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    30纳米!三星4GB DDR3-1600内存到货

      [  中关村在线 原创  ]   作者:  |  责编:孙玉亮
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    产品:4GB DDR3 1333(窄版) 三星 内存

    1三星4GB DDR3-1600内存到货

        狼终于来了!此前大家心里都有准备4GB DDR3-1600普条要上市,但只闻其声,未见实物。三星4GB DDR3-1600内存抢先在11月份最后一天到货京城,成为第一款发售的30nm 4GB DDR3-1600普条。如今实物摆在眼前,2GB/4GB DDR3-1333内存大势已去,引发内存行业动荡。当年DDR2-667和DDR2-800的接替场景,历史再次重演。


    特点:

    1、韩国原厂品质,顶级做工之列

    2、精选A级颗粒,超频强悍

    3、业界首款30nm产品,高频、低能耗


    三星4GB DDR3-1600出击!代号:清场
    三星4GB DDR3-1600内存(包装)

        三星2GB DDR3-1600内存是最早上市的30nm内存,不过主流30nm 4GB DDR3-1600黑条却犹抱琵琶半遮面。随着其他通路内存大厂将在12月陆续铺货DDR3-1600内存,三星加速30nm 4GB DDR3-1600黑条的上市进程。它作为首款上市的4GB DDR3-1600内存,宣告了2GB DDR3-1333即将走完历史舞台。

    三星4GB DDR3-1600出击!代号:清场
    三星4GB DDR3-1600内存的性能参数说明

        内存的包装背面有详细“性能参数说明”,从中可以得知其内存的兼容性涵盖范围相当广,从最早出现的DDR3-800MHz一直到DDR3-1600MHz。其内存频率越高,内存时序随之加大,DDR3-1600高达11-11-11-28,此为1600MHz频率的标准时序。

        性能参数的下面中文,则标注其采纳目前30nm等级的制造工艺,是目前中国市场中最先进的内存颗粒制造工艺,符合240针 DDR3台式机内存接口。它率先支持1.35伏低电压,首次在台式机内存上实现低于1.5伏标准电压,不过笔者随后的测试发现,其实际电压比标称更低,发热和功耗进一步减少

    三星4GB DDR3-1600出击!代号:清场
    三星4GB DDR3-1600内存的正面

        三星4GB DDR3-1600内存单条容量为4GB,运行频率为DDR3-1600(等效于PC3-12800),标准时序11-11-11-28。其编号为M379B5273DH0-YK0,于2011年第39周产于韩国三星内存工厂。金手指方面采用流行的化学镀工艺,耐磨度较高。在标签下面印有“GREEN DDR3”的烫金字样。

    三星4GB DDR3-1600出击!代号:清场
    三星4GB DDR3-1600内存的背面

        新版三星内存采用黑色窄版设计,大小只有传统内存产品的三分之二;其内存颗粒采用30nm级半导体技术,比40-60nm存储设备降低30-47%的能耗。

    三星4GB DDR3-1600出击!代号:清场
    三星4GB DDR3-1600内存的颗粒芯片的颗粒芯片特写

        三星4GB DDR3-1600内存的颗粒芯片编号为K4B2G0846D,其较之40nm的体积更小,还增加了内存的频率,增强内存的稳定性,降低电压达到节能目的。据闻此颗粒的超频潜力巨大。

        注:nm=纳米

    产品:4GB DDR3 1066(M471B5273CH0-CF8)笔记本 三星 内存

    2上级测试新亮点 比标称电压更低

    ★上级测试新亮点 比标称电压更低

        40-60nm制造工艺的DDR3-1600MHz内存,无法在标准1.5伏电压下长时间承受1600MHz频率,因此内存厂家普遍将超频内存的电压提高至1.55-1.65伏。而30nm DDR3内存不但无需提高电压即可完美支持1600MHz频率,甚至可以在降低电压后仍能保持1600MHz频率。

