDR2不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质。

    新一代的DDR2均是采用90-130纳米技术生产FBGA封装的，相比采用130-180纳米生产TSOPII封装的DDR内存来说成本大幅减低，正常DDR TSOPII内存颗粒需要占261立方毫米大小的面积，而DDR 2的FBGA封装的颗粒只需占126立方毫米的面积，故此在同一个大小的晶圆下可生产更多的DDR2内存颗粒，当良品率提高后，其生产成本会低于DDR内存。

    DDR2内存最大优势在于具备低发热量、低功耗，DDR2内存采用的FBGA封装形式可提供更好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。DDR2内存采用1.8V电压，相对于DDR标准的2.5V，降低了不少，进而提供了更小的功耗与更小的发热量。

    目前已有的标准DDR2内存分为DDR2-400、DDR2-533、DDR2-667和DDR2-800甚至更高，其核心频率分别为100MHz、133MHz、166MHz和200MHz，其总线频率(时钟频率)分别为100MHz、266MHz、333MHz和400MHz，等效的数据传输频率分别为400MHz、533MHz、667MHz和800MHz，其对应的内存传输带宽分别为3.2GB/sec、4.3GB/sec、5.3GB/sec和6.4GB/sec，按照其内存传输带宽分别标注为PC2 3200、PC2 4300、PC2 5300和PC2 6400。