30纳米！三星4GB DDR3-1600内存到货

    狼终于来了！此前大家心里都有准备4GB DDR3-1600普条要上市，但只闻其声，未见实物。三星4GB DDR3-1600内存抢先在11月份最后一天到货京城，成为第一款发售的30nm 4GB DDR3-1600普条。如今实物摆在眼前，2GB/4GB DDR3-1333内存大势已去，引发内存行业动荡。当年DDR2-667和DDR2-800的接替场景，历史再次重演。

特点：

1、韩国原厂品质，顶级做工之列

2、精选A级颗粒，超频强悍

3、业界首款30nm产品，高频、低能耗

三星4GB DDR3-1600内存（包装）

    三星2GB DDR3-1600内存是最早上市的30nm内存，不过主流30nm 4GB DDR3-1600黑条却犹抱琵琶半遮面。随着其他通路内存大厂将在12月陆续铺货DDR3-1600内存，三星加速30nm 4GB DDR3-1600黑条的上市进程。它作为首款上市的4GB DDR3-1600内存，宣告了2GB DDR3-1333即将走完历史舞台。

三星4GB DDR3-1600内存的性能参数说明

    内存的包装背面有详细“性能参数说明”，从中可以得知其内存的兼容性涵盖范围相当广，从最早出现的DDR3-800MHz一直到DDR3-1600MHz。其内存频率越高，内存时序随之加大，DDR3-1600高达11-11-11-28，此为1600MHz频率的标准时序。

    性能参数的下面中文，则标注其采纳目前30nm等级的制造工艺，是目前中国市场中最先进的内存颗粒制造工艺，符合240针 DDR3台式机内存接口。它率先支持1.35伏低电压，首次在台式机内存上实现低于1.5伏标准电压，不过笔者随后的测试发现，其实际电压比标称更低，发热和功耗进一步减少。

三星4GB DDR3-1600内存的正面

    三星4GB DDR3-1600内存单条容量为4GB，运行频率为DDR3-1600（等效于PC3-12800），标准时序11-11-11-28。其编号为M379B5273DH0-YK0，于2011年第39周产于韩国三星内存工厂。金手指方面采用流行的化学镀工艺，耐磨度较高。在标签下面印有“GREEN DDR3”的烫金字样。

三星4GB DDR3-1600内存的背面

    新版三星内存采用黑色窄版设计，大小只有传统内存产品的三分之二；其内存颗粒采用30nm级半导体技术，比40-60nm存储设备降低30-47%的能耗。

三星4GB DDR3-1600内存的颗粒芯片的颗粒芯片特写

    三星4GB DDR3-1600内存的颗粒芯片编号为K4B2G0846D，其较之40nm的体积更小，还增加了内存的频率，增强内存的稳定性，降低电压达到节能目的。据闻此颗粒的超频潜力巨大。

    注：nm=纳米