    三星4GB DDR3-1600出击!代号:清场
    本次测试的H67+i5 2320平台

    三星4GB DDR3-1600出击!代号:清场
    三星30nm 4GB DDR3-1600内存特写

    三星4GB DDR3-1600出击!代号:清场
    三星30nm 4GB DDR3-1600内存和内存插槽等高

        三星30nm 4GB DDR3-1600内存的高度经过专业设计,和DDR3内存插槽等高,方便HTPC高清机使用。

    三星4GB DDR3-1600出击!代号:清场
    Win7 64位系统轻松识别8GB DDR3-1600内存

    三星4GB DDR3-1600出击!代号:清场
    CPU-Z识别

        三星30nm 4GB DDR3-1600MHz内存和其他4GB DDR3-1333相比,低工作电压和高频率是两个显著的特征。在实际测试中,这款内存的实际工作电压仅1.28V,远低于DDR3 1.5V的标准电压,发热更低,功耗越小。

        由于笔者简单上机测试的H67和i5 2320不具备超频能力,这款30nm的三星4GB DDR3-1600MHz内存的超频潜力有多大尚无法得知,传闻其轻松超越2200Mhz,笔者将在近期进行相关测试。

    8GB成明年主流 2GB进入历史淘汰车轮
    面向普通家庭用户的英特尔 Ivybridge 处理器将默认支持DDR3-1600

        2012年3月英特尔发售的22纳米Ivybridge处理器将全面升级内存控制器,默认支持1600MHz内存(i5-2320仅默认支持1333MHz内存频率)。我们就不难理解为何内存厂商发力推出DDR3-1600内存。

    3产品性能测试

    产品性能测试:

    ●SiSoftware Sandra测试

      这是一套功能强大的系统分析评测工具,拥有超过30种以上的测试项目,主要包括有 CPU、Drives、CD-ROM/DVD、Memory、SCSI、APM/ACPI、鼠标、键盘、网络、主板、打印机等。全面支持当前各种 VIA、ALI 芯片组和 Pentium 4、AMD DDR平台。除了具有强大的功能外,使用也很方便,易于上手。

    1600是主流 7款8G套装年度横向评测
    默认1600频率

    1600是主流 7款8G套装年度横向评测
    超频到1866后带宽情况

      通过测试我们不难看出三星单条4GB DDR3 1600内存在双通道的搭建下,内存带宽可以达到17.51GB/s,但是当我们进行超频后在1866MHz的频率下,该内存带宽已经达到了19.54GB/s。从测试数据可以看出由于三星为普条特挑颗粒受到时序的影响所以在带宽表现方面不是很强。

        ●EVEREST内存测试

      EVEREST(原名AIDA64)是一个测试软硬件系统信息的工具,32位的底层硬件扫描,使它可以详细的显示出PC硬件每一个方面的信息。

    1600是主流 7款8G套装年度横向评测
    默认1600测试情况(点击放大)

     1600是主流 7款8G套装年度横向评测
    超频1866后情况(点击放大)

      以上是EVEREST自带内存测试工具的测试情况,我们从测试的数据上分析,在1600MHz下面,内存读取、写入、复制分别为13601MB/s、12498MB/s、12708MB/s,从测试当中我们可以看出三星单条4GB DDR3 1600内存延迟时间在53.2ns。当超频到1866MHz后,内存读取、写入、复制分别为14729MB/s、12974MB/s、13302MB/s,而延迟时间也提高到了48.8ns,虽然在超频过后性能有很大幅度提升,但是通过测试我们也可以看到相同频率下面,内存延迟时间的不同,对产品性能的差异影响还是蛮重要的。

        ●PCMark vantage内存子项测试

      合成测试软件PCMark vantage的内存测试部分是根据真实应用编写的测试脚本,也具有一定的参考意义,我们选用了这款软件中对于内存的测试。

    1600是主流 7款8G套装年度横向评测
    默认1600PCMark 跑分情况(点击放大)

    1600是主流 7款8G套装年度横向评测
    超频1866后跑分情况(点击放大)

      PCMark是一款测试整机综合性能的软件工具,我们通过PCMark子项目内存测试可以看出三星单条4GB DDR3 1600内存在1600MHz下内存可以达到6988的得分,但是当我们对内存进行相应超频后PCMark得分也只有7109的得分,所以可以看到三星单条4GB DDR3 1600内存在超频过后也只有100多分得提升。

    ★综合性能得分:7.5分

    产品超频性能测试:

      三星单条4GB DDR3 1600内存在超频方面还算不错,基本能够保证颗粒一个超频幅度,但是受到了时序的影响所以在一些数据表现方面并不是很好,但是作为1600的普条来说三星基本已经通过自己良好的设计工艺展现了自己产品的诸多优点。

    ★超频测试得分:7分

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