30纳米 三星DDR3-1600笔记本条到货

产品：2GB DDR3 1333（笔记本-酷黑版） 三星 内存

L暗藏玄机 超低电压为本本而生

    10.1黄金周临近，各个硬件厂家纷纷拿出拳头产品冲击销量。上周售价298元的日立单碟500GB本盘到货京城引发硬盘行业震动，创下单个门面单日销售1000块本盘记录。本周的焦点－－三星30nm DDR3L-1600MHz笔记本内存到货京城，成为国内第一款上市销售的30nm内存，领先所有竞争对手至少1代的制造工艺。下面就一起领略三星30nm DDR3L-1600MHz笔记本内存的风采，请大家注意它和其他DDR3内存所有没有的L字样，里面暗藏玄机。

★L暗藏玄机 超低电压为本本而生

    广大网友对DDR3-1600MHz台式机内存并不陌生，在超频内存我们就能看到其身影。但是需要说明的是，40-60nm制造工艺的DDR3-1600MHz内存，无法在标准1.5伏电压下长时间承受1600MHz频率，因此内存厂家普遍将超频内存的电压提高至1.65伏。而30nm DDR3内存不但无需提高电压即可完美支持1600MHz频率，甚至可以在降低电压后仍能保持1600MHz频率。因此30nm DDR3颗粒芯片最先应用在笔记本内存。

三星30nm 2GB DDR3L-1600MHz笔记本内存（以下简称为本条）

    笔记本电脑以方便携带而著称，其中的电池继航力是广大本友以及商务人士重点关注的性能指标之一。笔记本电脑厂商为了提高电池继航力，尽可能采用节能硬件，唯独内存由于制造工艺的原因（此前为40nm-60nm），一直徘徊在1.5V的标准电压，功耗难以下降。

  
三星30nm DDR3L-1600MHz本条的低电压英文和节能标志

    三星30nm DDR3L-1600MHz本条和其他DDR3普通本条相比，在属性名称上多了一个英文“L”，这个“L”正是Low Voltage的缩写。从三星此款本条的包装说明上能看到“三星绿色节能内存条”的特写字样，也从侧面印证了它具有低功耗节能的与众不同特点。

三星30nm 2GB DDR3L-1600MHz本条的性能参数说明

    这款三星30nm DDR3L本条的包装背面上有详细的“性能参数说明”，从中可以得知其内存的兼容性涵盖范围相当广，从最早出现的DDR3-800MHz本条一直到DDR3-1600MHz本条。并且这款本条可以自动调节时序，适应不同版本的DDR3本条频率。

    性能参数的下面中文，则标注其采纳目前30纳米等级的制造工艺，是目前中国市场中最先进的内存颗粒制造工艺，符合204针 DDR3内存接口。其中最为重要的字样，也是本文的重点，它率先支持1.35伏低电压，首次在笔记本内存上实现低于1.5伏标准电压，并且可自动调节电压适应个别笔记本电脑的强制本条1.5伏的工作电压环境。

    大家最为关心的价格－－此款超低电压节能本条的售价为125元。笔者正与三星内存总代沟通是否进行特价促销活动，敬请大家关注相关的行情新闻。

三星 2GB DDR3 1600（笔记本）
[参考价格] 125元
[商家名称] 三星内存北京代理锐驰恒威 北京总代锐驰恒威
[联系方式] 57112137
[商家地址] 中关村鼎好3149#柜台

产品：2GB DDR3 1333（笔记本-酷黑版） 三星 内存

对比40nm本条 30nm实现华丽转身

★对比40nm本条 30nm实现华丽转身

三星30nm 2GB DDR3L-1600MHz本条的实物

    30nm的内存颗粒芯片较之40nm体积更小，导致三星内存的标签完全将其遮盖，已看不到内存颗粒的外观。笔者见过40nm三星本条，尚能看到颗粒芯片上的SEC英文以及数字编号。先进的内存工艺不仅仅缩小了颗粒芯片的体积，还增加了内存的频率，增强内存的稳定性，降低电压达到节能目的。

三星最新的30nm本条和老款40nm本条对比

三星最新的30nm本条和老款40nm本条的性能参数对比

    老款40nm DDR3本条也打出绿色节能的概念，其实是和早前的50-60nm制造工艺的本条相比，但40nm始终无法降低1.5V的标准电压，而目前市场上充斥着40-60nm工艺的DDR3本条。

    对比老款40nm本条仅仅支持DDR3-1333/1066MHz 两种频率，三星30nm超低压本条可以轻松实现多达DDR3-1600/1333/1066/800MHz 四种频率自动适应。

    这两款本套相同的也许就是容量、接口、三星原厂内存颗粒、终身质保等硬性指标。

产品：2GB DDR3 1333（笔记本-酷黑版） 三星 内存

引发淘汰浪潮？三星30nm影响深远

★引发淘汰浪潮？三星30nm影响深远

    三星凭借强大的技术实力，虽然三星在9月23日已经量产20nm内存颗粒芯片，但是占总体产能比例较小，大约在1~3%。而三星的30nm制造工艺经过1年时间的生产技术积累，良品率较高，并且整体产能所占比例较高，30nm因此成为目前三星内存颗粒的主要生产工艺。

    笔者近期深入走访北京中关村卖场，发现内存颗粒最先进只有40nm，笔者就30nm内存产品问题，和北京几大一线品牌内存总代沟通，答复无一例外：上游发什么货，我们卖什么货。

三星内存公告里写着30nm新产品7月份就已进入中国市场

    笔者曾经于7月份上旬在卖场中看到三星电子的《金条退出历史舞台 三星原厂内存登陆》的公告，里面提到三星30nm制造工艺的DDR3-1600将在7月底上市。可见三星电子实际上早有规划。

    一位香港籍内存代理私下告诉笔者他们有难处：“30nm就是1600MHz的频率，上游定价比1333MHz条子贵，现在内存价格狂跌，1600MHz条子插在电脑上，一样认的是1333MHz，价格又贵，买的人实在太少，留在手里一天一天亏，我们不敢进啊。”

    实际上30nm制造工艺的内存颗粒芯片，成本较之40nm更低，产能更高，焉有30nm制造工艺的内存颗粒产品更贵的道理？！

  
金士顿两款单面/双面2GB DDR3-1333内存（点击放大）

    40nm-60nm内存颗粒工艺产品库存压力巨大，从模组厂到全国总代，他们的库存到现在都没能消化掉。如果1600MHz内存价格比1333MHz还低，1333MHz内存则无人问津。当我们看到三星1600MHz内存真正上市的时候，也知道了另一个答案，三星的40nm库存产品清理接近尾声。

    于是大家看到这样一个独特的场景－－在北京中关村卖场，一个品牌的2GB DDR3-1333内存有多个版本：宽版单面、宽版双面、窄版单面、窄版双面等等。其中单面较小颗粒的是目前卖场中最先进的40nm制造工艺产品。

    因此我们需要有一个心理准备，三星2GB/4GB DDR3-1600内存的价格定位高于现在的1333MHz产品。这一场景和2008年内存危机时期的DDR2-800很像，一开始DDR2-800内存价格定位较高，随后其他厂家跟进拉低整体价格，从此进入DDR2-800时代。可见三星此举意义和影响深远，目前的DDR3-1333内存将逐步进入淘汰序列，拉开了DDR3-1600MHz内存的大一统时代。