★上级测试新亮点 比标称电压更低

    40-60nm制造工艺的DDR3-1600MHz内存，无法在标准1.5伏电压下长时间承受1600MHz频率，因此内存厂家普遍将超频内存的电压提高至1.55-1.65伏。而30nm DDR3内存不但无需提高电压即可完美支持1600MHz频率，甚至可以在降低电压后仍能保持1600MHz频率。

本次测试的H67+i5 2320平台

三星30nm 4GB DDR3-1600内存特写

三星30nm 4GB DDR3-1600内存和内存插槽等高

    三星30nm 4GB DDR3-1600内存的高度经过专业设计，和DDR3内存插槽等高，方便HTPC高清机使用。

Win7 64位系统轻松识别8GB DDR3-1600内存

CPU-Z识别

    三星30nm 4GB DDR3-1600MHz内存和其他4GB DDR3-1333相比，低工作电压和高频率是两个显著的特征。在实际测试中，这款内存的实际工作电压仅1.28V，远低于DDR3 1.5V的标准电压，发热更低，功耗越小。

    由于笔者简单上机测试的H67和i5 2320不具备超频能力，这款30nm的三星4GB DDR3-1600MHz内存的超频潜力有多大尚无法得知，传闻其轻松超越2200Mhz，笔者将在近期进行相关测试。

面向普通家庭用户的英特尔 Ivybridge 处理器将默认支持DDR3-1600

    2012年3月英特尔发售的22纳米Ivybridge处理器将全面升级内存控制器，默认支持1600MHz内存（i5-2320仅默认支持1333MHz内存频率）。我们就不难理解为何内存厂商发力推出DDR3-1600内存。